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1. (WO2019063411) SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
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Pub. No.: WO/2019/063411 International Application No.: PCT/EP2018/075486
Publication Date: 04.04.2019 International Filing Date: 20.09.2018
IPC:
H01S 5/022 (2006.01) ,H01S 5/024 (2006.01) ,H01S 5/042 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
02
Structural details or components not essential to laser action
022
Mountings; Housings
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
02
Structural details or components not essential to laser action
024
Cooling arrangements
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
04
Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
042
Electrical excitation
Applicants:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventors:
BACHMANN, Alexander; DE
ENZMANN, Roland Heinrich; MY
MÜLLER, Michael; DE
Agent:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Priority Data:
10 2017 122 330.426.09.2017DE
Title (DE) HALBLEITERLASERDIODE UND HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) DIODE LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
(DE) Es wird eine Halbleiterlaserdiode (1) angegeben, mit - einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20); - einer Strahlungsauskoppelfläche (10), die senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des aktiven Bereichs verläuft; - einer Hauptfläche (11), die die Halbleiterschichtenfolge in vertikaler Richtung begrenzt; - einer Kontaktschicht (3), die an die Hauptfläche angrenzt; und - einer wärmeableitenden Schicht (4), die bereichsweise auf einer dem aktiven Bereich abgewandten Seite der Kontaktschicht angeordnet ist, wobei die Kontaktschicht stellenweise für eine externe elektrische Kontaktierung der Halbleiterlaserdiode freiliegt. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement angegeben.
(EN) The invention relates to a semiconductor laser diode (1) comprising: - a semiconductor layer sequence (2) having an active region (20) provided for generating radiation; - a radiation decoupling surface (10) which extends perpendicular to a main extension plane of the active region; - a main surface (11) which delimits the semiconductor layer sequence in the vertical direction; - a contact layer (3) which adjoins the main surface; and - a heat-dissipating layer (4), regions of which are arranged on a side of the contact layer facing away from the active region, wherein the contact layer is exposed in places for external electrical contact of the semiconductor laser diode. The invention also relates to a semiconductor component.
(FR) L'invention concerne une diode laser à semi-conducteur (1) comprenant une succession de couches semi-conductrices (2) présentant une zone active (20) destinée à générer un rayonnement ; une surface de sortie de rayonnement (10) qui s'étend perpendiculairement à un plan principal de la zone active ; une surface principale (11) qui délimite la succession de couches semi-conductrices dans la direction verticale ; une couche de contact (3) adjacente à la surface principale ; et une couche de dissipation thermique (4) qui est disposée par endroits sur un côté de la couche de contact opposé à la zone active, la couche de contact étant apparente par endroits pour permettre une mise en contact électrique externe de la diode laser à semi-conducteur. L'invention concerne en outre un composant semi-conducteur.
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)