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1. (WO2019033307) WASTE LIQUID STORAGE DEVICE AND WET ETCHING SYSTEM
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说明书

发明名称 0001   0002   0003   0004   0005   0006   0007   0008   0009   0010   0011   0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048   0049   0050   0051   0052   0053   0054   0055   0056   0057   0058   0059   0060   0061   0062   0063   0064   0065   0066   0067   0068   0069   0070   0071   0072   0073   0074   0075   0076   0077   0078   0079   0080   0081   0082   0083   0084   0085   0086   0087   0088   0089   0090   0091   0092   0093   0094   0095  

权利要求书

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19  

附图

0001  

说明书

发明名称 : 废液存储装置和湿式蚀刻系统

技术领域

[0001]
本发明涉及湿式蚀刻技术,特别涉及一种湿式蚀刻的废液存储装置和湿式蚀刻系统。

背景技术

[0002]
湿式蚀刻的废液中部分溶质可能会发生氧化反应,释放热量。而为防止污染,存储废液时废液存储装置一般为密闭式。因此,废液存储装置中废液累积和存储时间过长则氧化反应释放的热量可能导致温度过高而存在安全隐患。
[0003]
发明内容
[0004]
有鉴于此,本发明的实施方式需要提供一种湿式蚀刻的废液存储装置和湿式蚀刻系统。
[0005]
本发明实施方式的废液存储装置,用于存储湿式蚀刻产生的废液。所述废液包括第一溶质和第二溶质,所述第二溶质为所述第一溶质放热氧化反应的催化剂。所述废液存储装置包括:
[0006]
第一储液罐,用于存储所述废液;和
[0007]
连接外部的络合剂溶液源与所述第一储液罐的第一管路,所述第一管路用于将所述络合剂导引到所述第一储液罐,所述络合剂用于抑制所述第二溶质对所述第一溶质反应的催化能力。
[0008]
在某些实施方式中,所述第一溶质包括H 2O 2
[0009]
所述第二溶质包括铜离子和钼离子;
[0010]
所述络合剂包括乙二胺四乙酸溶液。
[0011]
在某些实施方式中,所述络合剂的酸碱度呈酸性,所述络合剂和所述第二溶质发生络合反应后所述废液的酸碱度呈酸性。
[0012]
在某些实施方式中,所述废液存储装置包括连接湿式蚀刻机台与所述第一储液罐的第二管路,所述第二管路用于将所述湿式蚀刻机台产生的所述废液导引到所述第一储液罐。
[0013]
在某些实施方式中,所述废液存储装置包括第一检测装置,所述第一检测装置连接所述第二管路,用于采样检测所述第二溶质的浓度。
[0014]
在某些实施方式中,所述第一检测装置在所述第二管路有所述废液流入时检测所述第二溶质浓度并隔预定时间再次检测所述第二溶质浓度。
[0015]
在某些实施方式中,所述废液存储装置包括:
[0016]
设置在所述第一管路上的第一阀门;和
[0017]
连接所述第一检测装置和所述第一阀门的第一控制器,所述第一控制器根据所述浓度控制所述第一阀门的开度以稳定抑制所述第二溶质对所述第一溶质反应的催化能力。
[0018]
在某些实施方式中,所述废液存储装置包括:
[0019]
预警装置,用于发出预警信号;和
[0020]
连接所述预警装置的第二检测装置,所述第二检测装置用于检测所述第一储液罐中所述废液的温度,所述预警装置在所述温度高于第一预设温度时发出预警信号。
[0021]
在某些实施方式中,所述废液存储装置包括连接外部的冰水源与所述第一储液罐的第三管路,所述第三管路用于将所述冰水导引到所述第一储液罐,所述冰水用于降低所述废液的温度。
[0022]
在某些实施方式中,所述废液存储装置包括:
[0023]
设置在所述第三管路的的第二阀门;和
[0024]
连接所述第二阀门和所述第二检测装置的第二控制器,所述第二控制器用于控制所述第二阀门开闭以控制所述第三管路是否流出所述冰水。
[0025]
在某些实施方式中,所述第二控制器在所述温度高于所述第一预设温度时控制所述第二阀门开启以控制所述第三管路流出所述冰水到所述第一储液罐。
[0026]
在某些实施方式中,所述第二阀门开启后,在所述废液的温度降低到第二预设温度时,所述第二控制器关闭所述第二阀门以控制所述第三管路停止流出所述冰水到所述第一储液罐。
[0027]
在某些实施方式中,所述废液存储装置包括连接所述第一储液罐和第二储液罐的第四管路,所述第四管路设置在所述第一储液罐中所述废液积累的底部,所述第四管路用于将所述第一储液罐中的所述废液导引到所述第二储液罐。
[0028]
在某些实施方式中,所述第四管路设置有第一水泵,所述第一水泵用于抽离所述第一储液罐中所述废液到所述第二储液罐。
[0029]
本发明实施方式的湿式蚀刻系统,所述湿式蚀刻系统包括:
[0030]
湿式蚀刻机台,用于蚀刻工件并产生废液;和
[0031]
上述任一项实施方式所述的废液存储装置。
[0032]
在某些实施方式中,所述湿式蚀刻系统包括所述第二储液罐,所述第二储液罐用于存储所述废液存储装置清理出来的所述废液。
[0033]
在某些实施方式中,所述第二储液罐包括第三检测装置,所述第三检测装置用于检测所述第二储液罐中所述废液的温度。
[0034]
在某些实施方式中,所述第二储液罐设置有连接外部的第五管路,所述第五管路设 置在所述第二储液罐中所述废液积累的底部,所述第五管路用于将所述第二储液罐中的所述废液导引到外部。
[0035]
在某些实施方式中,所述第五管路设置有第二水泵,所述第二水泵用于抽离所述第二储液罐中所述废液到外部。

