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1. (WO2019042746) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
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Pub. No.: WO/2019/042746 International Application No.: PCT/EP2018/071786
Publication Date: 07.03.2019 International Filing Date: 10.08.2018
IPC:
H01L 33/14 (2010.01) ,H01S 5/042 (2006.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01S 5/323 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
14
with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
04
Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
042
Electrical excitation
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
26
Materials of the light emitting region
30
containing only elements of group III and group V of the periodic system
32
containing nitrogen
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
30
Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
32
comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- hetero-structures
323
in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser
Applicants:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventors:
PETER, Matthias; DE
WURM, Teresa; DE
EICHLER, Christoph; DE
Agent:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Priority Data:
10 2017 119 931.430.08.2017DE
Title (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
Abstract:
(EN) The invention relates to an optoelectronic semiconductor component (1) having a semiconductor body (10), in which there are formed an active layer (103) configured for the generation or detection of electromagnetic radiation, a first interlayer (101) and a p-type contact layer (104), and having a connecting layer (121) applied to the semiconductor body (10). The contact layer (104) is arranged between the first interlayer (101) and the connecting layer (121) and adjoins the connecting layer (121), the active layer (103) being arranged on a side of the first interlayer (101) facing away from the contact layer (104). The first interlayer (101) and the contact layer (104) are based on a nitride compound semiconductor, and the contact layer (104) is doped with a p-dopant. The contact layer (104) has a thickness of no more than 50nm and has a lower aluminium content than the first interlayer (101).
(FR) L'invention concerne un composant semi-conducteur (1) optoélectronique comprenant un corps semi-conducteur (10) dans lequel sont réalisées une couche active (103) mise au point pour générer ou détecter un rayonnement électromagnétique, une première couche intermédiaire (101) et une couche de contact (104) conductrice de type p. L'invention concerne également une couche de raccordement (121) appliquée sur le corps semi-conducteur (10). La couche de contact (104) est disposée entre la première couche intermédiaire (101) et la couche de raccordement (121), jouxte la couche de raccordement (121) ; et la couche active (103) est disposée sur un côté, opposé à la couche de contact (104), de la première couche intermédiaire (101). La première couche intermédiaire (101) et la couche de contact (104) sont basées sur un semi-conducteur à composé nitrure, et la couche de contact (104) est dopée avec un dopant de type p. La couche de contact (104) présente une épaisseur de 50 nm au maximum et comprend une teneur en aluminium inférieure à celle de la première couche intermédiaire (101).
(DE) Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement(1)mit einem Halbleiterkörper (10), in dem eine zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung eingerichtete aktive Schicht (103), eine erste Zwischenschicht (101) und eine p-leitende Kontaktschicht (104) ausgebildet sind, und einer auf den Halbleiterkörper (10) aufgebrachten Anschlussschicht (121) angegeben. Wobei die Kontaktschicht (104) zwischen der ersten Zwischenschicht (101) und der Anschlussschicht (121) angeordnet ist, an die Anschlussschicht (121) angrenzt und die aktive Schicht (103) auf einer der Kontaktschicht (104) abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht (101) angeordnet ist. Die erste Zwischenschicht (101) und die Kontaktschicht (104) basieren auf einem Nitridverbindungshalbleiter und die Kontaktschicht (104) ist mit einem p-Dotierstoff dotiert. Die Kontaktschicht (104) weist eine Dicke von höchstens 50nm auf und hat einen geringeren Aluminiumgehalt als die erste Zwischenschicht (101).
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)