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1. (WO2019045921) RESPONDING TO POWER LOSS
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Pub. No.: WO/2019/045921 International Application No.: PCT/US2018/043859
Publication Date: 07.03.2019 International Filing Date: 26.07.2018
IPC:
G11C 11/413 (2006.01) ,G11C 5/14 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
11
Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21
using electric elements
34
using semiconductor devices
40
using transistors
41
forming cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
413
Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
5
Details of stores covered by group G11C11/63
14
Power supply arrangements
Applicants:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way MS 525 Boise, Idaho 83716, US
Inventors:
BONITZ, Rainer; DE
Agent:
LEFFERT, Thomas W.; US
PETERSON, Mark A.; US
Priority Data:
15/691,82431.08.2017US
Title (EN) RESPONDING TO POWER LOSS
(FR) RÉPONSE À UNE PERTE DE PUISSANCE
Abstract:
(EN) Methods of operating memory, and apparatus configured to perform similar methods, include obtaining information indicative of a data value stored in a particular memory cell of the memory, programming additional data to the particular memory cell, determining if a power loss to the memory is indicated while programming the additional data to the particular memory cell, and, if a power loss to the memory is indicated, selectively programming one memory cell of a pair of gate-connected non-volatile memory cells responsive to the information indicative of the data value stored in the particular memory cell. A resulting combination of threshold voltages of the one memory cell of the pair of gate-connected non-volatile memory cells and of the other memory cell of the pair of gate-connected non-volatile memory cells is representative of the information indicative of the data value stored in the particular memory cell.
(FR) L'invention concerne des procédés de fonctionnement de mémoire, et un appareil configuré pour effectuer des procédés similaires, qui consistent à obtenir des informations indicatives d'une valeur de données stockée dans une cellule de mémoire particulière de la mémoire, à programmer des données supplémentaires dans la cellule de mémoire particulière, à déterminer si une perte de puissance vers la mémoire est indiquée tout en programmant les données supplémentaires vers la cellule de mémoire particulière, et, si une perte de puissance vers la mémoire est indiquée, à programmer sélectivement une cellule de mémoire d'une paire de cellules de mémoire non volatile connectées à une grille en réponse aux informations indicatives de la valeur de données stockée dans la cellule de mémoire particulière. Une combinaison résultante de tensions de seuil de la cellule de mémoire de la paire de cellules de mémoire non volatile connectées à une grille et de l'autre cellule de mémoire de la paire de cellules de mémoire non volatile connectées à une grille est représentative des informations indicatives de la valeur de données stockée dans la cellule de mémoire particulière.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)