Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2019043761) INFLEXIBLE SUBSTRATE PROVIDED WITH DISPLAY ELEMENT, AND FLEXIBLE DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD
Document

明 細 書

発明の名称 表示素子を備えた非可撓性基板及び可撓性表示装置の製造方法

技術分野

0001  

背景技術

0002   0003   0004   0005  

先行技術文献

特許文献

0006  

発明の概要

発明が解決しようとする課題

0007   0008   0009   0010   0011   0012  

課題を解決するための手段

0013   0014   0015   0016  

発明の効果

0017  

図面の簡単な説明

0018  

発明を実施するための形態

0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048   0049   0050   0051   0052   0053   0054   0055   0056   0057   0058   0059   0060   0061   0062   0063   0064   0065   0066   0067   0068   0069   0070   0071   0072   0073   0074   0075   0076   0077   0078   0079   0080   0081   0082   0083   0084   0085   0086   0087   0088   0089   0090   0091   0092   0093   0094   0095   0096   0097   0098   0099   0100   0101   0102   0103   0104   0105   0106   0107   0108   0109   0110   0111   0112   0113   0114   0115   0116   0117   0118   0119   0120   0121   0122   0123   0124   0125   0126   0127   0128   0129   0130   0131   0132   0133   0134   0135   0136   0137   0138   0139   0140   0141   0142   0143   0144   0145   0146   0147   0148   0149   0150   0151   0152   0153   0154   0155   0156   0157   0158   0159   0160   0161   0162   0163   0164   0165   0166   0167   0168   0169   0170   0171   0172   0173   0174  

産業上の利用可能性

0175  

符号の説明

0176  

請求の範囲

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19  

図面

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11  

明 細 書

発明の名称 : 表示素子を備えた非可撓性基板及び可撓性表示装置の製造方法

技術分野

[0001]
 本発明は、表示素子を備えた非可撓性基板及び可撓性表示装置の製造方法に関するものである。

背景技術

[0002]
 近年、さまざまなフラットパネルディスプレイが開発されており、特に、OLED(Organic Light Emitting Diode:有機発光ダイオード)を備えた有機EL(Electro Luminescence:エレクトロルミネッセンス)表示装置及び無機発光ダイオードを備えた無機EL表示装置等のEL表示装置等は、高画質化及び低消費電力化を実現できることから高い注目を浴びている。
[0003]
 そして、このようなEL表示装置や反射型の液晶表示素子を備えた表示装置などのように、バックライトを備える必要がない表示装置については、自由に曲げることができるように、フレキシブル表示装置化への要求が高い。
[0004]
 信頼性の高いフレキシブル表示装置(可撓性表示装置)を実現するためには、フレキシブル表示装置の製造工程において必須工程として含まれる高温工程である、アクティブ素子(例えば、TFT素子)の形成工程などは、高耐熱性及び非可撓性基板である例えば、ガラス基板上で行い、その後、このガラス基板を剥離し、可撓性を確保する方法が一般的に用いられている。
[0005]
 特許文献1には、Laser Lift Off工程(LLO工程ともいう)を含むフレキシブル表示装置の製造方法について記載されている。

先行技術文献

特許文献

[0006]
特許文献1 : 国際公開公報「WO2015/008642」公報(2015年01月22日公開)

発明の概要

発明が解決しようとする課題

[0007]
 このようなLLO工程を含むフレキシブル表示装置の製造方法においても、生産性を向上するという観点から大型のガラス基板(マザーガラス基板ともいう)に対してLLO工程を行う必要がある。
[0008]
 LLO工程においては、大型のガラス基板(非可撓性基板)の一方側の面上に、例えば、ポリイミド樹脂からなるPI層を形成する必要があるが、この際には、スリットコータを用いてPI層を塗布するのが一般的である。なお、必要に応じて、熱吸収層を形成した後、この熱吸収層上に、ポリイミド樹脂からなるPI層を形成してもよい。
[0009]
 しかしながら、スリットコータを用いて大型のガラス基板上に形成したPI層の場合、塗布するポリイミド樹脂の粘度などにより、その程度に差は生じるが、スリットコータの塗布開始端、スリットコータの塗布終了端、スリットコータの移動方向の右端及びスリットコータの移動方向の左端において、PI層の他の部分より膜厚が薄い領域が形成されてしまう。
[0010]
 このようなPI層の膜厚が薄い領域、すなわち、大型のガラス基板の4辺の端部領域においては、LLO工程に含まれる、大型のガラス基板側からレーザー光を照射することで、PI層と大型のガラス基板との界面でアブレーションを起こし、大型のガラス基板をPI層から剥離する工程(デラミネーション工程ともいう)において、剥離不具合が生じるという問題がある。
[0011]
 このデラミネーション工程は、フレキシブル表示装置の製造工程中、比較的最後の方に近い工程であるため、このデラミネーション工程において、剥離不具合が生じると、歩留まりの低下のみでなく、製造コストも大幅に上がってしまう。
[0012]
 本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、歩留まりが高い表示素子を備えた非可撓性基板と、LLO工程に含まれる、大型のガラス基板を、例えば、ポリイミド樹脂からなるPI層から剥離する工程(デラミネーション工程)において、剥離不具合が生じるのを抑制させた可撓性表示装置の製造方法と、を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0013]
 本発明の可撓性表示装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、非可撓性基板の一方側の面上に、第1樹脂層を形成する工程を含む可撓性表示装置の製造方法であって、上記第1樹脂層の中央領域を囲む上下左右の4つの領域からなる上記第1樹脂層の端部領域における膜厚が、上記第1樹脂層の中央領域における膜厚より薄くなるように、上記第1樹脂層を形成する第1工程と、上記第1樹脂層上に、1層以上の無機膜を形成する第2工程と、上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域中の少なくとも一つにおいて、上記1層以上の無機膜の少なくとも一部を除去することによって、上記第1樹脂層を露出させる第3工程と、上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域中、上記第1樹脂層を露出させた領域において、第2樹脂層を、上記第1樹脂層上に形成する第4工程と、上記非可撓性基板側からレーザー光を照射して、上記非可撓性基板を剥離する第5工程と、上記非可撓性基板を剥離した面に可撓性基板を貼り付ける第6工程と、を含むことを特徴としている。
[0014]
 上記方法によれば、上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域中の少なくとも一つにおいて、上記第2樹脂層を、上記第1樹脂層上に形成しているので、膜厚が薄く形成された上記第1樹脂層においても、LLO工程に含まれる、大型のガラス基板を上記第1樹脂層から剥離する工程(デラミネーション工程)において、剥離不具合が生じるのを抑制した可撓性表示装置を実現できる。
[0015]
 本発明の可撓性表示装置は、上記の課題を解決するために、一方側の面上に表示素子を備えた非可撓性基板であって、上記一方側の面上であって、上記表示素子より下層には、第1樹脂層が形成されており、上記第1樹脂層の中央領域を囲む上下左右の4つの領域からなる上記第1樹脂層の端部領域における膜厚は、上記第1樹脂層の中央領域における膜厚より薄く、上記第1樹脂層上には、1層以上の無機膜が形成されており、上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域中の少なくとも一つにおいて、上記1層以上の無機膜から露出する上記第1樹脂層を覆う第2樹脂層が形成されていることを特徴としている。
[0016]
 上記構成によれば、上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域中の少なくとも一つにおいて、上記1層以上の無機膜から露出する上記第1樹脂層を覆う第2樹脂層が形成されているので、膜厚が薄く形成された上記第1樹脂層においても、LLO工程に含まれる、大型のガラス基板を上記第1樹脂層から剥離する工程(デラミネーション工程)において、剥離不具合が生じるのを抑制でき、歩留まりが高い表示素子を備えた非可撓性基板を実現できる。

発明の効果

[0017]
 本発明の一態様によれば、歩留まりが高い表示素子を備えた非可撓性基板と、LLO工程に含まれる、大型のガラス基板をポリイミド樹脂からなるPI層から剥離する工程(デラミネーション工程)において、剥離不具合が生じるのを抑制させた可撓性表示装置の製造方法と、を提供できる。

