Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persists, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2019034504) METHOD FOR ACTUATING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR SWITCH, IN PARTICULAR IN A COMPONENT OF A MOTOR VEHICLE
Latest bibliographic data on file with the International BureauSubmit observation

Pub. No.: WO/2019/034504 International Application No.: PCT/EP2018/071576
Publication Date: 21.02.2019 International Filing Date: 09.08.2018
IPC:
H03K 17/0812 (2006.01) ,H03K 17/16 (2006.01) ,H03K 17/18 (2006.01)
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
K
PULSE TECHNIQUE
17
Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and -breaking
08
Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
081
without feedback from the output circuit to the control circuit
0812
by measures taken in the control circuit
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
K
PULSE TECHNIQUE
17
Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and -breaking
16
Modifications for eliminating interference voltages or currents
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
K
PULSE TECHNIQUE
17
Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and -breaking
18
Modifications for indicating state of switch
Applicants:
ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Inventors:
BAUMHOEFER, Thorsten; DE
ROGOV, Rostislav; DE
Priority Data:
10 2017 214 217.015.08.2017DE
Title (DE) VERFAHREN ZUM ANSTEUERN MINDESTENS EINES HALBLEITER-SCHALTERS, INSBESONDERE IN EINEM BAUTEIL EINES KRAFTFAHRZEUGS
(EN) METHOD FOR ACTUATING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR SWITCH, IN PARTICULAR IN A COMPONENT OF A MOTOR VEHICLE
(FR) PROCÉDÉ D’ACTIVATION D’AU MOINS UN COMMUTATEUR À SEMI-CONDUCTEUR, EN PARTICULIER DANS UN COMPOSANT D’UN VÉHICULE AUTOMOBILE
Abstract:
(DE) Verfahren zum Ansteuern mindestens eines Halbleiter-Schalters insbesondere in einem Bauteil eines Kraftfahrzeugs, wobei der mindestens eine Halbleiter-Schalter mit einer Steuerungsspannung (1) gemäß der folgenden Verfahrensschritte geschaltet werden kann: a1) Vorgeben der Steuerungsspannung (1) in einem Toleranzbereich (2), a2) Überwachen, ob eine tatsächlich an dem mindestens einen Halbleiter-Schalter anliegende Steuerungsspannung (1) mindestens einen Grenzwert (4,5) überschreitet, wobei an mindestens einem Kontrollzeitpunkt zumindest der folgende Verfahrensschritt durchgeführt wird: b1) Ermitteln einer Differenz zwischen der tatsächlich an dem mindestens einen Halbleiter-Schalter anliegenden Steuerungsspannung (1) und dem mindestens einen Grenzwert, wobei die gemäß Schritt al) vorgegebene Steuerungsspannung (1) nach dem mindestens einen Kontrollzeitpunkt unter Verwendung des Ergebnisses von Schritt b1) manipuliert wird.
(EN) The invention relates to a method for actuating at least one semiconductor switch, in particular in a component of a motor vehicle. The at least one semiconductor switch can be switched with a control voltage (1) according to the following method steps: a1) specifying the control voltage (1) in a tolerance range (2) and a2) monitoring whether a control voltage (1) actually being applied to the at least one semiconductor switch exceeds at least one threshold (4, 5), wherein at least the following method step is carried out at at least one control time: b1) ascertaining a difference between the control voltage (1) actually being applied to the at least one semiconductor switch and the at least one threshold, the control voltage (1) specified according to step a1) being manipulated according to the at least one control time using the result from step b1).
(FR) L’invention concerne un procédé d’activation d’au moins un commutateur à semi-conducteur, en particulier dans un composant d’un véhicule automobile, selon lequel le ou les commutateurs à semi-conducteur peuvent être commutés par une tension de commande (1) selon les étapes suivantes : a1) spécification de la tension de commande (1) dans une plage de tolérance (2), a2) surveillance permettant de savoir si une tension de commande (1) effectivement présente au niveau du ou des commutateurs à semi-conducteur dépasse au moins une valeur limite (4, 5), au moins l'étape suivante étant mise en œuvre à au moins un instant de contrôle : b1) détermination d’une différence entre la tension de commande (1) effectivement présente au niveau du ou des commutateurs à semi-conducteur et la ou les valeurs limites, la tension de commande (1) spécifiée à l’étape a1) étant modifiée après le ou les instants de contrôle en utilisant le résultat de l’étape b1).
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)