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1. (WO2019066921) GROUP III-NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICES INCLUDING A POLARIZATION JUNCTION
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Pub. No.: WO/2019/066921 International Application No.: PCT/US2017/054390
Publication Date: 04.04.2019 International Filing Date: 29.09.2017
IPC:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/04 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
04
with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
Applicants:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
Inventors:
THEN, Han Wui; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
Agent:
HOWARD, James M.; US
Priority Data:
Title (EN) GROUP III-NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICES INCLUDING A POLARIZATION JUNCTION
(FR) DISPOSITIFS ÉLECTROLUMINESCENTS AU NITRURE DU GROUPE III COMPRENANT UNE JONCTION DE POLARISATION
Abstract:
(EN) Light emitting devices employing one or more Group III-Nitride polarization junctions. A III-N polarization junction may include two III-N material layers having opposite crystal polarities. The opposing polarities may induce a two-dimensional charge carrier sheet within each of the two III-N material layers. Opposing crystal polarities may be induced through introduction of an intervening material layer between two III-N material layers. Where a light emitting structure includes a quantum well (QW) structure between two Group III-Nitride polarization junctions, a 2D electron gas (2DEG) induced at a first polarization junction and/or a 2D hole gas (2DHG) induced at a second polarization junction on either side of the QW structure may supply carriers to the QW structure. An improvement in quantum efficiency may be achieved where the intervening material layer further functions as a barrier to carrier recombination outside of the QW structure.
(FR) L'invention concerne des dispositifs électroluminescents utilisant une ou plusieurs jonctions de polarisation de nitrure du groupe III. Une jonction de polarisation III-N peut comprendre deux couches de matériau du groupe III-N ayant des polarités de cristal opposées. Les polarités opposées peuvent induire une feuille de porteurs de charge bidimensionnelle à l'intérieur de chacune des deux couches de matériau du groupe III-N. Des polarités de cristal opposées peuvent être induites par l'introduction d'une couche de matériau intermédiaire entre deux couches de matériau du groupe III-N. Lorsqu'une structure électroluminescente comprend une structure de puits quantique (puits quantique) entre deux jonctions de polarisation de nitrure de groupe III, un gaz d'électrons 2D (2 DEG) induit au niveau d'une première jonction de polarisation et/ou d'un gaz de trou 2D (2 DHG) induit au niveau d'une seconde jonction de polarisation de chaque côté de la structure de puits quantique peut fournir des porteurs à la structure de puits quantique. Une amélioration de l'efficacité quantique peut être obtenue là où la couche de matériau intermédiaire fonctionne en outre en tant que barrière pour la recombinaison de porteurs à l'extérieur de la structure de puits quantique.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)