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1. (WO2019044334) SUBSTRATE TREATMENT METHOD AND SUBSTRATE TREATMENT DEVICE
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Pub. No.: WO/2019/044334 International Application No.: PCT/JP2018/028678
Publication Date: 07.03.2019 International Filing Date: 31.07.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18
the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30
Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20-H01L21/26142
302
to change the physical characteristics of their surfaces, or to change their shape, e.g. etching, polishing, cutting
304
Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Applicants:
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る四丁目天神北町1番地の1 1-1, Tenjinkita-machi, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
Inventors:
大澤 瑞樹 OSAWA, Mizuki; JP
戎居 博志 EBISUI, Hiroshi; JP
Agent:
特許業務法人あい特許事務所 AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS; 大阪府大阪市中央区南本町二丁目6番12号 サンマリオンNBFタワー21階 Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054, JP
Priority Data:
2017-16353828.08.2017JP
Title (EN) SUBSTRATE TREATMENT METHOD AND SUBSTRATE TREATMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法および基板処理装置
Abstract:
(EN) This substrate treatment method comprises: a substrate rotating step of rotating a horizontally held substrate around a rotation axis line extending in a vertical direction; a facing member positioning step of positioning a facing member which faces the substrate from above and comprises an extending section having an inner peripheral surface enclosing the substrate in plan view, said facing member being positioned at a position at which the inner peripheral surface of the extending section faces the substrate outwardly in a radial direction centered on the rotation axis line; a facing member rotating step of rotating the facing member around the rotation axis line; a treatment solution supply step of supplying a treatment solution to the upper surface of the substrate in the rotating state; and a guard positioning step of positioning a guard which encloses the substrate radially outward of the extending section in plan view, said guard being positioned at a height position for receiving the treatment solution scattering from the upper surface of the substrate and outward in the radial direction according to the affinity of the treatment solution for the inner peripheral surface of the extending section.
(FR) L'invention concerne un procédé de traitement de substrat comprenant : une étape de rotation de substrat consistant à faire tourner un substrat maintenu horizontalement autour d'une ligne d'axe de rotation s'étendant dans une direction verticale ; une étape de mise en place d'élément de face consistant à mettre en place un élément de face qui fait face au substrat par le dessus et qui comprend une section d'extension ayant une surface périphérique intérieure entourant le substrat dans une vue en plan, ledit élément de face étant placé à une position au niveau de laquelle la surface périphérique intérieure de la section d'extension fait face au substrat vers l'extérieur dans une direction radiale centrée sur la ligne d'axe de rotation ; une étape de rotation d'élément de face consistant à faire tourner l'élément de face autour de la ligne d'axe de rotation ; une étape d'alimentation en solution de traitement consistant à fournir une solution de traitement à la surface supérieure du substrat en état de rotation ; et une étape de mise en place de protection consistant à mettre en place une protection qui entoure le substrat radialement vers l'extérieur de la section d'extension dans une vue en plan, ladite protection étant placée à une position en hauteur pour recevoir la solution de traitement dispersée depuis la surface supérieure du substrat et vers l'extérieur dans la direction radiale en fonction de l'affinité de la solution de traitement pour la surface périphérique intérieure de la section d'extension.
(JA) 基板処理方法は、水平に基板を保持された基板を鉛直方向に延びる回転軸線まわりに回転させる基板回転工程と、平面視で前記基板を取り囲む内周面を有する延設部を含み、上方から前記基板に対向する対向部材を、前記延設部の内周面が前記回転軸線を中心とした径方向の外方から前記基板に対向する位置に配置する対向部材配置工程と、前記回転軸線まわりに前記対向部材を回転させる対向部材回転工程と、回転状態の前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給工程と、前記延設部の内周面に対する前記処理液の親和性に応じて、前記径方向の外方に向けて前記基板の上面から飛散する前記処理液が受けられる高さ位置に、平面視で前記延設部よりも前記径方向の外方で前記基板を取り囲むガードを配置するガード配置工程とを含む。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)