図面の簡単な説明

[0018]
[図1] ガラス基板の各PI塗布端部からの距離による下地PI層の膜厚の変化を示す図である。
[図2] 図1において用いられたガラス基板の各端部を示す図である。
[図3] 図1において用いられたガラス基板の各端部において、下地PI層が薄く形成された模様を示す図である。
[図4] 下地PI層が形成されたガラス基板の一部を示す図である。
[図5] 折り曲げ領域(BA)を有するフレキシブル有機EL表示装置の製造工程を説明するための図である。
[図6] 図5に図示したフレキシブル有機EL表示装置の端子部の製造工程の一例を説明するための図である。
[図7] フレキシブル有機EL表示装置の製造工程に含まれるLaser Lift Off工程(LLO工程ともいう)を説明するための図である。
[図8] 実施形態2のフレキシブル有機EL表示装置の製造工程及び概略構成を説明するための図である。
[図9] 実施形態3のフレキシブル有機EL表示装置の製造工程及び概略構成を説明するための図である。
[図10] 実施形態4のフレキシブル有機EL表示装置の製造工程及び概略構成を説明するための図である。
[図11] 実施形態5のフレキシブル有機EL表示装置の製造工程及び概略構成を説明するための図である。

発明を実施するための形態

[0019]
 本発明の実施の形態について図1から図11に基づいて説明すれば、次の通りである。以下、説明の便宜上、特定の実施形態にて説明した構成と同一の機能を有する構成については、同一の符号を付記し、その説明を省略する場合がある。
[0020]
 なお、以下の各実施形態においては、表示素子(光学素子)の一例として、有機EL(Electro luminescence)素子を例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、例えば、電圧によって輝度や透過率が制御され、バックライトを必要としない、反射型の液晶表示素子などであってもよい。
[0021]
 上記表示素子(光学素子)は、電流によって輝度や透過率が制御される光学素子であってもよく、電流制御の光学素子としては、OLED(Organic Light Emitting Diode:有機発光ダイオード)を備えた有機EL(Electro Luminescence:エレクトロルミネッセンス)ディスプレイ、又は無機発光ダイオードを備えた無機ELディスプレイ等のELディスプレイ、QLED(Quantum dot Light Emitting Diode:量子ドット発光ダイオード)を備えたQLEDディスプレイ等がある。
[0022]
 〔実施形態1〕
 図1から図7に基づき、本発明の実施形態1について説明する。
[0023]
 図1は、第1ポリイミド樹脂層(第1樹脂層)である下地PI層2の高耐熱性及び非可撓性基板である大型のガラス基板1の各PI塗布端部からの距離による膜厚の変化を示す図である。
[0024]
 図2は、ガラス基板1の各端部を示す図である。
[0025]
 図3は、ガラス基板1の各端部において、下地PI層2が薄く形成された模様を示す図である。
[0026]
 図4は、下地PI層2が形成され、かつ、表示領域(AA)、折り曲げ領域(BA)及び端子領域(TA)を備えた複数の有機EL表示装置1uを含む大型のガラス基板1(マザーガラス基板)の一部を示す図である。
[0027]
 図2に図示しているように、ガラス基板1上に下地PI層2を、図中の左方向から右方向にスリットコータを移動させながら塗布すると、図中の左端部が塗布開始端となり、図中の右端部が塗布終了端となり、図中の上端部がスリットコータ移動方向の左端となり、図中の下端部がスリットコータ移動方向の右端となる。
[0028]
 図1に図示しているように、塗布開始端においては、図2の矢印Aの位置に対応する塗布開始端の中央部分(A)と、図2の矢印Eの位置に対応する塗布開始端の左端部分(E)と、図2の矢印Fの位置に対応する塗布開始端の右端部分(F)とにおいての下地PI層2の膜厚変化を示しており、塗布終了端においては、図2の矢印Bの位置に対応する塗布終了端の中央部分(B)においての下地PI層2の膜厚変化を示しており、スリットコータ移動方向の左端においては、図2の矢印Cの位置に対応するスリットコータ移動方向の左端の中央部分(C)においての下地PI層2の膜厚変化を示しており、スリットコータ移動方向の右端においては、図2の矢印Dの位置に対応するスリットコータ移動方向の右端の中央部分(D)においての下地PI層2の膜厚変化を示している。
[0029]
 ガラス基板1上に形成する下地PI層2の目標膜厚を、例えば20μmとし、その許容可能最大膜厚を23μm、その許容可能最小膜厚を17μmとした場合、ガラス基板1の各PI塗布端から6.5mm(6500μm)以上離れた領域において、下地PI層2の膜厚が上記許容可能膜厚範囲内に収まることがわかる。
[0030]
 一方、図1に図示されているように、ガラス基板1の各PI塗布端から1.0mm(1000μm)以内の領域においては、下地PI層2の膜厚が、許容可能最小膜厚17μm未満であり、かつ、ガラス基板1の中央部分から端部に行く程、その膜厚が薄くなる傾斜形状に形成されている。
[0031]
 図3の(a)は、ガラス基板1の塗布開始端から1.0mm以内の領域に形成された下地PI層2を示す図であり、図3の(b)は、ガラス基板1の塗布終了端から1.0mm以内の領域に形成された下地PI層2を示す図である。
[0032]
 ガラス基板1の各PI塗布端から1.0mm以内の領域、例えば、図3の(a)及び図3の(b)に図示した形状の下地PI層2が形成された部分においては、LLO工程に含まれ、大型のガラス基板1側からレーザー光を照射することで、下地PI層2と大型のガラス基板1との界面でアブレーションを起こし、大型のガラス基板1を下地PI層2から剥離する工程(デラミネーション工程ともいう)において、剥離不具合が生じるという問題がある。
[0033]
 このデラミネーション工程は、フレキシブル有機EL表示装置の製造工程中、比較的最後の方に近い工程であるため、このデラミネーション工程において、剥離不具合が生じると、歩留まりの低下のみでなく、製造コストも大幅に上がってしまう。
[0034]
 本実施形態においては、ガラス基板1の各PI塗布端から1.0mm以内の領域において、剥離不具合が生じる場合を一例に挙げて説明したが、ガラス基板1の各PI塗布端からどの程度の距離離れた領域までにおいて、剥離不具合が生じるかは、下地PI層2を形成する材料の粘度などによって変わる。
[0035]
 下地PI層2を形成する材料の粘度が比較的高い場合には、剥離不具合が生じる領域が狭くなる傾向にあり、下地PI層2を形成する材料の粘度が比較的低い場合には、剥離不具合が生じる領域が広くなる傾向にある。
[0036]
 なお、本実施形態においては、ガラス基板1上に直接、下地PI層2を形成した場合を一例に挙げて説明したが、必要に応じて、ガラス基板1上に熱吸収層(図示せず)を形成した後、この熱吸収層上に、下地PI層2を形成してもよい。
[0037]
 図4に図示しているように、複数の有機EL表示装置1uを含む大型のガラス基板1における下地PI層2の端から例えば、1.0mm以内の領域は、下地PI層2の膜厚が、外側に行く程、徐々に薄くなる傾斜形状に形成された下地PI層2の端部領域(ER)となる。
[0038]
 図示されているように、下地PI層2の枠状の端部領域(ER)は、右側PI層傾斜領域(RPA)と、上側PI層傾斜領域(UPA)と、下側PI層傾斜領域(LPA)と、図示していない左側PI層傾斜領域とからなる。
[0039]
 そして、下地PI層2の枠状の端部領域(ER)の内側が、下地PI層2の中央領域(CR)であり、下地PI層2の中央領域(CR)においては、下地PI層2の膜厚は所定範囲内で略均一に形成されている。
[0040]
 したがって、この下地PI層2の中央領域(CR)を利用して、有機EL表示装置1uに含まれる表示領域(AA)、折り曲げ領域(BA)及び端子領域(TA)などが形成されることとなる。
[0041]
 以下、図5から図7に基づいて、ガラス基板1の各PI塗布端から所定距離以内の領域において、下地PI層2が、許容可能最小膜厚未満で形成されたガラス基板1を用いても、LLO工程に含まれる、ガラス基板1を下地PI層2から剥離する工程(デラミネーション工程)において、剥離不具合が生じるのを抑制でき、歩留まりが高いフレキシブル有機EL表示装置を製造できる理由について説明する。
[0042]
 なお、本実施形態においては、下地PI層2の枠状の端部領域(ER)である右側PI層傾斜領域(RPA)、上側PI層傾斜領域(UPA)、下側PI層傾斜領域(LPA)及び図示していない左側PI層傾斜領域中、下地PI層2の右側PI層傾斜領域(RPA)においてのみその露出部分が感光性PI層10によって覆われるようにしたが、これに限定されることはなく、右側PI層傾斜領域(RPA)、上側PI層傾斜領域(UPA)、下側PI層傾斜領域(LPA)及び図示していない左側PI層傾斜領域中の一つの領域、二つの領域または、三つの領域において、その露出部分が感光性PI層10によって覆われるようにしてもよく、全ての領域(四つの領域)において、その露出部分が感光性PI層10によって覆われるようにすることがより好ましい。
