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1. (WO2019034505) CIRCUIT FOR ACTUATING A POWER SEMICONDUCTOR TRANSISTOR
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Patentansprüche

Schaltung (1) zur Ansteuerung eines Leistungshalbleitertransistors (2) aufweisend eine Ansteuerungsstufe (3) welche zur Ansteuerung des Gates (4) des

Leistungshalbleitertransistors (2) mit einer Steuerspannung (12) eingerichtet ist und dazu an das Gate (4) und den Emitter (5) des Leistungshalbleitertransistors (2) angeschlossen ist, weiter aufweisend eine Schutzschaltung (6), welche ebenfalls zur Ansteuerung des Gates (4) eingerichtet ist und dazu an das Gate (4) und den Emitter (5) des Leistungshalbleitertransistors (2) angeschlossen ist, sowie ein an dem Emitter (5) des Leistungshalbleitertransistors (2) angeschlossener Stromsensor (7) zur Bestimmung eines Laststroms durch den

Leistungshalbleitertransistor (2) , wobei ein Ausgang (8) des Stromsensors (7) der Schutzschaltung (6) zur Verfügung gestellt ist und die Schutzschaltung (6) dazu eingerichtet ist, die Steuerspannung an dem Gate (4) abzusenken, wenn ein Laststrom durch den Leistungshalbleitertransistor (2) größer ist als ein

Schwellwertstrom.

Schaltung (1) nach Anspruch 1 , wobei die Schutzschaltung (6) so eingerichtet ist, dass sie keine Auswirkungen auf den Emitter (5) und das Gate (4) des

Leistungshalbleitertransistor (2) hat, sofern ein von dem Stromsensor (7) gemessener Laststrom kleiner ist als ein Schwellwertstrom.

Schaltung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die

Schutzschaltung (6) einen Transistor aufweist mit welchem die Steuerspannung (12) an dem Gate (4) in Abhängigkeit eines von dem Stromsensor (7) gemessenen Stroms reduziert werden kann.

Schaltung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der

Leistungshalbleitertransistor (2) ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IG BT) ist.

Schaltung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die

Ansteuerungsstufe (3) nach Art einer Gegentaktendstufe ausgebildet ist, mit welcher eine Steuerspannung (12) zwischen einer oberen Eingangsspannung (10)

und einer unteren Eingangsspannung (11) zur Ansteuerung des Gates (4) bereitgestellt werden kann.

6. Schaltung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche umfassend einen Signaleingang (13) an welchen ein Treibermodul (14) zur Ansteuerung des Leistungshalbleitertransistors (2) über die Schaltung (1) anschließbar ist.

7. Schaltung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche umfassend einen Signalausgang (15) an welchem einen Treibermodul (14) zur Ansteuerung des Leistungshalbleitertransistors (2) über die Schaltung (1) anschließbar ist.

8. Schaltung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die

Schutzschaltung (6) dazu eingerichtet ist, festzustellen, ob ein kurzzeitiger, transienter Strom oder ein erhöhter Laststrom vorliegt und eine Absenkung der Steuerspannung an dem Gate (4) nur auszulösen, wenn erhöhter Laststrom vorliegt.