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1. (WO2019063404) PRESSURE SENSOR CHIP AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
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Pub. No.: WO/2019/063404 International Application No.: PCT/EP2018/075444
Publication Date: 04.04.2019 International Filing Date: 20.09.2018
IPC:
G01L 9/00 (2006.01) ,B81B 3/00 (2006.01) ,B81C 1/00 (2006.01) ,G01L 19/06 (2006.01)
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
L
MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
9
Measuring steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
B PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81
MICRO-STRUCTURAL TECHNOLOGY
B
MICRO-STRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICRO-MECHANICAL DEVICES
3
Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
B PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81
MICRO-STRUCTURAL TECHNOLOGY
C
PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICRO-STRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1
Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
L
MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
19
Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
06
Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
Applicants:
CIS FORSCHUNGSINSTITUT FÜR MIKROSENSORIK GMBH [DE/DE]; Konrad-Zuse-Straße 14 99099 Erfurt, DE
Inventors:
POBERING, Sebastian; DE
TÄSCHNER, Robert; DE
KLEIN, Thomas; DE
LULEICH, Matthias; DE
Agent:
ENGEL, Christoph K.; DE
Priority Data:
10 2017 122 264.226.09.2017DE
Title (EN) PRESSURE SENSOR CHIP AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) PUCE DE CAPTEUR DE PRESSION ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(DE) DRUCKSENSORCHIP UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
Abstract:
(EN) The invention relates to a method for producing a pressure sensor chip (11). First, a first wafer is provided as a sensor plate (01), in which a pressure chamber (15) of the pressure sensor chip should be formed. A desired thickness of a diaphragm (07) is defined, which diaphragm should be produced on a diaphragm side (02) of the sensor plate (01) over the pressure chamber (15). At least the following structuring steps are then performed from an opening side (03) lying opposite the diaphragm side, in order to form the pressure chamber (15): a first structuring step, by means of which structures having side walls having a flank angle in the range of 90° ± 20° can be produced in the first wafer, anisotropic wet-chemical etching, and subsequent isotropic etching. Finally, a second wafer is provided as a reinforcing plate (12) and a through-opening (14) is introduced into said reinforcing plate. Finally, the sensor plate (01) is connected, on the opening side (03), to the reinforcing plate (12), the through-opening (14) leading into the pressure chamber (15). The invention further relates to a pressure sensor chip (11).
(FR) L’invention concerne un procédé de fabrication d’une puce de capteur de pression (11). La première étape consiste à fournir une première galette en tant que plaque de capteur (01) dans laquelle doit être façonnée une chambre de pression (15) de la puce de capteur de pression. Une épaisseur souhaitée d'une membrane (07) est définie, ladite membrane devant être produite sur un côté membrane (02) de la plaque de capteur (01) au-dessus de la chambre de pression (15). Au moins les étapes de structuration suivantes sont ensuite exécutées depuis un côté d'ouverture (03) se trouvant à l'opposé du côté membrane, en vue de former la chambre de pression (15) : une première étape de structuration, par laquelle des structures pourvues de parois latérales ayant un angle de flanc de l'ordre de 90° ±20° peuvent être produites dans la première galette, gravure anisotrope chimique par voie humide, et ensuite gravure isotrope. Ensuite, une deuxième galette est fournie en tant que plaque de renforcement (12) et une ouverture de passage (14) est pratiquée dans celle-ci. Pour terminer, la plaque de capteur (01) est reliée à la plaque de renforcement (12) du coté de l'ouverture (03), l'ouverture de passage (14) débouchant dans la chambre de pression (15). L'invention concerne en outre une puce de capteur de pression (11).
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Drucksensorchips (11). Es erfolgt zuerst das Bereitstellen eines ersten Wafers als Sensorplatte(01), in welcher eine Druckkammer (15) des Drucksensorchips ausgebildet werden soll. Es wird eine gewünschte Dicke einer Membran (07) festgelegt, die auf einer Membranseite (02) der Sensorplatte (01) über der Druckkammer (15) erzeugt werden soll. Sodann werden mindestens die folgenden Strukturierungsschritte von einer der Membranseite gegenüberliegenden Öffnungsseite (03) aus ausgeführt, zur Ausbildung der Druckkammer (15): ein erster Strukturierungsschritt, durch welchen im ersten Wafer Strukturen mit Seitenwänden mit einem Flankenwinkel im Bereich 90° ±20° erzeugbar sind, anisotropes nasschemisches Ätzen, sowie nachfolgen isotropes Ätzen. Schließlich wird ein zweiter Wafer als Verstärkungsplatte (12) bereitgestellt und eine Durchgangsöffnung (14) in diese eingebracht. Abschließend wird die Sensorplatte (01) auf der Öffnungsseite (03) mit der Verstärkungsplatte (12) verbunden, wobei die Durchgangsöffnung (14) in die Druckkammer (15) mündet. Die Erfindung betrifft außerdem einen Drucksensorchip (11).
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)