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1. (WO2019033647) ERROR CORRECTION METHOD, APPARATUS AND DEVICE FOR FLASH MEMORY, AND COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM
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Pub. No.: WO/2019/033647 International Application No.: PCT/CN2017/116256
Publication Date: 21.02.2019 International Filing Date: 14.12.2017
IPC:
G11C 29/42 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
29
Checking stores for correct operation; Testing stores during standby or offline operation
04
Detection or location of defective memory elements
08
Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing (POST) or distributed testing
12
Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing (BIST)
38
Response verification devices
42
using error correcting codes (ECC) or parity check
Applicants:
深圳市江波龙电子有限公司 SHENZHEN LONGSYS ELECTRONICS CO., LIMITED [CN/CN]; 中国广东省深圳市 南山区科发路8号金融服务技术创新基地1栋8楼A、B、C、D、E、F1 A-B-C-D-E-F1, 8F, 1 Building, Financial Base, No.8, Kefa Road, High-Tech Park, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Inventors:
梁冬柳 LIANG, Dongliu; CN
李志雄 LI, Zhixiong; CN
邓恩华 DENG, Enhua; CN
尹慧 YIN, Hui; CN
Agent:
深圳市六加知识产权代理有限公司 LIUJIA CHINA IP LAW OFFICE; 中国广东省深圳市 南山区南海大道4050号上汽大厦207室 Room 207, Shangqi Building 4050# Nanhai Road, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518057, CN
Priority Data:
201710703447.916.08.2017CN
Title (EN) ERROR CORRECTION METHOD, APPARATUS AND DEVICE FOR FLASH MEMORY, AND COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE CORRECTION D'ERREUR, APPAREIL ET DISPOSITIF POUR MÉMOIRE FLASH, ET SUPPORT DE STOCKAGE LISIBLE PAR ORDINATEUR
(ZH) 闪存的纠错方法、装置、设备以及计算机可读存储介质
Abstract:
(EN) The present invention is applied in the technical field of electronic communications, and provides an error correction method, apparatus and device for a flash memory, and a computer readable storage medium. The error correction method comprises: reading initial hard data of a flash memory, the initial hard data being hard data, read under a default window voltage value of the flash memory, of the flash memory (S101); reading adjusted hard data of the flash memory, the adjusted hard data being hard data, read after a window voltage value of the flash memory is adjusted and under the adjusted window voltage value, of the flash memory, wherein the window voltage value is adjusted at least twice (S102); determining the value of a log-likelihood ratio (LLR) according to the initial hard data and the adjusted hard data (S103); and according to the value of the log-likelihood ratio (LLR), carrying out error correction on the initial hard data of the flash memory (S104). The method can improve the error correction capability of an LDPC.
(FR) La présente invention est appliquée dans le domaine technique des communications électroniques, et concerne un procédé de correction d'erreur, un appareil et un dispositif pour une mémoire flash, et un support de stockage lisible par ordinateur. Le procédé de correction d'erreur consiste à : lire des données dures initiales d'une mémoire flash, les données dures initiales étant des données brutes, lues sous une valeur de tension de fenêtre par défaut de la mémoire flash, de la mémoire flash (S101) ; lire des données dures ajustées de la mémoire flash, les données dures ajustées étant des données dures, lues après qu'une valeur de tension de fenêtre de la mémoire flash est ajustée et sous la valeur de tension de fenêtre ajustée, de la mémoire flash, la valeur de tension de fenêtre étant ajustée au moins deux fois (S102) ; déterminer la valeur d'un rapport de vraisemblance logarithmique (LLR) selon les données dures initiales et les données dures ajustées (S103 ) ; et selon la valeur du rapport de vraisemblance logarithmique (LLR), réaliser une correction d'erreur sur les données dures initiales de la mémoire flash (S104). Le procédé peut améliorer la capacité de correction d'erreur d'un LDPC.
(ZH) 用于电子通信技术领域,提供了一种闪存的纠错方法、装置、设备以及计算机可读存储介质,所述纠错方法包括:读取闪存的初始硬数据,所述初始硬数据为闪存默认的窗口电压值下读取的闪存的硬数据(S101);读取所述闪存的调整硬数据,所述调整硬数据为调整所述闪存的窗口电压值并在调整后的窗口电压值下读取的闪存的硬数据,其中,所述窗口电压值调整至少2次(S102);根据所述初始硬数据与所述调整硬数据确定对数似然比LLR的值(S103);根据所述对数似然比LLR的值,对所述闪存的初始硬数据进行纠错(S104)。上述方法可以提高LDPC的纠错能力。
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Filing Language: Chinese (ZH)