[0043]
 図5は、折り曲げ領域(BA)を有するフレキシブル有機EL表示装置の製造工程を説明するための図である。
[0044]
 図5の(a)から図5の(c)に図示されているように、フレキシブル有機EL表示装置の非表示領域は、折り曲げ領域(BA)と端子領域(TA)と右側PI層傾斜領域(RPA)とを含み、表示領域(AA)の周辺には、表示領域(AA)と隣接する折り曲げ領域(BA)と、折り曲げ領域(BA)より外側の端子領域(TA)と、端子領域(TA)より外側の右側PI層傾斜領域(RPA)とが備えられている。
[0045]
 なお、右側PI層傾斜領域(RPA)は、図4に図示したように、ガラス基板1上に形成される下地PI層2の膜厚が、表示領域(AA)、折り曲げ領域(BA)及び端子領域(TA)より薄く形成された領域である。
[0046]
 図5の(a)に図示されているように、先ず、スリットコータ(図示せず)を用いて、非可撓性基板としてのガラス基板1上に下地PI層2を塗布した(S1工程)。
[0047]
 下地PI層2は、表示領域(AA)と折り曲げ領域(BA)と端子領域(TA)とにおいての膜厚より右側PI層傾斜領域(RPA)の膜厚が薄く形成されているとともに、右側PI層傾斜領域(RPA)においては、端子領域(TA)から近い方から端子領域(TA)から遠い方に行く程、膜厚が薄くなるように形成されている。
[0048]
 本実施形態においては、後工程に含まれる高温工程と、後工程においてレーザー光を通すこととを考慮し、高耐熱性を有するガラス基板1を用いる場合を一例に挙げて説明するが、後工程に含まれる高温工程に耐えることができ、かつ、後工程においてレーザー光を通すことができるのであれば、ガラス基板に限定されることはない。
[0049]
 次に、図5の(a)に図示されているように、下地PI層2上に防湿層3(バリア層ともいう)を形成した(S2工程)。
[0050]
 防湿層3は、フレキシブル有機EL表示装置の使用時に、水分や不純物が、アクティブ素子や表示素子に到達することを防ぐ層であり、例えば、CVDにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
[0051]
 そして、図示してないが、表示領域(AA)において、防湿層3上に半導体層を所定形状に形成し(S3工程)、その後、図5の(a)に図示されているように、防湿層3及び上記半導体層を覆う第1絶縁層としてのゲート絶縁層5を、表示領域(AA)と折り曲げ領域(BA)と端子領域(TA)と右側PI層傾斜領域(RPA)とに形成した(S4工程)。
[0052]
 ゲート絶縁層5は、例えば、CVD法によって形成された、酸化シリコン(SiOx)膜あるいは窒化シリコン(SiNx)膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。
[0053]
 それから、図示してないが、表示領域(AA)において、ゲート絶縁層5上に、ゲート電極と容量電極とを所定形状に形成し(S5工程)、その後、ゲート絶縁層5、ゲート電極、容量電極及びゲート電極引き伸ばし配線6cを覆う第2絶縁層7を、表示領域(AA)と折り曲げ領域(BA)と端子領域(TA)と右側PI層傾斜領域(RPA)とに形成した(S6工程)。
[0054]
 第2絶縁層7は、キャパシタ(容量素子)形成用の絶縁膜層であり、例えば、CVD法によって形成された、窒化シリコン(SiNx)膜であってもよい。
[0055]
 次に、図示してないが、表示領域(AA)において、第2絶縁層7上に容量電極と平面視において重なる容量対向電極を所定形状に形成し(S7工程))、その後、第2絶縁層7と上記容量対向電極とを覆う第3絶縁層9を、表示領域(AA)と折り曲げ領域(BA)と端子領域(TA)と右側PI層傾斜領域(RPA)とに形成した(S8工程)。
[0056]
 第3絶縁層9は、例えば、CVD法によって形成された、酸化シリコン(SiOx)膜あるいは窒化シリコン(SiNx)膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。
[0057]
 次に、図5の(a)及び図5の(b)に図示されているように、所定部分に開口を有するレジスト16をマスクとして、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9を除去して、折り曲げホール(BH)を形成し、折り曲げ領域(BA)を形成するとともに、下地PI層2の右側PI層傾斜領域(RPA)において、その膜厚がより薄い領域が露出するように、所定部分に開口を有するレジスト16をマスクとして、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9を除去して、下地PI層2の露出ホール(PH)を形成した(S9工程)。
[0058]
 なお、折り曲げホール(BH)は、フレキシブル有機EL表示装置の折り曲げ領域(BA)での180度折り曲げや曲げやすさなどを考慮すると、無機膜からなる積層膜全体を除去して形成することが好ましいが、無機膜からなる積層膜中、上側の1つ以上の膜のみを除去して形成してもよい。
[0059]
 また、本実施形態においては、ドライエッチングを行い、折り曲げホール(BH)と、下地PI層2の露出ホール(PH)とを形成したが、これに限定されることはない。
[0060]
 次に、図5の(c)に図示されているように、第2ポリイミド樹脂層(第2樹脂層)としての感光性PI層10が、下地PI層2の上記露出部分、すなわち、下地PI層2上において、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9を除去して、下地PI層2の露出ホール(PH)を形成した部分を覆い、下地PI層2の右側PI層傾斜領域(RPA)において、その膜厚がより薄い領域が感光性PI層10によって覆われるようにした(S10工程)。
[0061]
 なお、右側PI層傾斜領域(RPA)における下地PI層2と感光性PI層10とを合わせた膜厚が、表示領域(AA)と折り曲げ領域(BA)と端子領域(TA)とにおける下地PI層2の膜厚以上となるように、感光性PI層10を所定以上の膜厚で形成することが好ましい。
[0062]
 本実施形態においては、感光性PI層10を所定以上の膜厚で形成するため、図5の(c)に図示されているように、感光性PI層10の右端のように、露光及び現像工程によって、膜厚が薄く形成された感光性PI層10は除去している。
[0063]
 さらに、本実施形態においては、感光性PI層10を用いて、折り曲げ領域(BA)の折り曲げホール(BH)を埋めている。
[0064]
 感光性PI層10は、感光性材料を含むポリイミド樹脂であり、ポジ型であってもネガ型であってもよい。
[0065]
 また、本実施形態においては、第2ポリイミド樹脂層として感光性PI層10を用いているが、これに限定されることはなく、第2ポリイミド樹脂層は、感光性材料を含まないポリイミド樹脂であってもよく、このような場合には、図5の(c)に図示されているような感光性PI層10の右端の形状は、感光性材料を含まないポリイミド樹脂上に形成された所定パターンのレジスト膜をマスクとして、ドライエッチングを行い形成することができる。
[0066]
 図6は、図5に図示したフレキシブル有機EL表示装置の端子部の製造工程の一例を説明するための図である。
[0067]
 図5の(c)及び図6に図示されているように、第2絶縁層7及び第3絶縁層9にコンタクトホール(CH)を形成した後、コンタクトホール(CH)を介して、ゲート電極引き伸ばし配線6cと接触する引き回し配線11dを所定形状で形成した。
[0068]
 そして、第3絶縁層9、感光性PI層10及び引き回し配線11dを覆うように平坦化層としての感光性平坦化層12を、表示領域(AA)と折り曲げ領域(BA)と端子領域(TA)とに形成した。
[0069]
 感光性平坦化層12には、引き回し配線11dと平面視において重なる開口12aが設けられており、この開口12aを介して、引き回し配線11dが露出している部分が端子部である。
[0070]
 なお、本実施形態においては、図6に図示した構成の端子部を採用したが、これに限定されることはなく、図6に図示した構成以外の端子部を採用することができるのは言うまでもない。
[0071]
 本実施形態においては、感光性平坦化層12を、表示領域(AA)と折り曲げ領域(BA)と端子領域(TA)とに設けている場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、感光性平坦化層12を、表示領域(AA)と折り曲げ領域(BA)と端子領域(TA)と右側PI層傾斜領域(RPA)とに設けてもよい。
