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1. (WO2019049794) METHOD FOR PRODUCING SEALED OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.: WO/2019/049794 International Application No.: PCT/JP2018/032432
Publication Date: 14.03.2019 International Filing Date: 31.08.2018
IPC:
H01L 33/56 (2010.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/54 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48
characterised by the semiconductor body packages
52
Encapsulations
56
Materials, e.g. epoxy or silicone resin
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48
characterised by the semiconductor body packages
50
Wavelength conversion elements
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48
characterised by the semiconductor body packages
52
Encapsulations
54
having a particular shape
Applicants:
東レ・ダウコーニング株式会社 DOW CORNING TORAY CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目5番1号 5-1, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
ダウ シリコーンズ コーポレーション DOW SILICONES CORPORATION [US/US]; ミシガン州ミッドランド ウェスト サルツバーグ ロード 2200 2200 West Salzburg Road Midland, Michigan 486860994, US
Inventors:
北浦 英二 KITAURA Eiji; JP
尼子 雅章 AMAKO Masaaki; JP
スウィアー スティーブン SWIER Steven; US
Agent:
村山 靖彦 MURAYAMA Yasuhiko; JP
実広 信哉 JITSUHIRO Shinya; JP
阿部 達彦 ABE Tatsuhiko; JP
Priority Data:
2017-17292808.09.2017JP
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING SEALED OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE ÉTANCHÉIFIÉ
(JA) 封止光半導体デバイスの製造方法
Abstract:
(EN) Provided is a method for producing a sealed optical semiconductor device that makes it possible to seal an optical semiconductor element in a simple and highly reliable manner using a sealing film. The method includes the following steps: a step in which a sealing film is placed on an optical semiconductor element substrate on which an optical semiconductor element is placed within a pressure reduction chamber and the pressure within the pressure reduction chamber is reduced; a step in which the sealing film is heated and at least the periphery of the sealing film is thermally fused to the surface of the optical semiconductor element placement substrate; and a step in which the reduction of pressure within the pressure reduction chamber is released and the optical semiconductor element placement substrate is sealed by the sealing film. The temperature T2 of the optical semiconductor element placement substrate when the reduction of pressure within the pressure reduction chamber is released is a temperature at which the sealing film exhibits a tensile strength of 0.02-0.15 MPa and an elongation at break of 150-450%.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur optique étanchéifié qui permet d'étanchéifier un élément semi-conducteur optique d'une manière simple et hautement fiable à l'aide d'un film d'étanchéité. Le procédé comprend les étapes suivantes : une étape dans laquelle un film d'étanchéité est placé sur un substrat d'élément semi-conducteur optique sur lequel un élément semi-conducteur optique est placé à l'intérieur d'une chambre de réduction de pression et la pression à l'intérieur de la chambre de réduction de pression est réduite ; une étape dans laquelle le film d'étanchéité est chauffé et au moins la périphérie du film d'étanchéité est thermiquement fusionnée à la surface du substrat de placement d'élément semi-conducteur optique ; et une étape dans laquelle la réduction de pression à l'intérieur de la chambre de réduction de pression est relâchée et le substrat de placement d'élément semi-conducteur optique est étanchéifié par le film d'étanchéité. La température T2 du substrat de placement d'élément semi-conducteur optique lorsque la réduction de pression à l'intérieur de la chambre de réduction de pression est relâchée est une température à laquelle le film d'étanchéité présente une résistance à la traction de 0,02 à 0,15 MPa et un allongement à la rupture de 150 à 450 %.
(JA) 封止フィルムを用いて簡便に且つ高い信頼性で光半導体素子を封止できる、封止光半導体デバイスの製造方法を提供する。本方法は、減圧チャンバー内で光半導体素子を搭載する光半導体素子搭載基板上に封止フィルムを載置し、前記減圧チャンバー内を減圧する工程、前記封止フィルムを加熱して、前記封止フィルムの少なくとも周辺部を前記素子搭載基板の表面に熱融着させる工程、及び、前記減圧チャンバー内の減圧を解除して、前記封止フィルムで前記光半導体素子搭載基板を封止する工程を含み、前記減圧チャンバー内の減圧を解除する時点の前記光半導体素子搭載基板の温度Tは、前記封止フィルムが0.02~0.15MPaの引張強度及び150~450%の破断伸度を示す温度である。
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)