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1. (WO2019045913) DETERMINING DATA STATES OF MEMORY CELLS
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Pub. No.: WO/2019/045913 International Application No.: PCT/US2018/043624
Publication Date: 07.03.2019 International Filing Date: 25.07.2018
IPC:
G11C 16/10 (2006.01) ,G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 16/34 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
16
Erasable programmable read-only memories
02
electrically programmable
06
Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
10
Programming or data input circuits
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
16
Erasable programmable read-only memories
02
electrically programmable
06
Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
26
Sensing or reading circuits; Data output circuits
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
16
Erasable programmable read-only memories
02
electrically programmable
06
Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
34
Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
Applicants:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way MS 525 Boise, Idaho 83716, US
Inventors:
VALI, Tommaso; IT
DE SANTIS, Luca; IT
GHODSI, Ramin; US
Agent:
LEFFERT, Thomas W.; US
PETERSON, Mark A.; US
Priority Data:
15/692,15431.08.2017US
Title (EN) DETERMINING DATA STATES OF MEMORY CELLS
(FR) DÉTERMINATION D'ÉTATS DE DONNÉES DE CELLULES DE MÉMOIRE
Abstract:
(EN) Methods of operating a memory include determining a respective raw data value for each memory cell of a plurality of memory cells; determining the numbers of memory cells of a first subset of the plurality of memory cells having each raw data value as their respective raw data value; determining a respective raw data values representative of transition between each pair of adjacent data states responsive to the determined numbers of memory cells of the first subset of the plurality of memory cells for each raw data value; and determining a respective data state of the plurality of data states for each memory cell of a second subset of the plurality of memory cells responsive to its respective raw data value and to the determined raw data values representative of the transitions between adjacent data states.
(FR) L'invention concerne des procédés de fonctionnement d'une mémoire qui consistent à : déterminer une valeur de données brutes respective pour chaque cellule de mémoire d'une pluralité de cellules de mémoire ; déterminer des nombres de cellules de mémoire d'un premier sous-ensemble de la pluralité de cellules de mémoire comportant chaque valeur de données brutes en tant que valeur de données brutes respective ; déterminer des valeurs de données brutes respectives représentatives d'une transition entre chaque paire d'états de données adjacents en réponse aux nombres déterminés de cellules de mémoire du premier sous-ensemble de la pluralité de cellules de mémoire pour chaque valeur de données brutes ; et déterminer un état de données respectif de la pluralité d'états de données pour chaque cellule de mémoire d'un second sous-ensemble de la pluralité de cellules de mémoire en réponse à sa valeur de données brutes respective et aux valeurs de données brutes déterminées représentatives des transitions entre des états de données adjacents.
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)