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1. (WO2019046665) IMPROVING DEFECT LOCATION ACCURACY USING SHAPE BASED GROUPING GUIDED DEFECT CENTERING
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Pub. No.: WO/2019/046665 International Application No.: PCT/US2018/048992
Publication Date: 07.03.2019 International Filing Date: 31.08.2018
IPC:
H01L 21/66 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
66
Testing or measuring during manufacture or treatment
Applicants:
KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035, US
Inventors:
SARASWATULA, Jagdish Chandra; IN
PLIHAL, Martin; US
Agent:
McANDREWS, Kevin; US
MORRIS, Elizabeth M. N.; US
Priority Data:
15/904,37925.02.2018US
20174103098401.09.2017IN
62/572,78916.10.2017US
Title (EN) IMPROVING DEFECT LOCATION ACCURACY USING SHAPE BASED GROUPING GUIDED DEFECT CENTERING
(FR) AMÉLIORATION DE LA PRÉCISION DE LOCALISATION DE DÉFAUTS À L'AIDE D'UN CENTRAGE DE DÉFAUT GUIDÉ PAR REGROUPEMENT BASÉ SUR LA FORME
Abstract:
(EN) Defect location accuracy can be increased using shape based grouping with pattern-based defect centering. Design based grouping of defects on a wafer can be performed. A spatial distribution of the defects around at least one structure on the wafer, such as a predicted hot spot, can be determined. At least one design based defect property for a location around the structure can be determined. The defects within an x-direction threshold and a y-direction threshold of the structure may be prioritized.
(FR) Selon la présente invention, la précision de localisation de défauts peut être augmentée à l'aide d'un regroupement basé sur la forme avec centrage de défaut basé sur le motif. Un regroupement de défauts sur une tranche basé sur la conception peut être réalisé. Une distribution spatiale des défauts autour d'au moins une structure sur la tranche, telle qu'un point chaud prédit, peut être déterminée. Au moins une propriété de défaut basée sur la conception pour un emplacement autour de la structure peut être déterminée. Les défauts en deçà d'un seuil dans la direction x et d'un seuil dans la direction y de la structure peuvent être classés par ordre de priorité.
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)