(EN) The purpose of the invention is to prevent increases in production costs, without additional inspection steps, when providing semiconductor integrated optics elements (AXEL) with higher output. The invention provides a semiconductor integrated optics element production method comprising: the step of forming a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor integrated optics elements are two dimensionally arranged with the optical axis directions thereof being aligned, each semiconductor integrated optics element comprising a DFB laser, EA modulator, and SOA monolithically integrated on the same substrate and disposed in the order of DFB laser, EA modulator, and SOA in the light output direction; the step of cleaving the semiconductor wafer in a plane orthogonal to the light output direction into a semiconductor bar comprising a plurality of the semiconductor integrated optics elements arranged one-dimensionally in an orthogonal direction to the light output direction with adjacent semiconductor integrated optics elements sharing the same cleavage end face as a light output surface; the step of inspecting each of the semiconductor integrated optics elements on the semiconductor bar by energizing and driving the same via a connection wiring section electrically connecting an electrode of the SOA to an electrode of the DFB laser; and the step, after the inspection, of separating each of the semiconductor integrated optics elements on the semiconductor bar at a boundary line with the adjacent semiconductor integrated optics element so that the connection wiring section connecting the electrode of the SOA to the electrode of the DFB laser is cut and the semiconductor integrated optics elements are electrically separated from each other.
(FR) L'objectif de l'invention est d'empêcher des augmentations de coûts de production, sans étapes d'inspection supplémentaires, lors de la fourniture d'éléments optiques intégrés à semi-conducteur (AXEL) avec une sortie plus élevée. L'invention concerne un procédé de production d'élément optique intégré à semi-conducteur comprenant : l'étape consistant à former une tranche semi-conductrice sur laquelle une pluralité d'éléments optiques intégrés à semi-conducteur sont agencés de façon bidimensionnelle, les directions d'axe optique de celle-ci étant alignées, chaque élément optique intégré à semi-conducteur comprenant un laser DFB, un modulateur EA et un SOA intégrés de manière monolithique sur le même substrat et disposés dans l'ordre du laser DFB, le modulateur EA, et le SOA dans la direction de sortie de lumière ; l'étape de clivage de la tranche semi-conductrice dans un plan orthogonal à la direction de sortie de lumière dans une barre semi-conductrice comprenant une pluralité des éléments optiques intégrés à semi-conducteur agencés de façon unidimensionnelle dans une direction orthogonale par rapport à la direction de sortie de lumière avec des éléments optiques intégrés à semi-conducteur adjacents partageant la même face d'extrémité de clivage en tant que surface de sortie de lumière ; l'étape consistant à inspecter chacun des éléments optiques intégrés à semi-conducteur sur la barre semi-conductrice par excitation et commande de celle-ci par l'intermédiaire d'une section de câblage de connexion connectant électriquement une électrode du SOA à une électrode du laser DFB ; et l'étape, après l'inspection, de séparation de chacun des éléments optiques intégrés à semi-conducteur sur la barre semi-conductrice au niveau d'une ligne limite avec l'élément optique intégré à semi-conducteur adjacent de sorte que la section de câblage de connexion connectant l'électrode du SOA à l'électrode du laser DFB soit coupée et que les éléments optiques intégrés à semi-conducteur soient séparés électriquement les uns des autres.
(JA) 半導体光集積素子（ＡＸＥＬ）の更なる高出力化において、検査工程を追加することなく、製造コストの増大を防ぐ。ＤＦＢレーザと、ＥＡ変調器と、ＳＯＡとが同一基板上にモノリシック集積され、光出射方向に、前記ＤＦＢレーザ、前記ＥＡ変調器、前記ＳＯＡの順に配置された半導体光集積素子を、光軸方向を揃えて複数二次元配列して半導体ウエハを形成するステップと、前記半導体ウエハを光出射方向に直交する面で劈開して、複数の前記半導体光集積素子が光出射方向に直交する方向に一次元配列して、隣接する前記半導体光集積素子が同一の劈開端面を光出射面として共有する半導体バーを形成するステップと、前記半導体バーの前記各半導体光集積素子を、前記ＳＯＡの電極と前記ＤＦＢレーザの電極を電気的に接続する接続配線部を介して通電駆動して検査するステップと、検査後に前記半導体バーの前記各半導体光集積素子を、隣接する半導体光集積素子との境界線で分離することにより、前記ＳＯＡの電極と前記ＤＦＢレーザの電極を接続する前記接続配線部を切断して電気的に分離するステップとから構成されている半導体光集積素子の製造方法とした。
