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1. (WO2019044247) SOLID STATE IMAGING DEVICE
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Pub. No.: WO/2019/044247 International Application No.: PCT/JP2018/027114
Publication Date: 07.03.2019 International Filing Date: 19.07.2018
IPC:
H04N 5/372 (2011.01) ,H01L 27/148 (2006.01) ,H04N 5/3728 (2011.01)
H ELECTRICITY
04
ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
N
PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5
Details of television systems
30
Transforming light or analogous information into electric information
335
using solid-state image sensors [SSIS]
369
SSIS architecture; Circuitry associated therewith
372
Charge-coupled device [CCD] sensors; Time delay and integration [TDI] registers or shift registers specially adapted for SSIS
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27
Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14
including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144
Devices controlled by radiation
146
Imager structures
148
Charge coupled imagers
H ELECTRICITY
04
ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
N
PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5
Details of television systems
30
Transforming light or analogous information into electric information
335
using solid-state image sensors [SSIS]
369
SSIS architecture; Circuitry associated therewith
372
Charge-coupled device [CCD] sensors; Time delay and integration [TDI] registers or shift registers specially adapted for SSIS
3728
using interline transfer [IT]
Applicants:
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
Inventors:
▲高▼木 慎一郎 TAKAGI Shin-ichiro; JP
米田 康人 YONETA Yasuhito; JP
村松 雅治 MURAMATSU Masaharu; JP
Agent:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
Priority Data:
2017-16946904.09.2017JP
Title (EN) SOLID STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像装置
Abstract:
(EN) A first region includes a plurality of first transfer row regions lined up in a first direction. A second region includes a plurality of second transfer row regions lined up in the first direction. The second region is positioned downstream from the first region in a charge transfer direction in a second transfer section. The lengths of the plurality of first transfer row regions in a second direction are identical. The lengths of the plurality of second transfer row regions in the second direction are greater than the lengths of the first transfer row regions and are as large as the second transfer row regions positioned on the downstream side in the charge transfer direction. A third region is arranged corresponding to the first region and extends in the first direction. A fourth region is arranged corresponding to the second region and the interval between same and a pixel region in the second direction extends so as to increase in the charge transfer direction in accordance with change in the length of the plurality of second transfer row regions.
(FR) Une première région comprend une pluralité de premières régions de rangée de transfert alignées dans une première direction. Une seconde région comprend une pluralité de secondes régions de rangée de transfert alignées dans la première direction. La seconde région est positionnée en aval de la première région dans une direction de transfert de charge dans une seconde section de transfert. Les longueurs de la pluralité de premières régions de rangée de transfert dans une seconde direction sont identiques. Les longueurs de la pluralité de secondes régions de rangée de transfert dans la seconde direction sont supérieures aux longueurs des premières régions de rangée de transfert et sont aussi grandes que les secondes régions de rangée de transfert positionnées sur le côté aval dans la direction de transfert de charge. Une troisième région est agencée de façon à correspondre à la première région et s'étend dans la première direction. Une quatrième région est agencée de façon à correspondre à la seconde région et l'intervalle entre celle-ci et une région de pixel dans la seconde direction s'étend de façon à augmenter dans la direction de transfert de charge conformément à un changement de la longueur de la pluralité de secondes régions de rangée de transfert.
(JA) 第一領域は、第一方向に並んでいる複数の第一転送列領域を含んでいる。第二領域は、第一方向に並んでいる複数の第二転送列領域を含んでいる。第二領域は、第二転送部での電荷転送方向で第一領域の下流に位置している。複数の第一転送列領域の第二方向での長さは、同じである。複数の第二転送列領域の第二方向での長さは、第一転送列領域の長さより大きく、かつ、電荷転送方向で下流側に位置する第二転送列領域ほど大きい。第三領域は、第一領域に対応して配置されていると共に、第一方向に沿って延在している。第四領域は、第二領域に対応して配置されていると共に、第二方向での画素領域との間隔が複数の第二転送列領域の長さの変化に対応して電荷転送方向で大きくなるように延在している。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)