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1. (WO2019046084) SECURE ERASE FOR DATA CORRUPTION
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Pub. No.: WO/2019/046084 International Application No.: PCT/US2018/047651
Publication Date: 07.03.2019 International Filing Date: 23.08.2018
IPC:
G11C 16/22 (2006.01) ,G11C 16/16 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
16
Erasable programmable read-only memories
02
electrically programmable
06
Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
22
Safety or protection circuits preventing unauthorised or accidental access to memory cells
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
16
Erasable programmable read-only memories
02
electrically programmable
06
Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
10
Programming or data input circuits
14
Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
16
for erasing blocks, e.g. arrays, words, groups
Applicants:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Inventors:
LUO, Ting; US
TANPAIROJ, Kulachet; US
SINGIDI, Harish Reddy; US
HUANG, Jianmin; US
THOMSON, Preston; US
JEAN, Sebastien Andre; US
Agent:
PERDOK, Monique M.; US
ARORA, Suneel; US
BEEKMAN, Marvin L.; US
BLACK, David W.; US
SCHEER, Bradley W.; US
Priority Data:
15/691,58430.08.2017US
Title (EN) SECURE ERASE FOR DATA CORRUPTION
(FR) EFFACEMENT SÉCURISÉ POUR CORRUPTION DE DONNÉES
Abstract:
(EN) Disclosed in some examples are systems, methods, memory devices, and machine readable mediums for a fast secure data destruction for NAND memory devices that renders data in a memory cell unreadable. Instead of going through all the erase phases, the memory device may remove sensitive data by performing only the pre-programming phase of the erase process. Thus, the NAND doesn't perform the second and third phases of the erase process. This is much faster and results in data that cannot be reconstructed. In some examples, because the erase pulse is not actually applied and because this is simply a programming operation, data may be rendered unreadable at a per-page level rather than a per-block level as in traditional erases.
(FR) Dans certains exemples, l'invention concerne des systèmes, des procédés, des dispositifs de mémoire et des supports lisibles par machine pour une destruction de données sécurisée rapide pour des dispositifs de mémoire NON-ET rendant des données dans une cellule de mémoire illisibles. Au lieu de traverser toutes les phases d'effacement, le dispositif de mémoire peut éliminer des données sensibles en n'effectuant que la phase de pré-programmation du processus d'effacement. Ainsi, le dispositif de mémoire NON-ET n'effectue pas les seconde et troisième phases du processus d'effacement. Ceci est beaucoup plus rapide et se traduit par des données qui ne peuvent pas être reconstruites. Dans certains exemples, étant donné que l'impulsion d'effacement n'est pas réellement appliquée et parce qu'il s'agit simplement d'une opération de programmation, des données peuvent être rendues illisibles par page plutôt que par bloc comme dans des effacements classiques.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)