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1. (WO2019061852) MRAM AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
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Pub. No.: WO/2019/061852 International Application No.: PCT/CN2017/116137
Publication Date: 04.04.2019 International Filing Date: 14.12.2017
IPC:
H01L 27/22 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27
Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22
including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effect; using similar magnetic field effects
Applicants:
中电海康集团有限公司 CETHIK GROUP CO. LTD [CN/CN]; 中国浙江省杭州市 余杭区文一西路1500号1幢311室 Room 311, Building 1 No. 1500 Wenyi West Road, Yuhang District Hangzhou, Zhejiang 311121, CN
Inventors:
左正笏 ZUO, Zhenghu; CN
Agent:
北京康信知识产权代理有限责任公司 KANGXIN PARTNERS,P.C.; 中国北京市 海淀区知春路甲48号盈都大厦A座16层 Floor 16,Tower A,Indo Building A48 Zhichun Road, Haidian District Beijing 100098, CN
Priority Data:
201710884968.926.09.2017CN
Title (EN) MRAM AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) MRAM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) MRAM与其制作方法
Abstract:
(EN) Provided are an MRAM and a method for manufacturing the MRAM. The manufacturing method comprises: S1, providing a pre-storage structure (2) on a substrate (1), the pre-storage structure (2) at least comprising an MTJ unit (22); S2, providing a protective layer material on an exposed surface of the pre-storage structure (2), or providing a protective layer material on an exposed surface of the pre-storage structure (2) and on an exposed surface of the substrate (1); and S3, removing part of the protective layer material by means of self-aligned etching using an anisotropic etching method to form a protective layer (3) on at least part of a side wall of the pre-storage structure (2). With the protective layer being etched by means of a self-aligned etching technique, no mask layer needs to be provided in the method, the method is simple and easily controlled, and only the protective layer material on the side wall of the pre-storage structure remains, thereby avoiding a capacitance effect and a stress effect caused by the protective layer material on the surface of the substrate or on the surface of part of the pre-storage structure on two sides of the MTJ unit, thereby ensuring that the device has better performance.
(FR) La présente invention concerne une mémoire vive magnétique (MRAM) et son procédé de fabrication. Le procédé de fabrication comprend les étapes suivantes : S1, disposer une structure de pré-stockage (2) sur un substrat (1), la structure de pré-stockage (2) comprenant au moins une unité de jonction tunnel magnétique (MTJ) (22) ; S2, disposer un matériau de couche de protection sur une surface apparente de la structure de pré-stockage (2), ou disposer un matériau de couche de protection sur une surface apparente de la structure de pré-stockage (2) et sur une surface apparente du substrat (1) ; et S3, retirer une partie du matériau de couche de protection au moyen d'une gravure auto-alignée à l'aide d'un procédé de gravure anisotrope pour former une couche de protection (3) sur au moins une partie d'une paroi latérale de la structure de pré-stockage (2). Étant donné que la couche de protection est gravée au moyen d'une technique de gravure auto-alignée, aucune couche de masque n'a besoin d'être fournie dans le procédé, le procédé est simple et facile à commander, et le matériau de couche de protection ne reste que sur la paroi latérale de la structure de pré-stockage, ce qui permet d'éviter un effet de capacité et un effet de contrainte provoqués par le matériau de couche de protection sur la surface du substrat ou sur la surface d'une partie de la structure de pré-stockage des deux côtés de l'unité MTJ, garantissant ainsi que le dispositif a de meilleures performances.
(ZH) 一种MRAM与其制作方法。该制作方法包括:步骤S1,在基底(1)上设置预存储结构(2),预存储结构(2)至少包括MTJ单元(22);步骤S2,在预存储结构(2)的裸露表面上设置保护层材料,或者在预存储结构(2)的裸露表面上以及基底(1)的裸露表面上设置保护层材料;步骤S3,采用各向异性刻蚀法自对准刻蚀去除部分保护层材料,形成位于预存储结构(2)的至少部分侧壁上的保护层(3)。采用自对准刻蚀技术刻蚀保护层,该方法无需设置掩膜层,方法简单,容易控制,且只留下预存储结构侧壁上的保护层材料,避免了MTJ单元两侧的基底表面上或者是部分预存储结构的表面上的保护层材料带来的电容效应和应力效应,保证了器件具有较好的性能。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)