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1. (WO2019066765) HIGH ASPECT RATIO NON-PLANAR CAPACITORS FORMED VIA CAVITY FILL
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Pub. No.: WO/2019/066765 International Application No.: PCT/US2017/053347
Publication Date: 04.04.2019 International Filing Date: 26.09.2017
IPC:
H01L 49/02 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
49
Solid state devices not provided for in groups H01L27/-H01L47/99; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
02
Thin-film or thick-film devices
Applicants:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Inventors:
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
THEN, Han Wui; US
Agent:
HARTMANN, Natalya; US
Priority Data:
Title (EN) HIGH ASPECT RATIO NON-PLANAR CAPACITORS FORMED VIA CAVITY FILL
(FR) CONDENSATEURS NON PLANS À RAPPORT DE FORME ÉLEVÉ FORMÉS PAR REMPLISSAGE DE CAVITÉ
Abstract:
(EN) A method for forming non-planar capacitors of desired dimensions is disclosed. The method is based on providing a three-dimensional structure of a first material over a substrate, enclosing the structure with a second material that is sufficiently etch-selective with respect to the first material, and then performing a wet etch to remove most of the first material but not the second material, thus forming a cavity within the second material. Shape and dimensions of the cavity are comparable to those desired for the final non-planar capacitor. At least one electrode of a capacitor may then be formed within the cavity. Using the etch selectivity of the first and second materials advantageously allows applying wet etch techniques for forming high aspect ratio openings in fabricating non-planar capacitors, which is easier and more reliable than relying on dry etch techniques.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation de condensateurs non plans de dimensions souhaitées. Le procédé consiste à utiliser une structure tridimensionnelle d'un premier matériau sur un substrat, à enfermer la structure avec un second matériau qui est suffisamment sélectif à la gravure par rapport au premier matériau, puis à effectuer une gravure humide pour éliminer la majeure partie du premier matériau mais pas le second matériau, formant ainsi une cavité à l'intérieur du second matériau. La forme et les dimensions de la cavité sont comparables à celles souhaitées du condensateur non plan final. Au moins une électrode d'un condensateur peut ensuite être formée à l'intérieur de la cavité. L'utilisation de la sélectivité à la gravure des premier et second matériaux permet d'appliquer avantageusement des techniques de gravure humide pour former des ouvertures à rapport de forme élevé lors de la fabrication de condensateurs non plans, ce qui est plus facile et plus fiable que de compter sur des techniques de gravure sèche.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)