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1. (WO2019061214) TRANSISTOR DEVICE WITH INTEGRATED DIODE
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Pub. No.: WO/2019/061214 International Application No.: PCT/CN2017/104179
Publication Date: 04.04.2019 International Filing Date: 29.09.2017
IPC:
H01L 27/02 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27
Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02
including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
Applicants:
英诺赛科(珠海)科技有限公司 INNOSCIENCE (ZHUHAI) TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省珠海市 唐家湾镇哈工大路1号1栋C106 No.1 Hagongda Rd., Unit 1 # C106, Tangjiawan Town Zhuhai, Guangdong 519085, CN
Inventors:
魏进 WEI, Jin; CN
金峻渊 KIM, Jun-Youn; CN
Agent:
珠海智专专利商标代理有限公司 INNOPAT INTELLECTUAL PROPERTY CO., LTD.; 中国广东省珠海市 南屏坪岚路南屏企业大厦第六层 6/F, Nanping Group Building Pinglan Road, Nanping Zhuhai, Guangdong 519060, CN
Priority Data:
201710894561.428.09.2017CN
Title (EN) TRANSISTOR DEVICE WITH INTEGRATED DIODE
(FR) DISPOSITIF DE TRANSISTOR AVEC DIODE INTÉGRÉE
(ZH) 具有集成二极管的晶体管器件
Abstract:
(EN) A transistor device with an integrated diode. The transistor device comprises a diode region, a transistor region and an isolation region (16), wherein there are multiple anodes (11) in the diode region; there is one gate electrode (15), one drain electrode (10) and multiple source electrodes (12) in the transistor region; the multiple source electrodes (12) are arranged along a length direction parallel to the drain electrode (10); the drain electrode (10) and the source electrodes (12) are respectively located on two sides of the gate electrode (15); the source electrodes (12) are electrically connected to the anodes (11) to serve as source electrodes of the transistor device; and the isolation region (16) is located between the diode region and the transistor region, and the diode region and the transistor region are electrically isolated by means of the isolation region (16).
(FR) L'invention concerne un dispositif de transistor avec une diode intégrée. Le dispositif de transistor comprend une région de diode, une région de transistor et une région d'isolation (16), de multiples anodes (11) étant dans la région de diode ; il y a une électrode de grille (15), une électrode de drain (10) et de multiples électrodes de source (12) dans la région de transistor ; les multiples électrodes de source (12) sont agencées le long d'une direction de longueur parallèle à l'électrode de drain (10) ; l'électrode de drain (10) et les électrodes de source (12) sont respectivement situées sur deux côtés de l'électrode de grille (15) ; les électrodes de source (12) sont électroconnectées aux anodes (11) pour servir d'électrodes de source du dispositif de transistor ; et la région d'isolation (16) est située entre la région de diode et la région de transistor, et la région de diode et la région de transistor sont électriquement isolées au moyen de la région d'isolation (16).
(ZH) 一种具有集成二极管的晶体管器件,包括二极管区、晶体管区和隔离区(16),二极管区具有多个阳极(11),晶体管区具有一个栅极(15)、一个漏极(10)和多个源极(12),多个源极(12)沿着平行于漏极(10)的长度方向布置,漏极(10)和源极(12)分别位于栅极(15)的两侧,源极(12)与阳极(11)电连接后作为晶体管器件的源极;隔离区(16)位于二极管区与晶体管区之间,二极管区与晶体管区通过隔离区(16)进行电学隔离。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)