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1. (WO2019049893) ELASTIC WAVE DEVICE
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Pub. No.: WO/2019/049893 International Application No.: PCT/JP2018/032884
Publication Date: 14.03.2019 International Filing Date: 05.09.2018
IPC:
H03H 9/145 (2006.01) ,H03H 9/25 (2006.01)
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
H
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9
Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
02
Details
125
Driving means, e.g. electrodes, coils
145
for networks using surface acoustic waves
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
H
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9
Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
25
Constructional features of resonators using surface acoustic waves
Applicants:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventors:
大門 克也 DAIMON, Katsuya; JP
Agent:
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
Priority Data:
2017-17171807.09.2017JP
Title (EN) ELASTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES
(JA) 弾性波装置
Abstract:
(EN) The present invention provides an elastic wave device which makes it possible to suppress transverse mode ripples by certainly decreasing sound speed in edge regions when a Love wave is used. An elastic wave device 1 is provided with a piezoelectric substrate 2 having an elliptical slowness surface, an IDT electrode 3 provided on the piezoelectric substrate 2, and a dielectric film 13 provided on the piezoelectric substrate 2 so as to cover the IDT electrode 3, and uses a Love wave. The IDT electrode 3 has a cross region B where first and second electrode fingers 6, 7 overlap each other. The cross region B has a central region M and first and second edge regions X1, X2 on both sides of the central region M. When the wavelength-normalized film thickness of the IDT electrode 3 is denoted by x (%), and the electrode density of the IDT electrode 3 is denoted by y (g/cm3), the wavelength-normalized film thickness x is x or more satisfying expression (1): y = 0.0757x2-3.9023x+27.986. The thickness of the dielectric film 13 in the first and second edge regions X1, X2 is thinner than the thickness of the dielectric film 13 in the central region M.
(FR) L'invention concerne un dispositif à ondes élastiques qui permet de supprimer des ondulations de mode transversal en diminuant de façon certaine la vitesse du son dans des régions de bord lorsqu'une onde de Love est utilisée. Ledit dispositif à ondes élastiques (1) est muni d’un substrat piézoélectrique (2) présentant une surface de lenteur elliptique, d’une électrode IDT (3) disposée sur le substrat piézoélectrique (2), et d’un film diélectrique (13) disposé sur le substrat piézoélectrique (2) de manière à recouvrir l’électrode IDT (3), et utilise une onde de Love. L'électrode IDT (3) comprend une région transversale (B) où un premier et un second doigt d'électrode (6, 7) se chevauchent mutuellement. La région transversale (B) comprend une région centrale (M) et une première et une seconde région de bord (X1, X2) sur les deux côtés de la région centrale (M). Lorsque l'épaisseur de film à longueur d'onde normalisée de l'électrode IDT (3) est désignée par x (%), et que la densité d'électrode de l'électrode IDT (3) est désignée par y (g/cm3), l'épaisseur de film à longueur d'onde normalisée x est x ou plus et satisfait l'expression (1): y = 0,0757x2-3,9023x+27,986. L'épaisseur du film diélectrique (13) dans la première et la seconde région de bord (X1, X2) est plus mince que l'épaisseur du film diélectrique (13) dans la région centrale (M).
(JA) ラブ波を利用する場合に、エッジ領域における音速を確実に低くして、横モードリップルを抑制することができる、弾性波装置を提供する。 弾性波装置1は、逆速度面が楕円形である圧電性基板2と、圧電性基板2上に設けられたIDT電極3と、IDT電極3を覆うように圧電性基板2上に設けられた誘電体膜13とを備え、ラブ波を利用する。IDT電極3は、第1,第2の電極指6,7が重なり合う交叉領域Bを有する。交叉領域Bは、中央領域M及び中央領域Mの両側に位置する第1,第2のエッジ領域X1,X2を有する。IDT電極3の波長規格化膜厚をx(%)とし、IDT電極3の電極密度をy(g/cm)とした場合、波長規格化膜厚xが、 y=0.0757x-3.9023x+27.986…式(1) を満たすx以上とされている。第1,第2のエッジ領域X1,X2における誘電体膜13の膜厚が、中央領域Mにおける誘電体膜13の膜厚よりも薄い。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)