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1. (WO2019042782) HETEROEPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR PRODUCING A HETEROEPITAXIAL WAFER
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Pub. No.: WO/2019/042782 International Application No.: PCT/EP2018/072229
Publication Date: 07.03.2019 International Filing Date: 16.08.2018
IPC:
H01L 21/20 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18
the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20
Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth
Applicants:
SILTRONIC AG [DE/DE]; Hanns-Seidel-Platz 4 81737 München, DE
Inventors:
THAPA, Sarad Bahadur; DE
VORDERWESTNER, Martin; DE
Agent:
STAUDACHER, Wolfgang; DE
Priority Data:
17188124.628.08.2017EP
Title (EN) HETEROEPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR PRODUCING A HETEROEPITAXIAL WAFER
(FR) TRANCHE HÉTÉROÉPITAXIALE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE HÉTÉROÉPITAXIALE
Abstract:
(EN) A heteroepitaxial wafer and a method for producing a heteroepitaxial wafer. The heteroepitaxial wafer comprises in the following order: a silicon substrate having a diameter and a thickness; an AlN nucleation layer; a first strain building layer which is an AlzGa1-zN layer having a first average Al content z, wherein 0 < z; a first strain preserving block comprising not less than 5 and not more than 50 units of a first sequence of layers, the first sequence of layers comprising an AlN layer and at least two AlGaN layers, the first strain preserving block having a second average Al content y, wherein y > z; a second strain building layer which is an AlxGa1-xN layer having a third average Al content x, wherein 0 ≤ x < y; a second strain preserving block comprising not less than 5 and not more than 50 units of a second sequence of layers, the second sequence of layers comprising an AlN layer and at least one AlGaN layer, the second strain preserving block having a fourth average Al content w, wherein x < w < y, and a GaN layer, wherein the layers between the AlN nucleation layer and the GaN layer form an AlGaN buffer.
(FR) L'invention concerne une tranche hétéroépitaxiale et un procédé de production de tranche hétéroépitaxiale. La tranche hétéroépitaxiale comprend dans l'ordre suivant : un substrat de silicium ayant un diamètre et une épaisseur ; une couche de nucléation d'AlN ; une première couche de construction de contrainte qui est une couche d'AlzGa1-zN ayant une première teneur en Al moyenne z, où 0 < z ; un premier bloc de conservation de contrainte comprenant pas moins de 5 et pas plus de 50 unités d'une première séquence de couches, la première séquence de couches comprenant une couche d'AlN et au moins deux couches d'AlGaN, le premier bloc de conservation de contrainte ayant une seconde teneur en Al moyenne y, où y > z ; une seconde couche de construction de contrainte qui est une couche d'AlxGa1-xN ayant une troisième teneur en Al moyenne x, où 0 ≤ x < y ; un second bloc de conservation de contrainte comprenant pas moins de 5 et pas plus de 50 unités d'une seconde séquence de couches, la seconde séquence de couches comprenant une couche d'AlN et au moins une couche d'AlGaN, le second bloc de conservation de contrainte ayant une quatrième teneur en Al moyenne w, où x < w < y, et une couche de GaN, les couches entre la couche de nucléation d'AlN et la couche de GaN formant un tampon d'AlGaN.
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Filing Language: English (EN)