[0072]
 なお、本実施形態においては、水分や不純物の浸透をより効果的に防ぐことができる点を考慮し、感光性平坦化層12として、感光性材料を含むポリイミド樹脂を用いたがこれに限定されることはなく、感光性材料を含むアクリル樹脂であってもよい。
[0073]
 なお、感光性平坦化層12は、ポジ型であってもネガ型であってもよいが、本実施形態においては、露光された部分に開口が形成されるポジ型を用いた。
[0074]
 また、本実施形態においては、平坦化層として感光性平坦化層12を用いているが、平坦化層は、感光性材料を含まないポリイミド樹脂やアクリル樹脂であってもよく、このような場合には、開口は、感光性材料を含まないポリイミド樹脂やアクリル樹脂上に形成された所定パターンのレジスト膜をマスクとして、ドライエッチングなどで形成することができる。
[0075]
 図7は、フレキシブル有機EL表示装置の製造工程に含まれるLaser Lift Off工程(LLO工程ともいう)を説明するための図である。
[0076]
 なお、図7においては、フレキシブル有機EL表示装置において、防湿層3より上層であって、表示素子14に含まれる図示していない第1電極より下層である積層膜は、積層膜17として図示している。
[0077]
 積層膜17上には、複数の赤色発光有機EL素子14R、複数の緑色発光有機EL素子14G及び複数の青色発光有機EL素子14Bが形成されており、複数の赤色発光有機EL素子14R、複数の緑色発光有機EL素子14G及び複数の青色発光有機EL素子14Bを覆うように封止膜15が形成されている。
[0078]
 また、図示してないが、第1電極の各々の端部を取り囲むように、エッジカバーが形成されている。
[0079]
 赤色発光有機EL素子14R、緑色発光有機EL素子14G及び青色発光有機EL素子14Bの各々は、例えば、図示してないが、第1電極、正孔注入層、正孔輸送層、各色の発光層、電子輸送層、電子注入層及び第2電極の積層体である。
[0080]
 封止膜15は、赤色発光有機EL素子14R、緑色発光有機EL素子14G及び青色発光有機EL素子14Bを覆い、水、酸素等の異物の浸透を防ぐ。封止膜15は、第1無機封止膜と、第1無機封止膜よりも上層に形成され、バッファ膜として機能する有機封止膜と、第1無機封止膜及び有機封止膜を覆う第2無機封止膜とを含んでいてもよい。
[0081]
 第1無機封止膜及び第2無機封止膜はそれぞれ、例えば、マスクを用いたCVDにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜は、第1無機封止膜及び第2無機封止膜よりも厚い、透光性の有機絶縁膜であり、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。例えば、このような有機材料を含むインクを第1無機封止膜上にインクジェット塗布した後、UV照射により硬化させてもよい。
[0082]
 なお、上記エッジカバーは、ポリイミドやアクリル等で形成することができる。
[0083]
 図7の(a)に図示されているように、非可撓性基板であるガラス基板1側からレーザー光を照射し、下地PI層2とガラス基板1との界面でアブレーションを起こした。
[0084]
 それから、図7の(b)に図示されているように、ガラス基板1を下地PI層2から剥離した。
[0085]
 最後に、図7の(c)に図示されているように、可撓性基板であるフィルム基板19の一方側の面19aに設けられえた接着層(図示せず)を介して、フィルム基板19を下地PI層2に貼り付けて、フレキシブル有機EL表示装置30を完成した。
[0086]
 以上のように、フレキシブル有機EL表示装置30によれば、図6に図示されているように、感光性PI層10が、下地PI層2の右側PI層傾斜領域(RPA)において、その膜厚がより薄い領域を覆うように形成されているので、右側PI層傾斜領域(RPA)において、膜厚が薄く形成された下地PI層2においても、LLO工程に含まれる、図7の(b)に図示した大型のガラス基板1を下地PI層2から剥離する工程(デラミネーション工程)において、剥離不具合が生じるのを抑制でき、歩留まりが高いフレキシブル有機EL表示装置30を実現できる。
[0087]
 また、フレキシブル有機EL表示装置30によれば、図6に図示されているように、折り曲げ領域(BA)を埋める樹脂層である感光性PI層10を用いて、下地PI層2の右側PI層傾斜領域(RPA)において、その膜厚がより薄い領域を覆っているので、下地PI層2の露出部分を覆う目的のみの別途の樹脂層を必要としない。
[0088]
 なお、本実施形態においては、引き回し配線11dをゲート電極引き伸ばし配線6cと電気的に接続させた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、引き回し配線11dを、例えば、ソース電極引き伸ばし配線などと電気的に接続させてもよい。
[0089]
 本実施形態においては、第1ポリイミド樹脂層として下地PI層2を、第2ポリイミド樹脂層として感光性PI層10を用いた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、例えば、レーザー光を照射することで、ガラス基板から剥離することができるポリイミド樹脂層以外の樹脂層を用いてもよい。
[0090]
 〔実施形態2〕
 次に、図8に基づき、本発明の実施形態2について説明する。本実施形態においては、感光性PI層10ではなく、感光性平坦化層12を用いて、下地PI層2の露出部分を覆っている点において、実施形態1とは異なり、その他については実施形態1において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態1の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
[0091]
 図8は、本実施形態のフレキシブル有機EL表示装置の製造工程及び概略構成を説明するための図である。
[0092]
 図8に図示されているように、第2ポリイミド樹脂層(第2樹脂層)としての感光性平坦化層12が、下地PI層2の上記露出部分、すなわち、下地PI層2上において、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9を除去して、下地PI層2の露出ホールを形成した部分を覆い、下地PI層2の右側PI層傾斜領域(RPA)において、その膜厚がより薄い領域が感光性平坦化層12によって覆われるようにした。
[0093]
 なお、右側PI層傾斜領域(RPA)における下地PI層2と感光性平坦化層12とを合わせた膜厚が、表示領域(AA)と折り曲げ領域(BA)と端子領域(TA)の下地PI層2の膜厚以上となるように、感光性平坦化層12を所定以上の膜厚で形成することが好ましい。
[0094]
 そして、感光性平坦化層12は、表示領域(AA)と折り曲げ領域(BA)と端子領域(TA)とにおいては、第3絶縁層9と、折り曲げ領域(BA)を埋める感光性PI層10と、引き回し配線11dとを覆うように形成されている。
[0095]
 図8に図示したフレキシブル有機EL表示装置によれば、下地PI層2の右側PI層傾斜領域(RPA)において、その膜厚がより薄い領域が感光性平坦化層12によって覆われているので、右側PI層傾斜領域(RPA)において、膜厚が薄く形成された下地PI層2においても、LLO工程に含まれる、図7の(b)に図示した大型のガラス基板1を下地PI層2から剥離する工程(デラミネーション工程)において、剥離不具合が生じるのを抑制でき、歩留まりが高いフレキシブル有機EL表示装置を実現できる。
[0096]
 また、図8に図示したフレキシブル有機EL表示装置によれば、感光性平坦化層12を用いて、下地PI層2の露出部分を覆っているので、下地PI層2の露出部分を覆う目的のみの別途の樹脂層を必要としない。
[0097]
 本実施形態においては、第1ポリイミド樹脂層(第1樹脂層)として下地PI層2を、第2ポリイミド樹脂層(第2樹脂層)として感光性平坦化層12を用いた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、例えば、レーザー光を照射することで、ガラス基板から剥離することができるポリイミド樹脂層以外の樹脂層を用いてもよい。
[0098]
 なお、本実施形態においては、下地PI層2の枠状の端部領域(ER)である右側PI層傾斜領域(RPA)、上側PI層傾斜領域(UPA)、下側PI層傾斜領域(LPA)及び図示していない左側PI層傾斜領域中、下地PI層2の右側PI層傾斜領域(RPA)においてのみその露出部分が感光性平坦化層12によって覆われるようにしたが、これに限定されることはなく、右側PI層傾斜領域(RPA)、上側PI層傾斜領域(UPA)、下側PI層傾斜領域(LPA)及び図示していない左側PI層傾斜領域中の一つの領域、二つの領域または、三つの領域において、その露出部分が感光性平坦化層12によって覆われるようにしてもよく、全ての領域(四つの領域)において、その露出部分が感光性平坦化層12によって覆われるようにすることがより好ましい。
