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1. (WO2019066996) THREE TERMINAL SELECTORS FOR MEMORY APPLICATIONS AND THEIR METHODS OF FABRICATION
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Pub. No.: WO/2019/066996 International Application No.: PCT/US2017/054680
Publication Date: 04.04.2019 International Filing Date: 30.09.2017
IPC:
H01L 45/00 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45
Solid state devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating, or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
Applicants:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
Inventors:
PILLARISETTY, Ravi; US
SHARMA, Abhishek A.; US
LE, Van H.; US
KAVALIEROS, Jack T.; US
RACHMADY, Willy; US
Agent:
HOWARD, James M.; US
Priority Data:
Title (EN) THREE TERMINAL SELECTORS FOR MEMORY APPLICATIONS AND THEIR METHODS OF FABRICATION
(FR) SÉLECTEURS À TROIS BORNES POUR APPLICATIONS DE MÉMOIRE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abstract:
(EN) A memory device includes a first electrode, a non-volatile memory element having a first terminal and a second terminal, where the first terminal is coupled to the first electrode. The memory device further includes a selector having a first terminal, a second terminal and a sidewall between the first and second terminals, where the second terminal of the selector is coupled to the first terminal of the non-volatile memory element. A second electrode is coupled to the second terminal of the selector and a third electrode laterally adjacent to the sidewall of the selector.
(FR) Un dispositif de mémoire comprend une première électrode, un élément de mémoire non volatile ayant une première borne et une seconde borne, la première borne étant couplée à la première électrode. Le dispositif de mémoire comprend en outre un sélecteur ayant une première borne, une seconde borne et une paroi latérale entre les première et seconde bornes, la seconde borne du sélecteur étant couplée à la première borne de l'élément de mémoire non volatile. Une deuxième électrode est couplée à la seconde borne du sélecteur et une troisième électrode latéralement adjacente à la paroi latérale du sélecteur.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)