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1. (WO2019044355) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
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Pub. No.: WO/2019/044355 International Application No.: PCT/JP2018/029031
Publication Date: 07.03.2019 International Filing Date: 02.08.2018
IPC:
H01S 5/343 (2006.01) ,H01S 5/40 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
30
Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34
comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers (SQW-lasers), multiple quantum well lasers (MQW-lasers), graded index separate confinement heterostructure lasers (GRINSCH-lasers)
343
in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
40
Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02-H01S5/30128
Applicants:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP
Inventors:
能崎 信一郎 NOZAKI, Shinichiro; --
片山 琢磨 KATAYAMA, Takuma; --
Agent:
新居 広守 NII, Hiromori; JP
寺谷 英作 TERATANI, Eisaku; JP
道坂 伸一 MICHISAKA, Shinichi; JP
Priority Data:
2017-16542230.08.2017JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子
Abstract:
(EN) A semiconductor light-emitting element (100) including an n-type clad layer (102) comprising a nitride semiconductor, an active layer (103) disposed above the n-type clad layer (102) and comprising a nitride semiconductor, a p-type clad layer (104) disposed above the active layer (103) and comprising a nitride semiconductor, and a p-side electrode (107) disposed above the p-type clad layer (104), wherein the p-type clad layer contains hydrogen, and the center of the p-type clad layer in a downward region from the p-side electrode has a first concentration of the hydrogen lower than a second concentration of the hydrogen at positions in the downward region further to the external edges than the center.
(FR) Cette invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur (100) comprend une couche de revêtement de type n (102) comprenant un semi-conducteur au nitrure, une couche active (103) disposée au-dessus de la couche de revêtement de type n (102) et comprenant un semi-conducteur au nitrure, une couche de revêtement de type p (104) disposée au-dessus de la couche active (103) et comprenant un semi-conducteur au nitrure, et une électrode côté p (107) disposée au-dessus de la couche de revêtement de type p (104), la couche de revêtement de type p contenant de l'hydrogène, et le centre de la couche de revêtement de type p dans une région vers le bas par rapport à l'électrode côté p a une première concentration en hydrogène inférieure à une seconde concentration en hydrogène à des positions dans la région vers le bas plus proches des bords externes que du centre.
(JA) 半導体発光素子(100)は、窒化物半導体からなるn型クラッド層(102)と、n型クラッド層(102)の上方に配置され、窒化物半導体からなる活性層(103)と、活性層(103)の上方に配置され、窒化物半導体からなるp型クラッド層(104)と、p型クラッド層(104)の上方に配置されるp側電極(107)と、を備え、前記p型クラッド層は、水素を含有し、前記p側電極の下方領域における前記p型クラッド層の中央での前記水素の第1濃度は、前記下方領域における前記中央より外縁側の位置での前記水素の第2濃度より低い。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)