[0099]
 〔実施形態3〕
 次に、図9に基づき、本発明の実施形態3について説明する。本実施形態においては、感光性PI層10または感光性平坦化層12ではなく、エッジカバー層20(エッジカバーを形成する層と同一層)を用いて、下地PI層2の露出部分を覆っている点において、実施形態1及び2とは異なり、その他については実施形態1及び2において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態1及び2の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
[0100]
 図9は、本実施形態のフレキシブル有機EL表示装置の製造工程及び概略構成を説明するための図である。
[0101]
 図9の(a)は、フレキシブル有機EL表示装置の表示領域(AA)の概略構成を示す図であり、図9の(b)は、フレキシブル有機EL表示装置の表示領域(AA)、折り曲げ領域(BA)、端子領域(TA)及び右側PI層傾斜領域(RPA)の概略構成を示す図である。
[0102]
 図9の(a)に図示されているように、フレキシブル有機EL表示装置の表示領域(AA)においては、防湿層3上に半導体層4が所定形状に形成されており、防湿層3と半導体層4とを覆うように、ゲート絶縁層5が形成されている。
[0103]
 そして、ゲート絶縁層5上には、ゲート電極6aと容量電極6bとが所定形状に形成されており、ゲート絶縁層5、ゲート電極6a、容量電極6b及びゲート電極引き伸ばし配線6c(図9の(b)に図示)を覆うように、第2絶縁層7が形成されている。
[0104]
 それから、図示されているように、半導体層4とのコンタクトを取るためのコンタクトホールを介して、半導体層4と接触するドレイン配線11aと、ゲート電極6aとのコンタクトを取るためのコンタクトホールを介して、ゲート電極6aと接触するゲート配線11bと、容量対向電極8とのコンタクトを取るためのコンタクトホールを介して、容量対向電極8と接触する容量配線11cとが形成されている。
[0105]
 そして、第3絶縁層9と、ドレイン配線11aと、ゲート配線11bと、容量配線11cとを覆うように、感光性平坦化層12が形成されている。
[0106]
 表示領域(AA)において、感光性平坦化層12には、ドレイン配線11aと平面視において重なる位置に開口12aが形成されており、感光性平坦化層12上には、アクティブ素子(本実施形態においては、TFT素子)及び表示素子(図示せず)と電気的に接続された第1電極(電極層)13が形成されている。
[0107]
 第1電極13は、開口12aを介して、ドレイン配線11aと電気的に接続されており、第1電極13の端部を覆うようにエッジカバー層20が、第1電極13及び感光性平坦化層12上に形成されている。
[0108]
 エッジカバー層20は、感光性材料を含むポリイミド樹脂であり、ポジ型であってもネガ型であってもよいが、本実施形態においては、露光された部分に開口が形成されるポジ型を用いた。
[0109]
 また、本実施形態においては、エッジカバー層20として感光性材料を含むポリイミド樹脂を用いているが、これに限定されることはなく、エッジカバー層20は、感光性材料を含まないポリイミド樹脂であってもよく、このような場合には、パターニングは、感光性材料を含まないポリイミド樹脂上に形成された所定パターンのレジスト膜をマスクとして、ドライエッチングを行い形成することができる。
[0110]
 図9の(b)に図示されているように、第1ポリイミド樹脂層(第1樹脂層)である下地PI層2の露出部分を、第2ポリイミド樹脂層(第2樹脂層)であるエッジカバー層20(エッジカバーを形成する層と同一層であるエッジカバー層20)が覆っている。
[0111]
 すなわち、第2ポリイミド樹脂層としてのエッジカバー層20が、下地PI層2の上記露出部分、すなわち、下地PI層2上において、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9を除去して、下地PI層2の露出ホールを形成した部分を覆い、下地PI層2の右側PI層傾斜領域(RPA)において、その膜厚がより薄い領域がエッジカバー層20によって覆われるようにした。
[0112]
 なお、右側PI層傾斜領域(RPA)における下地PI層2とエッジカバー層20とを合わせた膜厚が、表示領域(AA)と折り曲げ領域(BA)と端子領域(TA)の下地PI層2の膜厚以上となるように、エッジカバー層20を所定以上の膜厚で形成することが好ましい。
[0113]
 図9に図示したフレキシブル有機EL表示装置によれば、下地PI層2の右側PI層傾斜領域(RPA)において、その膜厚がより薄い領域がエッジカバー層20によって覆われているので、右側PI層傾斜領域(RPA)において、膜厚が薄く形成された下地PI層2においても、LLO工程に含まれる、図7の(b)に図示した大型のガラス基板1を下地PI層2から剥離する工程(デラミネーション工程)において、剥離不具合が生じるのを抑制でき、歩留まりが高いフレキシブル有機EL表示装置を実現できる。
[0114]
 また、図9に図示したフレキシブル有機EL表示装置によれば、エッジカバーを形成する層と同一層であるエッジカバー層20を用いて、下地PI層2の露出部分を覆っているので、下地PI層2の露出部分を覆う目的のみの別途の樹脂層を必要としない。
[0115]
 本実施形態においては、第1ポリイミド樹脂層として下地PI層2を、第2ポリイミド樹脂層としてエッジカバー層20を用いた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、例えば、レーザー光を照射することで、ガラス基板から剥離することができるポリイミド樹脂層以外の樹脂層を用いてもよい。
[0116]
 なお、本実施形態においては、下地PI層2の枠状の端部領域(ER)である右側PI層傾斜領域(RPA)、上側PI層傾斜領域(UPA)、下側PI層傾斜領域(LPA)及び図示していない左側PI層傾斜領域中、下地PI層2の右側PI層傾斜領域(RPA)においてのみその露出部分がエッジカバー層20(エッジカバーを形成する層と同一層)によって覆われるようにしたが、これに限定されることはなく、右側PI層傾斜領域(RPA)、上側PI層傾斜領域(UPA)、下側PI層傾斜領域(LPA)及び図示していない左側PI層傾斜領域中の一つの領域、二つの領域または、三つの領域において、その露出部分がエッジカバー層20(エッジカバーを形成する層と同一層)によって覆われるようにしてもよく、全ての領域(四つの領域)において、その露出部分がエッジカバー層20(エッジカバーを形成する層と同一層)によって覆われるようにすることがより好ましい。
[0117]
 〔実施形態4〕
 次に、図10に基づき、本発明の実施形態4について説明する。本実施形態においては、折り曲げ領域(BA)が備えられていない点において、実施形態2とは異なり、その他については実施形態2において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態2の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
[0118]
 図10は、本実施形態のフレキシブル有機EL表示装置の製造工程及び概略構成を説明するための図である。
[0119]
 図10に図示されているように、第1ポリイミド樹脂層(第1樹脂層)である下地PI層2の露出部分を、第2ポリイミド樹脂層(第2樹脂層)である感光性平坦化層12が覆っている。
[0120]
 すなわち、第2ポリイミド樹脂層としての感光性平坦化層12が、下地PI層2の上記露出部分、すなわち、下地PI層2上において、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9を除去して、下地PI層2の露出ホールを形成した部分を覆い、下地PI層2の右側PI層傾斜領域(RPA)において、その膜厚がより薄い領域が感光性平坦化層12によって覆われるようにした。
[0121]
 なお、右側PI層傾斜領域(RPA)における下地PI層2と感光性平坦化層12とを合わせた膜厚が、表示領域(AA)と端子領域(TA)の下地PI層2の膜厚以上となるように、感光性平坦化層12を所定以上の膜厚で形成することが好ましい。
[0122]
 図10に図示したフレキシブル有機EL表示装置によれば、下地PI層2の右側PI層傾斜領域(RPA)において、その膜厚がより薄い領域が感光性平坦化層12によって覆われているので、右側PI層傾斜領域(RPA)において、膜厚が薄く形成された下地PI層2においても、LLO工程に含まれる、図7の(b)に図示した大型のガラス基板1を下地PI層2から剥離する工程(デラミネーション工程)において、剥離不具合が生じるのを抑制でき、歩留まりが高いフレキシブル有機EL表示装置を実現できる。
