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1. (WO2019047092) SURFACE ROUGHENING METHOD FOR LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE
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Pub. No.: WO/2019/047092 International Application No.: PCT/CN2017/100851
Publication Date: 14.03.2019 International Filing Date: 07.09.2017
IPC:
H01L 33/00 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
Applicants:
苏州晶湛半导体有限公司 ENKRIS SEMICONDUCTOR, INC. [CN/CN]; 中国江苏省苏州市 金鸡湖大道99号西北区20幢(NW-20幢)517-A室 Room 517-A Building NW-20, 99 Jinji Lake Avenue, Suzhou Industrial Park Suzhou, Jiangsu 215123, CN
Inventors:
张丽旸 ZHANG, Liyang; CN
程凯 CHENG, Kai; CN
Priority Data:
Title (EN) SURFACE ROUGHENING METHOD FOR LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE RUGOSIFICATION DE SURFACE POUR DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ET DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
(ZH) 发光器件表面粗化的方法与发光器件
Abstract:
(EN) A surface roughening method for a light emitting device and a light emitting device, which relate to the field of semiconductors. The surface roughening method comprises the following steps: preparing on a light emitting structure a first epitaxial layer grown in a three-dimensional island shape (S202b); preparing a discontinuous second epitaxial layer on the first epitaxial layer (S202c). The surface roughening method is simple, and efficiency is increased; further processing may be performed on a surface of an epitaxial layer without requiring the use of additional processes aside from an epitaxial growing process, such as wet etching, photonic crystals, and the like, and the method may be implemented by means of one process in the same reaction device.
(FR) L'invention concerne un procédé de rugosification de surface destiné à un dispositif électroluminescent et un dispositif électroluminescent, qui se rapportent au domaine des semi-conducteurs. Le procédé de rugosification de surface comprend les étapes consistant : à préparer, sur une structure électroluminescente, une première couche épitaxiale développée selon une forme d'îlot tridimensionnel (S202b) ; à préparer une seconde couche épitaxiale discontinue sur la première couche épitaxiale (S202c). Le procédé de rugosification de surface est simple et l'efficacité est augmentée ; un traitement supplémentaire peut être effectué sur une surface d'une couche épitaxiale sans nécessiter l'utilisation de processus supplémentaires à part un processus de croissance épitaxiale, tel que la gravure humide, les cristaux photoniques et analogues, et le procédé peut être mis en œuvre au moyen d'un processus dans le même dispositif de réaction.
(ZH) 一种发光器件表面粗化的方法及发光器件,属于半导体领域。表面粗化的方法包括如下步骤:在发光结构上制备三维岛状生长的第一外延层(S202b);在所述第一外延层上制备不连续的第二外延层(S202c)。该表面粗化方法,方法简便,效率提升,在外延生长工艺之外,无需采用诸如湿法刻蚀、光子晶体等额外的工艺来对外延层表面进行进一步加工,可以在同一反应设备中通过一种工艺就可以实现。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)