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1. (WO2019063429) DETECTOR OF HIGH-ENERGY PHOTONS
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Pub. No.: WO/2019/063429 International Application No.: PCT/EP2018/075591
Publication Date: 04.04.2019 International Filing Date: 21.09.2018
IPC:
G01T 1/202 (2006.01)
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
T
MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
1
Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
16
Measuring radiation intensity
20
with scintillation detectors
202
the detector being a crystal
Applicants:
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 Rue Leblanc Bâtiment le Ponant D 75015 PARIS, FR
Inventors:
YVON, Dominique; FR
SHARYY, Viatcheslav; FR
Agent:
LEBKIRI, Alexandre; FR
Priority Data:
175906529.09.2017FR
Title (EN) DETECTOR OF HIGH-ENERGY PHOTONS
(FR) DÉTECTEUR DE PHOTONS À HAUTE ÉNERGIE
Abstract:
(EN) The present invention relates to a detector (400) of a high-energy photon, comprising: a crystal (301) intended to absorb a high-energy photon and to generate photons via a luminescent effect, having a first face (305) and a second face (406) that face each other; a first photomultiplier (302) comprising a photoelectric layer (304); and a second photomultiplier (302') comprising a photoelectric layer (304') or a matrix array of semiconductor photomultipliers, the detector (300) being characterised in that the photoelectric layer (304) of the first photomultiplier (302) is directly in contact with the first face (305) of the crystal, the first photomultiplier (302) being configured to detect the photons generated by the crystal (301) on incidence on its photoelectric layer (304) and the photoelectric layer (304') or the matrix array of semiconductor photomultipliers of the second photomultiplier (302') is directly in contact with the second face (406) of the crystal (301), the second photomultiplier (302') being configured to detect the photons generated by the crystal (301) on incidence on its photoelectric layer (304') or on its matrix array of semiconductor photomultipliers.
(FR) La présente invention concerne un détecteur (400) de photon à haute énergie comprenant : - un cristal (301) destiné à absorber un photon à haute énergie en générant des photons selon un phénomène luminescent, comportant une première (305) et une seconde face (406) en regard l'une de l'autre, - un premier photomultiplicateur (302) comportant une couche photoélectrique (304), - un deuxième photomultiplicateur (302') comportant une couche photoélectrique (304') ou une matrice de photomultiplicateurs semiconducteurs, le détecteur (300) étant caractérisé en ce que la couche photoélectrique (304) du premier photomultiplicateur (302) est directement en contact avec la première face (305) du cristal, le premier photomultiplicateur (302) étant configuré pour détecter les photons générés par le cristal (301) en incidence sur sa couche photoélectrique (304) et la couche photoélectrique (304') ou la matrice de photomultiplicateurs semiconducteurs du deuxième photomultiplicateur (302') est directement en contact avec la seconde face (406) du cristal (301), le deuxième photomultiplicateur (302') étant configuré pour détecter les photons générés par le cristal (301) en incidence sur sa couche photoélectrique (304') ou sur sa matrice de photomultiplicateurs semiconducteurs.
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Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)