[0123]
 また、図10に図示したフレキシブル有機EL表示装置によれば、感光性平坦化層12を用いて、下地PI層2の露出部分を覆っているので、下地PI層2の露出部分を覆う目的のみの別途の樹脂層を必要としない。
[0124]
 本実施形態においては、第1ポリイミド樹脂層として下地PI層2を、第2ポリイミド樹脂層として感光性平坦化層12を用いた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、例えば、レーザー光を照射することで、ガラス基板から剥離することができるポリイミド樹脂層以外の樹脂層を用いてもよい。
[0125]
 なお、本実施形態においては、下地PI層2の枠状の端部領域(ER)である右側PI層傾斜領域(RPA)、上側PI層傾斜領域(UPA)、下側PI層傾斜領域(LPA)及び図示していない左側PI層傾斜領域中、下地PI層2の右側PI層傾斜領域(RPA)においてのみその露出部分が感光性平坦化層12によって覆われるようにしたが、これに限定されることはなく、右側PI層傾斜領域(RPA)、上側PI層傾斜領域(UPA)、下側PI層傾斜領域(LPA)及び図示していない左側PI層傾斜領域中の一つの領域、二つの領域または、三つの領域において、その露出部分が感光性平坦化層12によって覆われるようにしてもよく、全ての領域(四つの領域)において、その露出部分が感光性平坦化層12によって覆われるようにすることがより好ましい。
[0126]
 〔実施形態5〕
 次に、図11に基づき、本発明の実施形態5について説明する。本実施形態においては、本実施形態においては、折り曲げ領域(BA)が備えられていない点において、実施形態3とは異なり、その他については実施形態3において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態3の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
[0127]
 図11は、本実施形態のフレキシブル有機EL表示装置の製造工程及び概略構成を説明するための図である。
[0128]
 図11の(a)は、フレキシブル有機EL表示装置の表示領域(AA)の概略構成を示す図であり、図11の(b)は、フレキシブル有機EL表示装置の表示領域(AA)、端子領域(TA)及び右側PI層傾斜領域(RPA)の概略構成を示す図である。
[0129]
 図11の(b)に図示されているように、第1ポリイミド樹脂層(第1樹脂層)である下地PI層2の露出部分を、第2ポリイミド樹脂層(第2樹脂層)であるエッジカバー層20(エッジカバーを形成する層と同一層であるエッジカバー層)が覆っている。
[0130]
 すなわち、第2ポリイミド樹脂層としてのエッジカバー層20が、下地PI層2の上記露出部分、すなわち、下地PI層2上において、防湿層3、ゲート絶縁層5、第2絶縁層7及び第3絶縁層9を除去して、下地PI層2の露出ホールを形成した部分を覆い、下地PI層2の右側PI層傾斜領域(RPA)において、その膜厚がより薄い領域がエッジカバー層20によって覆われるようにした。
[0131]
 なお、右側PI層傾斜領域(RPA)における下地PI層2とエッジカバー層20とを合わせた膜厚が、表示領域(AA)と端子領域(TA)の下地PI層2の膜厚以上となるように、エッジカバー層20を所定以上の膜厚で形成することが好ましい。
[0132]
 図11に図示したフレキシブル有機EL表示装置によれば、下地PI層2の右側PI層傾斜領域(RPA)において、その膜厚がより薄い領域がエッジカバー層20によって覆われているので、右側PI層傾斜領域(RPA)において、膜厚が薄く形成された下地PI層2においても、LLO工程に含まれる、図7の(b)に図示した大型のガラス基板1を下地PI層2から剥離する工程(デラミネーション工程)において、剥離不具合が生じるのを抑制でき、歩留まりが高いフレキシブル有機EL表示装置を実現できる。
[0133]
 また、図11に図示したフレキシブル有機EL表示装置によれば、エッジカバーを形成する層と同一層であるエッジカバー層20を用いて、下地PI層2の露出部分を覆っているので、下地PI層2の露出部分を覆う目的のみの別途の樹脂層を必要としない。
[0134]
 本実施形態においては、第1ポリイミド樹脂層として下地PI層2を、第2ポリイミド樹脂層としてエッジカバー層20を用いた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、例えば、レーザー光を照射することで、ガラス基板から剥離することができるポリイミド樹脂層以外の樹脂層を用いてもよい。
[0135]
 なお、本実施形態においては、下地PI層2の枠状の端部領域(ER)である右側PI層傾斜領域(RPA)、上側PI層傾斜領域(UPA)、下側PI層傾斜領域(LPA)及び図示していない左側PI層傾斜領域中、下地PI層2の右側PI層傾斜領域(RPA)においてのみその露出部分がエッジカバー層20(エッジカバーを形成する層と同一層)によって覆われるようにしたが、これに限定されることはなく、右側PI層傾斜領域(RPA)、上側PI層傾斜領域(UPA)、下側PI層傾斜領域(LPA)及び図示していない左側PI層傾斜領域中の一つの領域、二つの領域または、三つの領域において、その露出部分がエッジカバー層20(エッジカバーを形成する層と同一層)によって覆われるようにしてもよく、全ての領域(四つの領域)において、その露出部分がエッジカバー層20(エッジカバーを形成する層と同一層)によって覆われるようにすることがより好ましい。
[0136]
 〔まとめ〕
 本発明の態様1に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、非可撓性基板の一方側の面上に、第1樹脂層を形成する工程を含む可撓性表示装置の製造方法であって、上記第1樹脂層の中央領域を囲む上下左右の4つの領域からなる上記第1樹脂層の端部領域における膜厚が、上記第1樹脂層の中央領域における膜厚より薄くなるように、上記第1樹脂層を形成する第1工程と、上記第1樹脂層上に、1層以上の無機膜を形成する第2工程と、上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域中の少なくとも一つにおいて、上記1層以上の無機膜の少なくとも一部を除去することによって、上記第1樹脂層を露出させる第3工程と、上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域中、上記第1樹脂層を露出させた領域において、第2樹脂層を、上記第1樹脂層上に形成する第4工程と、上記非可撓性基板側からレーザー光を照射して、上記非可撓性基板を剥離する第5工程と、上記非可撓性基板を剥離した面に可撓性基板を貼り付ける第6工程と、を含むことを特徴としている。
[0137]
 上記方法によれば、上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域中の少なくとも一つにおいて、上記第2樹脂層を、上記第1樹脂層上に形成しているので、膜厚が薄く形成された上記第1樹脂層においても、LLO工程に含まれる、大型のガラス基板を上記第1樹脂層から剥離する工程(デラミネーション工程)において、剥離不具合が生じるのを抑制した可撓性表示装置を実現できる。
[0138]
 本発明の態様2に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様1において、折り曲げ領域は、上記第1樹脂層の中央領域の一部を含み、上記第3工程においては、上記第2工程において形成した上記1層以上の無機膜の少なくとも一部が除去された領域である上記折り曲げ領域を形成し、上記第4工程においては、上記第2樹脂層を用いて、上記折り曲げ領域を埋めてもよい。
[0139]
 上記方法によれば、上記第2樹脂層は、上記第1樹脂層の端部領域においては、上記第1樹脂層上に形成されるとともに、上記折り曲げ領域を埋める。
[0140]
 本発明の態様3に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様1において、上記第4工程においては、上記第1樹脂層の中央領域上において、上記第2樹脂層を、上記1層以上の無機膜を覆うように形成してもよい。
[0141]
 上記方法によれば、上記第2樹脂層は、上記第1樹脂層の端部領域においては、上記第1樹脂層上に形成されるとともに、上記第1樹脂層の中央領域においては、上記1層以上の無機膜を覆うように形成されている。
[0142]
 本発明の態様4に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様1において、表示素子を備えた表示領域は、上記第1樹脂層の中央領域の一部を含み、上記表示素子は最下層として電極層を含み、上記第2樹脂層は、上記電極層の周囲を囲むエッジカバーを形成する層と同一層で形成されていてもよい。
