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1. (WO2019062118) WAVEGUIDE PHASE SHIFTER AND PREPARATION METHOD THEREFOR
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Pub. No.: WO/2019/062118 International Application No.: PCT/CN2018/085139
Publication Date: 04.04.2019 International Filing Date: 28.04.2018
IPC:
G02F 1/01 (2006.01)
G PHYSICS
02
OPTICS
F
DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1
Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
01
for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
Applicants:
北京万集科技股份有限公司 BEIJING WANJI TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 海淀区东北旺西路8号院中关村软件园12号楼万集空间 Wanji Space, Building 12, Zhongguancun Software Park, No. 8 Dongbeiwang West Road, Haidian District Beijing 100193, CN
Inventors:
郑军 ZHENG, Jun; CN
徐洋 XU, Yang; CN
李传波 LI, Chuanbo; CN
王庆飞 WANG, Qingfei; CN
田林岩 TIAN, Linyan; CN
Agent:
北京路浩知识产权代理有限公司 CN-KNOWHOW INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LIMITED; 中国北京市 海淀区丹棱街3号中国电子大厦B座18层 18th Floor Tower B, CEC Plaza, No. 3 Dan Ling Street, Haidian District Beijing 100080, CN
Priority Data:
201710898323.028.09.2017CN
Title (EN) WAVEGUIDE PHASE SHIFTER AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) DÉPHASEUR DE GUIDE D'ONDES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种波导移相器及其制备方法
Abstract:
(EN) A waveguide phase shifter, a semiconductor substrate thereof at least comprising a substrate layer, an oxide layer and a top silicon layer (10), wherein the oxide layer is located between the substrate layer and the top silicon layer. The top silicon layer (10) is at least one ridge-shaped waveguide (11) arranged horizontally. At least one highly doped region (12) corresponding to the ridge-shaped waveguide (11) is formed close to a horizontal position of the ridge-shaped waveguide (11) by means of ion injection, and a first metal electrode (13) for connecting an anode of a power source and a second metal electrode (14) for connecting a cathode of the power source are respectively formed on an upper surface at two ends of each highly doped region (12). Also provided is a method for preparing a waveguide phase shifter. According to the waveguide phase shifter, by providing a heated highly doped region at an edge of a ridge-shaped waveguide, the phase modulation of optical waves passing through the ridge-shaped waveguide is realized, the heating efficiency of the ridge-shaped waveguide is increased, and the adjustment range of a phase is improved.
(FR) L'invention concerne un déphaseur de guide d'ondes, un substrat semi-conducteur de celui-ci comprenant au moins une couche de substrat, une couche d'oxyde et une couche de silicium supérieure (10), la couche d'oxyde étant située entre la couche de substrat et la couche de silicium supérieure. La couche de silicium supérieure (10) est au moins un guide d'ondes en forme de crête (11) agencé horizontalement. Au moins une région hautement dopée (12) correspondant au guide d'ondes en forme de crête (11) est formée à proximité d'une position horizontale du guide d'ondes en forme de crête (11) par injection d'ions, et une première électrode métallique (13) pour connecter une anode d'une source d'alimentation et une seconde électrode métallique (14) pour connecter une cathode de la source d'alimentation sont respectivement formées sur une surface supérieure à deux extrémités de chaque région hautement dopée (12). L'invention concerne également un procédé de préparation d'un déphaseur de guide d'ondes. Grâce au déphaseur de guide d'ondes, en fournissant une région hautement dopée chauffée sur un bord d'un guide d'ondes en forme de crête, la modulation de phase des ondes optiques traversant le guide d'ondes en forme de crête est réalisée, l'efficacité de chauffage du guide d'ondes en forme de crête est augmentée, et la plage de réglage d'une phase est améliorée.
(ZH) 一种波导移相器,其半导体衬底至少包括衬底层、氧化层和顶层硅层(10),其中氧化层位于衬底层和顶层硅层的中间。顶层硅层(10)为至少一条水平排列的脊型波导(11)。靠近脊型波导(11)的水平位置通过离子注入形成与脊型波导(11)相对应的至少一条高掺杂区域(12),在每条高掺杂区域(12)两端上表面分别形成用以连接电源阳极的第一金属电极(13)和用以连接电源阴极的第二金属电极(14)。还提供了一种波导移相器的制备方法。该波导移相器通过在脊型波导边上设置加热的高掺杂区域,从而实现对通过脊型波导的光波的相位调制,提高了对脊型波导的加热效率,并提高了相位的调节范围。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)