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1. (WO2019063289) METHOD FOR OPERATING AN ACTUATION DEVICE FOR AN INDUCTIVE LOAD
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Pub. No.: WO/2019/063289 International Application No.: PCT/EP2018/074587
Publication Date: 04.04.2019 International Filing Date: 12.09.2018
IPC:
H03K 17/16 (2006.01) ,H02M 3/156 (2006.01)
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
K
PULSE TECHNIQUE
17
Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and -breaking
16
Modifications for eliminating interference voltages or currents
H ELECTRICITY
02
GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
M
APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
3
Conversion of dc power input into dc power output
02
without intermediate conversion into ac
04
by static converters
10
using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
145
using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
155
using semiconductor devices only
156
with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
Applicants:
ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Inventors:
KOCH, Stefan; DE
MALICH, Thomas; DE
WENDL, Michael; DE
Priority Data:
10 2017 217 260.628.09.2017DE
Title (EN) METHOD FOR OPERATING AN ACTUATION DEVICE FOR AN INDUCTIVE LOAD
(FR) PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT D'UN DISPOSITIF DE COMMANDE D'UNE CHARGE INDUCTIVE
(DE) VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER ANSTEUERVORRICHTUNG FÜR EINE INDUKTIVE LAST
Abstract:
(EN) The invention relates to a method for operating an actuation device (100) for an inductive load (30), wherein the actuation device (100) is formed as a half bridge with two MOS-FETs (10, 20) and a connecting point of the two MOS-FETs (10, 20) is galvanically connected to the inductive load (30), the method having the following, cyclically performed steps: - with a positive phase current, where electrical current flows from the half bridge into the inductive load (30): a) in the event of an electrical current flow after high-resistance switching of the HS-MOS-FET (10) via the intrinsic diode of the LS-MOS-FET (20): - subsequent activation of the LS-MOS-FET (20) in a defined rapid manner; b) in the event of an electrical current flow after high-resistance switching of the LS-MOS-FET (20) via the intrinsic diode of the LS-MOS-FET (20): - subsequent activation of the HS-MOS-FET (10) in a defined slow manner; - with a negative electrical phase current, where electrical current flows from the inductive load (30) into the half bridge: a) in the event of an electrical current flow after high-resistance switching of the LS-MOS-FET (20) via the intrinsic diode of the HS-MOS-FET (10); - subsequent activation of the HS-MOS-FET (10) in a defined rapid manner; b) in the event of an electrical current flow after high-resistance switching of the HS-MOS-FET (10) via the intrinsic diode of the HS-MOS-FET; - subsequent activation of the LS-MOS-FET (20) in a defined slow manner.
(FR) Procédé pour faire fonctionner un dispositif d'entraînement (100) pour une charge inductive (30), le dispositif d'entraînement (100) étant conçu comme un demi-pont à deux transistors MOS-FET (10, 20), un point de connexion des deux transistors MOS-FET (10, 20) étant relié galvaniquement à la charge inductive (30), comprenant les étapes suivantes, réalisées de manière cyclique : - dans le cas d'un courant de phase positif, un courant électrique circulant du demi-pont dans la charge inductive (30) : a) dans le cas d'un courant électrique circulant après une commutation à haute impédance du FET HS-MOS (10) via la diode intrinsèque du FET LS-MOS (20) : - activation rapide définie ultérieurement du FET LS-MOS (20) b) dans le cas d'un flux courant électrique après commutation à forte impédance du FET LS-MOS (20) via la diode intrinsèque du FET LS-MOS (20) : - avec un courant de phase électrique négatif, du courant électrique circulant de la charge inductive (30) dans le demi-pont : a) dans le cas d'un courant électrique circulant après la commutation du LS-MOS-FET (20) à haute impédance via la diode intrinsèque du HS-MOS-FET (10) : - définit ensuite la mise sous tension rapide du HS-MOS-FET (10) b) en cas de passage de courant électrique après une commutation haute impédance du HS-MOS-FET (10) via la diode intrinsèque du HS-MOS-FET : - définit ensuite la mise sous tension lente du LS-MOS-FET (20).
(DE) Verfahren zum Betreiben einer Ansteuervorrichtung (100) für eine induktive Last (30), wobei die Ansteuervorrichtung (100) als eine Halbbrücke mit zwei MOS-FETs (10, 20) ausgebildet ist, wobei ein Verbindungspunkt der beiden MOS-FETs (10, 20) galvanisch mit der induktiven Last (30) verbunden ist, aufweisend die folgenden zyklisch ausgeführten Schritte: - bei positivem Phasenstrom, wobei elektrischer Strom aus der Halbbrücke in den induktiven Verbraucher (30) fließt: a) im Falle eines elektrischen Stromflusses nach Hochohmig-Schalten des HS-MOS-FETs (10) über die intrinsische Diode des LS-MOS-FETs (20): - nachfolgendes definiert schnelles Einschalten des LS-MOS-FETs (20) b) im Falle eines elektrischen Stromflusses nach Hochohmig-Schalten des LS-MOS-FETs (20) über die intrinsische Diode des LS-MOS-FETs (20): - nachfolgendes definiert langsames Einschalten des HS-MOS-FETs (10); - bei negativem elektrischem Phasenstrom, wobei elektrischer Strom aus dem induktiven Verbraucher (30) in die Halbbrücke fließt: a) im Falle eines elektrischen Stromflusses nach Hochohmig-Schalten des LS-MOS-FETs (20) über die intrinsische Diode des HS-MOS-FETs (10): - nachfolgendes definiert schnelles Einschalten des HS-MOS-FETS (10) b) im Falle eines elektrischen Stromflusses nach Hochohmig-Schalten des HS-MOS-FETs (10) über die intrinsische Diode des HS-MOS-FETs: - nachfolgendes definiert langsames Einschalten des LS-MOS-FETs (20).
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European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)