[0143]
 上記方法によれば、上記第2樹脂層は、上記電極層の周囲を囲むエッジカバーを形成する層と同一層で形成されている。
[0144]
 本発明の態様5に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様1から4の何れかにおいて、上記第4工程においては、上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域中、上記第1樹脂層を露出させた領域において、上記第1樹脂層と上記第2樹脂層とを合わせた膜厚が、上記第1樹脂層の中央領域における上記第1樹脂層の膜厚以上となるように、上記第2樹脂層が形成されていてもよい。
[0145]
 上記方法によれば、大型のガラス基板を上記第1樹脂層から剥離する工程(デラミネーション工程)において、剥離不具合が生じるのを抑制した可撓性表示装置を実現できる。
[0146]
 本発明の態様6に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様1から5の何れかにおいて、上記第3工程においては、上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域全てにおいて、上記1層以上の無機膜の少なくとも一部を除去することによって、上記第1樹脂層を露出させてもよい。
[0147]
 上記方法によれば、大型のガラス基板を上記第1樹脂層から剥離する工程(デラミネーション工程)において、剥離不具合が生じるのをさらに抑制した可撓性表示装置を実現できる。
[0148]
 本発明の態様7に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様1から6の何れかにおいて、上記第1樹脂層及び上記第2樹脂層は、ポリイミド樹脂であることが好ましい。
[0149]
 上記方法によれば、水分や不純物の浸透をより効率的に防ぐ層であるポリイミド樹脂を備えた可撓性表示装置を実現できる。
[0150]
 本発明の態様8に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様1から7の何れかにおいて、上記第2樹脂層は、感光性材料を含むことが好ましい。
[0151]
 上記方法によれば、上記第2樹脂層は、露光及び現像によってパターニングできる。
[0152]
 本発明の態様9に係る可撓性表示装置の製造方法は、上記態様1から8の何れかにおいて、上記第1工程においては、上記第1樹脂層を、スリットコータを用いて形成してもよい。
[0153]
 上記方法によれば、上記第1樹脂層を、スリットコータを用いて形成できる。
[0154]
 本発明の態様10に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記の課題を解決するために、一方側の面上に表示素子を備えた非可撓性基板であって、上記一方側の面上であって、上記表示素子より下層には、第1樹脂層が形成されており、上記第1樹脂層の中央領域を囲む上下左右の4つの領域からなる上記第1樹脂層の端部領域における膜厚は、上記第1樹脂層の中央領域における膜厚より薄く、上記第1樹脂層上には、1層以上の無機膜が形成されており、上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域中の少なくとも一つにおいて、上記1層以上の無機膜から露出する上記第1樹脂層を覆う第2樹脂層が形成されていることを特徴としている。
[0155]
 上記構成によれば、上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域中の少なくとも一つにおいて、上記1層以上の無機膜から露出する上記第1樹脂層を覆う第2樹脂層が形成されているので、膜厚が薄く形成された上記第1樹脂層においても、LLO工程に含まれる、大型のガラス基板を上記第1樹脂層から剥離する工程(デラミネーション工程)において、剥離不具合が生じるのを抑制でき、歩留まりが高い表示素子を備えた非可撓性基板を実現できる。
[0156]
 本発明の態様11に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記態様10において、折り曲げ領域は、上記第1樹脂層の中央領域の一部を含み、上記折り曲げ領域は、上記1層以上の無機膜の少なくとも一部が除去された領域であり、上記第2樹脂層は、上記折り曲げ領域を埋める構成であってもよい。
[0157]
 上記構成によれば、上記第2樹脂層は、上記第1樹脂層の端部領域においては、上記第1樹脂層上に形成されるとともに、上記折り曲げ領域を埋める。
[0158]
 本発明の態様12に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記態様10において、上記第1樹脂層の中央領域上において、上記第2樹脂層は、上記1層以上の無機膜を覆うように形成されていてもよい。
[0159]
 上記構成によれば、上記第2樹脂層は、上記第1樹脂層の端部領域においては、上記第1樹脂層上に形成されるとともに、上記第1樹脂層の中央領域においては、上記1層以上の無機膜を覆うように形成されている。
[0160]
 本発明の態様13に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記態様10において、表示素子を備えた表示領域は、上記第1樹脂層の中央領域の一部を含み、上記表示素子は最下層として電極層を含み、上記第2樹脂層は、上記表示領域においては、上記電極層の周囲を囲む構成であってもよい。
[0161]
 上記構成によれば、上記第2樹脂層は、上記表示領域においては、上記電極層の周囲を囲む。
[0162]
 本発明の態様14に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記態様10から13の何れかにおいて、上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域中、上記第1樹脂層を露出させた領域において、上記第1樹脂層と上記第2樹脂層とを合わせた膜厚が、上記第1樹脂層の中央領域における上記第1樹脂層の膜厚以上となるように、上記第2樹脂層が形成されていてもよい。
[0163]
 上記構成によれば、大型のガラス基板を上記第1樹脂層から剥離する工程(デラミネーション工程)において、剥離不具合が生じるのを抑制でき、歩留まりが高い表示素子を備えた非可撓性基板を実現できる。
[0164]
 本発明の態様15に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記態様10から14の何れかにおいて、上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域全てにおいて、上記1層以上の無機膜から露出する上記第1樹脂層を覆う第2樹脂層が形成されていてもよい。
[0165]
 上記構成によれば、大型のガラス基板を上記第1樹脂層から剥離する工程(デラミネーション工程)において、剥離不具合が生じるのをさらに抑制でき、歩留まりが高い表示素子を備えた非可撓性基板を実現できる。
[0166]
 本発明の態様16に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記態様10から15の何れかにおいて、上記第1樹脂層及び上記第2樹脂層は、ポリイミド樹脂であってもよい。
[0167]
 上記構成によれば、水分や不純物の浸透をより効率的に防ぐ層であるポリイミド樹脂を備えている。
[0168]
 本発明の態様17に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記態様10から16の何れかにおいて、上記第2樹脂層は、感光性材料を含むことが好ましい。
[0169]
 上記構成によれば、上記第2樹脂層は、露光及び現像によってパターニングできる。
[0170]
 本発明の態様18に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記態様10から17の何れかにおいて、上記表示素子は、有機EL表示素子であってもよい。
[0171]
 上記構成によれば、有機EL表示素子を備えた非可撓性基板を実現できる。
[0172]
 本発明の態様19に係る表示素子を備えた非可撓性基板は、上記態様10から17の何れかにおいて、上記表示素子は、反射型の液晶表示素子であってもよい。
[0173]
 上記構成によれば、反射型の液晶表示素子を備えた非可撓性基板を実現できる。
[0174]
 〔付記事項〕
 本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

