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1. (WO2019038202) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR BODY, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
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Pub. No.: WO/2019/038202 International Application No.: PCT/EP2018/072332
Publication Date: 28.02.2019 International Filing Date: 17.08.2018
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/14 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
14
with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
Applicants:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventors:
TONKIKH, Alexander; DE
Agent:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Priority Data:
10 2017 119 369.324.08.2017DE
Title (EN) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR BODY, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CORPS À SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT UN RAYONNEMENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
Abstract:
(EN) The invention relates to a radiation-emitting semiconductor body (1) comprising a semiconductor layer sequence (2) which has an active region (20) that is designed to generate radiation, an n-conductive semiconductor layer (21), and a p-conductive semiconductor layer (22). The active region (20) is arranged between the n-conductive semiconductor layer (21) and the p-conductive semiconductor layer (22). The n-conductive semiconductor layer (21) has a first doped region (211) and a second doped region (212), the first doped region (211) has a higher dopant concentration than the second doped region (212), and the first doped region (211) has a thickness of maximally 5 nm. The invention additionally relates to a method for producing the radiation-emitting semiconductor body (1).
(FR) L’invention concerne un corps à semi-conducteur (1), émettant un rayonnement, qui comprend une succession de couches semi-conductrices (2) pourvues d’une région active (20) destinée à générer un rayonnement, une couche semi-conductrice de type n (21) et une couche semi-conductrice de type p (22). La région active (20) est disposée entre la couche semi-conductrice de type n (21) et la couche semi-conductrice de type p (22). La couche semi-conductrice de type n (21) comporte une première région de dopage (211) et une deuxième région de dopage (212). La première région de dopage (211) a une concentration en dopant supérieure à celle de la deuxième région de dopage (212) et la première région de dopage (211) a une épaisseur d’au plus 5 nm. En outre, l’invention concerne un procédé de fabrication du corps à semi-conducteur (1) émettant un rayonnement.
(DE) Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) beschrieben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), eine n-leitende Halbleiterschicht (21) und eine p-leitende Halbleiterschicht (22) aufweist, wobei der aktive Bereich (20) zwischen der n-leitenden Halbleiterschicht (21) und der p-leitenden Halbleiterschicht (22) angeordnet ist, wobei die n-leitende Halbleiterschicht (21) einen ersten Dotierbereich (211) und einen zweiten Dotierbereich (212) aufweist, der erste Dotierbereich (211) eine höhere Dotierstoffkonzentration als der der zweite Dotierbereich (212) aufweist, und der erste Dotierbereich (211) eine Dicke von höchstens 5 nm aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des Strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers (1) angegeben.
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)