(EN) Provided is a titanium sputtering target having a recrystallized structure with an average crystal grain size of 1 µm or less. Also provided is a production method for a titanium sputtering target comprising: a step for large strain processing of cut titanium ingots to obtain processed sheets; a step for cold rolling said processed sheets at a reduction of at least 30%; and a step for heat-treating said rolled sheets at a temperature of 320°C or less.
(FR) L'invention concerne une cible de pulvérisation en titane comprenant une structure recristallisée présentant une taille moyenne de grain cristallin inférieure ou égale à 1 µm. L'invention concerne également un procédé de production d'une cible de pulvérisation en titane comprenant : une étape de traitement à contrainte élevée de lingots en titane coupés pour obtenir des tôles traitées; une étape de laminage à froid desdites tôles traitées jusqu'à une réduction d'au moins 30 %; et une étape de traitement thermique desdites tôles laminées à une température inférieure ou égale à 320 °C.
(JA) 平均結晶粒径が1μm以下の再結晶組織を有するスパッタリング用チタンターゲットを提供する。また、切断したチタンインゴットを大ひずみ加工して加工板を得る工程と、前記加工板を30%以上の圧延率で冷間圧延して圧延板を得る工程と、前記圧延板を320℃以下の温度で熱処理する工程とを含むスパッタリング用チタンターゲットの製造方法を提供する。