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1. (WO2019042643) HIGH-VOLTAGE OUTPUT DRIVER FOR A SENSOR DEVICE WITH REVERSE CURRENT BLOCKING
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Pub. No.: WO/2019/042643 International Application No.: PCT/EP2018/068946
Publication Date: 07.03.2019 International Filing Date: 12.07.2018
IPC:
H03K 19/00 (2006.01) ,H03K 19/003 (2006.01) ,H03K 19/0185 (2006.01)
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
K
PULSE TECHNIQUE
19
Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
[IPC code unknown for H03K 19/03]
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
K
PULSE TECHNIQUE
19
Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
0175
Coupling arrangements; Interface arrangements
0185
using field-effect transistors only
Applicants:
AMS AG [AT/AT]; Schloss Premstätten Tobelbader Str. 30 8141 Premstätten, AT
Inventors:
LEONARDO, Vincenzo; CH
STEFANUCCI, Camillo; CH
Agent:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Priority Data:
17188317.629.08.2017EP
Title (EN) HIGH-VOLTAGE OUTPUT DRIVER FOR A SENSOR DEVICE WITH REVERSE CURRENT BLOCKING
(FR) CIRCUIT D’ATTAQUE À SORTIE À HAUTE TENSION POUR UN DISPOSITIF DE CAPTEURS À BLOCAGE DE COURANT INVERSE
Abstract:
(EN) A high-voltage output driver (1) for a sensor device (100) with reverse current blocking comprises a supply node (SN) to apply a supply voltage (VHV)and an output node (OP) to provide an output signal (OS) of the high-voltage output driver (1). The high-voltage output driver (1) comprises a driver transistor (MP0) being disposed between the supply node (SN) and the output node (OP). The high-voltage output driver (1) further comprises a bulk control circuit (20) to apply a bulk control voltage (Vwell) to a bulk node (BMP0) of the driver transistor (MP0), and a gate control circuit (30) to apply a gate control voltage (GCV) to thegate node (GMP0) of the driver transistor (MP0).
(FR) L’invention concerne un circuit d’attaque (1) à sortie à haute tension pour un dispositif de capteurs (100) à blocage de courant inverse qui comprend un nœud d’alimentation (SN) pour appliquer une tension d’alimentation (VHV) et un nœud de sortie (OP) pour émettre un signal de sortie (OS) du circuit d’attaque (1) à sortie à haute tension. Le circuit d’attaque (1) de sortie à haute tension comprend un transistor (MP0) de circuit d’attaque qui est disposé entre le nœud d’alimentation (SN) et le nœud de sortie (OP). Le circuit d’attaque (1) de sortie à haute tension comprend en outre un circuit de contrôle en volume (20) pour appliquer une tension de contrôle en volume (Vwell) à un nœud de volume (BMP0) du transistor (MP0) de circuit d’attaque, et un circuit de contrôle de grille (30) pour appliquer une tension de contrôle de grille (GCV) au nœud de grille (GMP0) du transistor (MP0) du circuit d’attaque.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)