附图说明

[0036]
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解,其中:
[0037]
图1是本发明实施方式的湿式蚀刻系统的结构示意图。

具体实施方式

[0038]
下面详细描述本发明的实施方式,所述实施方式的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
[0039]
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
[0040]
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通信;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
[0041]
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
[0042]
请参阅图1,本发明实施方式的废液存储装置10,用于存储湿式蚀刻产生的废液20。废液20包括第一溶质22和第二溶质24,第二溶质24为第一溶质22发生放热氧化反应的催化剂。废液存储装置10包括第一储液罐11和连接外部的络合剂溶液源30 与第一储液罐11的第一管路12。第一储液罐11用于存储废液20。第一管路12用于将络合剂32引导到第一储液罐11,络合剂32用于抑制第二溶质24对第一溶质22的催化能力。
[0043]
本发明实施方式的废液存储装置10可以用于存储湿式蚀刻产生的废液20(例如,薄膜晶体管高质量导线制程中湿式蚀刻形成图案化铜导线层产生的蚀刻废液)。废液20中有能够发生缓慢氧化反应并释放热量的第一溶质22和能够催化第一溶质22氧化反应的第二溶质24。通常,使用第一储液罐11存储废液20,形成相对密闭的废液存储空间,可以防止废液20对环境的污染。然而,由于第一溶质22会发生氧化反应并释放热量,废液20累积和存储时间过长可能使得废液存储装置10温度升高,存在安全隐患。
[0044]
因此,本发明实施方式的废液存储装置10采用络合第二溶质24的方式抑制第二溶质24对第一溶质22催化能力的方式,使得第一溶质22的氧化反应变缓慢,一定程度上可以控制废液存储装置10的温度升高。
[0045]
当然,在其他实施方式中,废液20中溶质不限于上面讨论的实施方式,而可以是废液20中第一溶质22和第二溶质24之间发生反应或其他方式,释放热量使得废液存储装置10温度升高。
[0046]
本发明实施方式的湿式蚀刻系统100包括湿式蚀刻机台40和废液存储装置10,也即是说,在某些实施方式中,废液存储装置10可以应用于湿式蚀刻系统100。湿式蚀刻机台40用于蚀刻工件(例如,薄膜晶体管高质量导线制程中湿式蚀刻形成图案化铜导线层)并产生废液20。蚀刻产生的废液20中部分溶质可能会发生氧化反应,释放热量。废液存储装置10能够解决废液20存储过程中释放热量使得温度升高而存在安全隐患的问题。如此,湿式蚀刻系统100可以安全运作。
[0047]
具体的废液存储装置10可以连接一个湿式蚀刻机台40。
[0048]
当然,在其他实施方式中,废液存储装置10连接的湿式蚀刻机台40数量不限于一个,而可以根据每个湿式蚀刻机台40产生废液20量的多少和废液存储装置10容量的大小变换。
[0049]
在某些实施方式中,第一溶质22包括H 2O 2。第二溶质24包括铜离子和钼离子。络合剂32包括乙二胺四乙酸溶液。
[0050]
可以理解,湿式蚀刻用于薄膜晶体管高质量导线制程中湿式蚀刻形成图案化铜导线层,产生的废液20包括第一溶质22H 2O 2、第二溶质24铜离子和钼离子以及添加剂。其中第一溶质22H 2O 2会自身会发生缓慢氧化反应并释放热量。第二溶质24铜离子和钼离子会催化第一溶质22H 2O 2氧化反应,加快释放热量的速率。络合剂32乙二胺四 乙酸能够跟第二溶质24铜离子和钼离子发生络合反应。络合剂32通过连接外部的络合剂溶液源30的第一管路12将络合剂32导引到第一储液罐11,络合剂32和第二溶质24发生络合反应使得第二溶质24减少,抑制第二溶质24对第一溶质22反应的催化能力。
[0051]
在某些实施方式中,络合剂32的酸碱度呈酸性,络合剂32和第二溶质24发生络合反应后废液20的酸碱度呈酸性。
