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1. (WO2019066894) INDEPENDENTLY SCALING SELECTOR AND MEMORY IN MEMORY CELL
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Pub. No.: WO/2019/066894 International Application No.: PCT/US2017/054281
Publication Date: 04.04.2019 International Filing Date: 29.09.2017
IPC:
H01L 45/00 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45
Solid state devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating, or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
Applicants:
DOYLE, Brian S. [IE/US]; US
SHARMA, Abhishek A. [IN/US]; US
PILLARISETTY, Ravi [US/US]; US
KARPOV, Elijah V. [US/US]; US
MAJHI, Prashant [IN/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventors:
DOYLE, Brian S.; US
SHARMA, Abhishek A.; US
PILLARISETTY, Ravi; US
KARPOV, Elijah V.; US
MAJHI, Prashant; US
Agent:
SULLIVAN, Stephen G.; US
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
BLANK, Eric S.; US
COFIELD, Michael A.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
PUGH, Joseph A.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
ROJO, Estiven; US
Priority Data:
Title (EN) INDEPENDENTLY SCALING SELECTOR AND MEMORY IN MEMORY CELL
(FR) SÉLECTEUR À MISE À L'ÉCHELLE INDÉPENDANTE ET MÉMOIRE DANS UNE CELLULE DE MÉMOIRE
Abstract:
(EN) Embedded non-volatile memory structures having an independently sized selector element and memory element are described. In an example, a memory device includes a metal layer. A selector element is above the metal layer. A memory element is above the metal line. A spacer surrounds one of the selector element and the memory element having a smallest width, and wherein the one of the selector element and the memory element not surrounded by the spacer has a width substantially identical to the spacer and is in alignment with the spacer.
(FR) L'invention concerne des structures de mémoire non volatile intégrées ayant un élément sélecteur à taille indépendante et un élément de mémoire. Dans un exemple, un dispositif de mémoire comprend une couche métallique. Un élément sélecteur se trouve au-dessus de la couche métallique. Un élément de mémoire se trouve au-dessus de la ligne métallique. Un élément d'espacement entoure l'un parmi l'élément sélecteur et l'élément de mémoire ayant une largeur la plus petite, et l'un parmi l'élément sélecteur et l'élément de mémoire non entouré par l'élément d'espacement présente une largeur sensiblement identique à l'élément d'espacement et est aligné avec l'élément d'espacement.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)