産業上の利用可能性

[0175]
 本発明は、表示素子を備えた非可撓性基板及び可撓性表示装置の製造方法に利用することができる。

符号の説明

[0176]
 1       ガラス基板(非可撓性基板)
 1u      有機EL表示装置
 2       下地PI層(第1樹脂層)
 3       防湿層(無機膜)
 4       半導体層
 5       ゲート絶縁層(無機膜)
 6a      ゲート電極
 6b      容量電極
 6c      ゲート電極引き伸ばし配線
 7       第2絶縁層(無機膜)
 8       容量対向電極
 9       第3絶縁層(無機膜)
 10      感光性PI層(第2樹脂層)
 11a     ドレイン配線
 11b     ゲート配線
 11c     容量配線
 11d     引き回し配線
 12      感光性平坦化層(第2樹脂層)
 12a     開口
 13      第1電極(電極層)
 14      表示素子
 15      封止膜
 19      フィルム基板(可撓性基板)
 20      エッジカバー層(第2樹脂層)
 30      フレキシブル有機EL表示装置(可撓性表示装置)
 AA      表示領域
 BA      折り曲げ領域
 TA      端子領域
 CR      下地PI層の中央領域
 RPA     右側PI層傾斜領域
 UPA     上側PI層傾斜領域
 LPA     下側PI層傾斜領域
 ER      下地PI層の端部領域
 CH      コンタクトホール
 BH      折り曲げホール
 PH      下地PI層の露出ホール

請求の範囲

[請求項1]
 非可撓性基板の一方側の面上に、第1樹脂層を形成する工程を含む可撓性表示装置の製造方法であって、
 上記第1樹脂層の中央領域を囲む上下左右の4つの領域からなる上記第1樹脂層の端部領域における膜厚が、上記第1樹脂層の中央領域における膜厚より薄くなるように、上記第1樹脂層を形成する第1工程と、
 上記第1樹脂層上に、1層以上の無機膜を形成する第2工程と、
 上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域中の少なくとも一つにおいて、上記1層以上の無機膜の少なくとも一部を除去することによって、上記第1樹脂層を露出させる第3工程と、
 上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域中、上記第1樹脂層を露出させた領域において、第2樹脂層を、上記第1樹脂層上に形成する第4工程と、
 上記非可撓性基板側からレーザー光を照射して、上記非可撓性基板を剥離する第5工程と、
 上記非可撓性基板を剥離した面に可撓性基板を貼り付ける第6工程と、を含むことを特徴とする可撓性表示装置の製造方法。
[請求項2]
 折り曲げ領域は、上記第1樹脂層の中央領域の一部を含み、
 上記第3工程においては、上記第2工程において形成した上記1層以上の無機膜の少なくとも一部が除去された領域である上記折り曲げ領域を形成し、
 上記第4工程においては、上記第2樹脂層を用いて、上記折り曲げ領域を埋めることを特徴とする請求項1に記載の可撓性表示装置の製造方法。
[請求項3]
 上記第4工程においては、上記第1樹脂層の中央領域上において、上記第2樹脂層を、上記1層以上の無機膜を覆うように形成することを特徴とする請求項1に記載の可撓性表示装置の製造方法。
[請求項4]
 表示素子を備えた表示領域は、上記第1樹脂層の中央領域の一部を含み、
 上記表示素子は最下層として電極層を含み、
 上記第2樹脂層は、上記電極層の周囲を囲むエッジカバーを形成する層と同一層で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の可撓性表示装置の製造方法。
[請求項5]
 上記第4工程においては、上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域中、上記第1樹脂層を露出させた領域において、上記第1樹脂層と上記第2樹脂層とを合わせた膜厚が、上記第1樹脂層の中央領域における上記第1樹脂層の膜厚以上となるように、上記第2樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の可撓性表示装置の製造方法。
[請求項6]
 上記第3工程においては、上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域全てにおいて、上記1層以上の無機膜の少なくとも一部を除去することによって、上記第1樹脂層を露出させることを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の可撓性表示装置の製造方法。
[請求項7]
 上記第1樹脂層及び上記第2樹脂層は、ポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項1から6の何れか1項に記載の可撓性表示装置の製造方法。
[請求項8]
 上記第2樹脂層は、感光性材料を含むことを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の可撓性表示装置の製造方法。
[請求項9]
 上記第1工程においては、上記第1樹脂層を、スリットコータを用いて形成することを特徴とする請求項1から8の何れか1項に記載の可撓性表示装置の製造方法。
[請求項10]
 一方側の面上に表示素子を備えた非可撓性基板であって、
 上記一方側の面上であって、上記表示素子より下層には、第1樹脂層が形成されており、
 上記第1樹脂層の中央領域を囲む上下左右の4つの領域からなる上記第1樹脂層の端部領域における膜厚は、上記第1樹脂層の中央領域における膜厚より薄く、
 上記第1樹脂層上には、1層以上の無機膜が形成されており、
 上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域中の少なくとも一つにおいて、上記1層以上の無機膜から露出する上記第1樹脂層を覆う第2樹脂層が形成されていることを特徴とする表示素子を備えた非可撓性基板。
[請求項11]
 折り曲げ領域は、上記第1樹脂層の中央領域の一部を含み、
 上記折り曲げ領域は、上記1層以上の無機膜の少なくとも一部が除去された領域であり、
 上記第2樹脂層は、上記折り曲げ領域を埋めることを特徴とする請求項10に記載の表示素子を備えた非可撓性基板。
[請求項12]
 上記第1樹脂層の中央領域上において、上記第2樹脂層は、上記1層以上の無機膜を覆うように形成されていることを特徴とする請求項10に記載の表示素子を備えた非可撓性基板。
[請求項13]
 表示素子を備えた表示領域は、上記第1樹脂層の中央領域の一部を含み、
 上記表示素子は最下層として電極層を含み、
 上記第2樹脂層は、上記表示領域においては、上記電極層の周囲を囲むことを特徴とする請求項10に記載の表示素子を備えた非可撓性基板。
[請求項14]
 上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域中、上記第1樹脂層を露出させた領域において、上記第1樹脂層と上記第2樹脂層とを合わせた膜厚が、上記第1樹脂層の中央領域における上記第1樹脂層の膜厚以上となるように、上記第2樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項10から13の何れか1項に記載の表示素子を備えた非可撓性基板。
[請求項15]
 上記第1樹脂層の端部領域における上記4つの領域全てにおいて、上記1層以上の無機膜から露出する上記第1樹脂層を覆う第2樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項10から14の何れか1項に記載の表示素子を備えた非可撓性基板。
[請求項16]
 上記第1樹脂層及び上記第2樹脂層は、ポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項10から15の何れか1項に記載の表示素子を備えた非可撓性基板。
[請求項17]
 上記第2樹脂層は、感光性材料を含むことを特徴とする請求項10から16の何れか1項に記載の表示素子を備えた非可撓性基板。
[請求項18]
 上記表示素子は、有機EL表示素子であることを特徴とする請求項10から17の何れか1項に記載の表示素子を備えた非可撓性基板。
[請求項19]
 上記表示素子は、反射型の液晶表示素子であることを特徴とする請求項10から17の何れか1項に記載の表示素子を備えた非可撓性基板。

図面

[ 図 1]

[ 図 2]

[ 図 3]

[ 図 4]

[ 図 5]

[ 図 6]

[ 図 7]

[ 図 8]

[ 図 9]

[ 図 10]

[ 図 11]