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1. (WO2019042814) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP
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Pub. No.: WO/2019/042814 International Application No.: PCT/EP2018/072492
Publication Date: 07.03.2019 International Filing Date: 21.08.2018
IPC:
H01L 33/08 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
08
with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36
characterised by the electrodes
38
with a particular shape
Applicants:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventors:
KOPP, Fabian; MY
MOLNAR, Attila; MY
Agent:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Priority Data:
10 2017 119 881.430.08.2017DE
Title (EN) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT UN RAYONNEMENT
(DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP
Abstract:
(EN) The invention relates to a radiation-emitting semiconductor chip (1), comprising - a semiconductor body (2), which comprises a first semiconductor layer (21), a second semiconductor layer (22) and an active region (20) provided to generate radiation and arranged between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; - wherein the active region, when the semiconductor chip is viewed from above, is subdivided into a plurality of segments (23), with a separating structure (8) being formed in the semiconductor body between each of the adjacent segments; - wherein the plurality of segments are electrically connected to one another in series and/or in parallel; and - wherein a first contact layer (3) having a first contact finger structure (35) for electrically contacting the first semiconductor layer and a second contact layer (4) having a second contact finger structure (45) for electrically contacting the second semiconductor layer are assigned to at least one segment, the first contact finger structure and the second contact finger structure partially overlapping, when the semiconductor chip is viewed from above.
(FR) L’invention concerne une puce de semi-conducteur (1), émettant un rayonnement, qui comprend - un corps semi-conducteur (2) comportant une première couche de semi-conducteur (21), une deuxième couche de semi-conducteur (22) et une région active (20) disposée entre la première couche de semi-conducteur et la deuxième couche de semi-conducteur et destinée à générer un rayonnement ; - la zone active étant divisée en vue de dessus de la puce de semi-conducteur en une pluralité de segments (23), une structure de séparation (8) étant formée dans le corps semi-conducteur entre chacun des segments adjacents ; - la pluralité de segments étant montés électriquement en série et/ou en parallèle les uns par rapport aux autres ; et - au moins un segment étant associé à une première couche de contact (3) comportant une première structure de doigts de contact (35) destinée à venir en contact électrique avec la première couche de semi-conducteur et à une deuxième couche de contact (4) comportant une deuxième structure de doigts de contact (45) destinée à venir en contact électrique avec la deuxième couche de semi-conducteur. La première structure de doigts de contact et la deuxième structure de doigts de contact se chevauchent partiellement dans une vue en plan de la puce de semi-conducteur.
(DE) Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, umfassend - einen Halbleiterkörper (2), der eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und einen zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten und zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist; - der aktive Bereich in Draufsicht auf den Halbleiterchip in eine Mehrzahl von Segmenten (23) unterteilt ist, wobei zwischen benachbarten Segmenten jeweils eine Trennstruktur (8) im Halbleiterkörper ausgebildet ist; - die Mehrzahl von Segmenten zueinander elektrisch in Serie und/oder parallel verschaltet ist; und - zumindest einem Segment eine erste Kontaktschicht (3) mit einer ersten Kontaktfingerstruktur (35) zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht und eine zweite Kontaktschicht (4) mit einer zweiten Kontaktfingerstruktur (45) zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht zugeordnet sind, wobei die erste Kontaktfingerstruktur und die zweite Kontaktfingerstruktur in Draufsicht auf den Halbleiterchip stellenweise überlappen.
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)