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1. (WO2019043003) METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIPS, RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP AND RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP ARRAY
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Pub. No.: WO/2019/043003 International Application No.: PCT/EP2018/073132
Publication Date: 07.03.2019 International Filing Date: 28.08.2018
IPC:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 25/075 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
20
with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
26
Materials of the light emitting region
30
containing only elements of group III and group V of the periodic system
32
containing nitrogen
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25
Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices
03
all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/-H01L51/128
04
the devices not having separate containers
075
the devices being of a type provided for in group H01L33/78
Applicants:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventors:
BEHRINGER, Martin Rudolf; DE
MÜLLER, Christian; DE
Agent:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Priority Data:
10 2017 120 037.131.08.2017DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIPS, STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP-ARRAY
(EN) METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIPS, RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP AND RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP ARRAY
(FR) PROCÉDÉ SERVANT À FABRIQUER UNE PLURALITÉ DE PUCES SEMI-CONDUCTRICES À ÉMISSION DE RAYONNEMENT, PUCE SEMI-CONDUCTRICE À ÉMISSION DE RAYONNEMENT ET RÉSEAU DE PUCES SEMI-CONDUCTRICES À ÉMISSION DE RAYONNEMENT
Abstract:
(DE) Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips mit angegeben: - Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1), - Epitaktisches Aufwachsen einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (3), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, auf das Wachstumssubstrat (1), wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) ein Nitridverbindungshalbleitermaterial umfasst, - Aufbringen einer strukturierten Fotolackschicht (4) mit sechseckigen oder dreieckigen Strukturelementen (5) auf die Halbleiterschichtenfolge (2), wobei Bereiche der Halbleiterschichtenfolge (2) zwischen den Strukturelementen (5) frei zugänglich sind, und - Ätzen der Halbleiterschichtenfolge (2) in den frei zugänglichen Bereichen, sodass sechseckige oder dreickige Halbleiterschichtenstapel (2) mit Seitenflächen (11) entstehen, von denen zumindest eine Seitenfläche (11) parallel zu einer m-Fläche (7) oder parallel zu einer a-Fläche (6) des Nitridverbindungshalbleitermaterials verläuft, wobei die Halbleiterschichtenstapel als sechsseitige oder dreiseitige Prismen ausgebildet sind, und die aktive Zone senkrecht auf den Seitenflächen des Halbleiterschichtenstapels steht.
(EN) The invention relates to a method for producing a plurality of radiation-emitting semiconductor chips, comprising the steps of: - providing a growth substrate (1), - epitaxial growing of an epitaxial semiconductor layer sequence (2) having an active zone (3), which is suitable for generating electromagnetic radiation, on the growth substrate (1), wherein the semiconductor layer sequence (2) comprises a nitride compound semiconductor material, - applying a structured photoresist layer (4) having hexagonal or triangular structural elements (5) to the semiconductor layer sequence (2), wherein regions of the semiconductor layer sequence (2) between the structural elements (5) are freely accessible, and - etching the semiconductor layer sequence (2) in the freely accessible regions so as to create hexagonal or triangular semiconductor layer stacks (2) having lateral surfaces (11), of which at least one lateral surface (11) extends parallel to an m-surface (7) or parallel to an a-surface (6) of the nitride compound semiconductor material, wherein the semiconductor layer stacks are in the form of six-sided or three-sided prisms, and the active zone stands perpendicular to the lateral surfaces of the semiconductor layer stacks.
(FR) L'invention concerne un procédé servant à fabriquer une pluralité de puces semi-conductrices à émission de rayonnement, comprenant les étapes consistant à : fournir un substrat de croissance (1) ; faire croître par épitaxie une succession de couches semi-conductrices (2) épitaxiales comprenant une zone active (3) qui est adaptée pour générer un rayonnement électromagnétique, sur le substrat de croissance (1), la succession de couches semi-conductrices (2) comprenant un matériau semi-conducteur à base d'un composé nitrure ; appliquer une couche de laque photosensible (4) structurée comprenant des éléments structurels (5) hexagonaux ou triangulaires sur la succession de couches semi-conductrices (2), des zones de la succession de couches semi-conductrices (2) étant librement accessibles entre les éléments structurels (5), et ; graver la succession de couches semi-conductrices (2) dans les zones librement accessibles de manière à faire apparaître des empilements de couches semi-conductrices (2) hexagonaux ou triangulaires comprenant des faces latérales (11), parmi lesquelles au moins une face latérale (11) s'étend de manière parallèle par rapport à une face m (7) ou de manière parallèle par rapport à une face a (6) du matériau semi-conducteur à base de composé nitrure. Les empilements de couches semi-conductrices sont réalisés sous la forme de prismes hexagonaux ou triangulaires, et la zone active est à la verticale sur les faces latérales de l'empilement de couches semi-conductrices.
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)