[0052]
可以理解,湿式蚀刻用于薄膜晶体管高质量导线制程中湿式蚀刻形成图案化铜导线层中,产生的废液20中第一溶质22H 2O 2在酸性环境中自身发生缓慢氧化反应,在碱性环境中反应速率加快。因此,加入络合剂32时应保持络合剂32呈酸性以及反映后废液20呈酸性,使得废液20的酸碱度有利于第一溶质22H 2O 2缓慢氧化反应,避免释放热量过快。
[0053]
当然,在其他实施方式中,络合剂32的酸碱度不限于上面讨论的实施方式,而可以根据废液20中溶质化学性质的需求调整络合剂32的酸碱度以抑制废液20释放热量。
[0054]
在某些实施方式中,废液存储装置10包括连接湿式蚀刻机台40与第一储液罐11的第二管路13。第二管路13用于将湿式蚀刻机台40产生的废液20导引到第一储液罐12。
[0055]
可以理解,湿式蚀刻机台40完成蚀刻工件之后将会产生废液20,废液20通过第二管路13导引到第一储液罐11并存储在第一储液罐11中。
[0056]
在某些实施方式中,废液存储装置10包括第一检测装置14。第一检测装置14连接第二管路13。第一检测装置14用于采样检测第二溶质24的浓度。
[0057]
可以理解,在第一储液罐11中加入络合剂32以络合第二溶质24,废液20进入第一储液罐11后第二溶质24与络合剂32发生反应而减少,检测第一储液罐11中第二溶质24的浓度不利于计算加入络合剂32的需求量。因此,第一检测装置14和第二管路13连接,采样检测未进入第一储液罐11的第二溶质24的浓度,利于计算并控制加入第一储液罐11的络合剂32的量。
[0058]
具体的,第一检测装置14可以采用络合滴定法检测第二溶液24的浓度,络合滴定法使用络合剂32可以和加入第一储液罐11的络合剂32相同,通过测定消耗络合剂32的量和采样废液20的量得出第二溶质24的浓度,方法简单。
[0059]
当然,在其他实施方式中,第一检测装置14不限于使用络合滴定法检测第二溶质24的浓度,而可以根据需求选择合适的检测方法,例如原子吸收法和其他溶液浓度检测方法。
[0060]
在某些实施方式中,第一检测装置14在第二管路13有废液20流入时检测第二溶 质24的浓度并隔预定时间再次检测第二溶质24的浓度。
[0061]
可以理解,湿式蚀刻机台40流出的废液20中第二溶质24的浓度并非均一不变的,第一检测装置14隔预定时间检测一次第二溶质24的量以便在第二溶质24的浓度发生改变后适时地调整加入第一储液罐11的络合剂32的量。
[0062]
具体的,预定时间可以是30分钟。
[0063]
当然,在其他实施方式中,预定时间可以不限于30分钟,而可以根据废液20量的多少和第二溶质24的浓度变换。
[0064]
在某些实施方式中,废液存储装置10包括设置在第一管路12上的第一阀门122和连接第一检测装置14和第一阀门122的第一控制器15a。第一控制器15a根据第二溶质24的浓度控制第一阀门122的开度以稳定抑制第二溶质24对第一溶质22反应的催化能力。
[0065]
可以理解,络合剂32的浓度可以根据第二溶质24浓度的经验值进行设定。第一检测装置14检测第二溶质24的浓度并将第二溶质24的浓度反馈给第一控制器15a,第一控制器15a根据第二溶质24的浓度和络合剂32的浓度计算络合废液20中的第二溶质24时络合剂32的需求量,并控制第一阀门122的开度以控制流入第一储液罐11的络合剂32的量。控制好流入第一储液罐11的络合剂32的量,可以稳定地抑制第二溶质24对第一溶质22反应的催化能力。
[0066]
具体的,流入第一储液罐11的络合剂32的量应比第一控制器15a根据第一检测装置14反馈的第二溶质24的浓度计算得到的需求量多10%到20%,以便有足够的络合剂32与第二溶质24充分反应,同时也避免络合剂32加入过量产生浪费。
[0067]
在某些实施方式中,废液存储装置10包括预警装置16和连接预警装置16的第二检测装置17。预警装置16用于发出预警信号。第二检测装置17用于检测第一储液罐11中废液20的温度。预警装置16在废液20的温度高于第一预设温度时发出预警信号。
[0068]
可以理解,废液20的温度低于第一预设温度的情况下,废液存储装置10存在安全隐患的可能性较小。废液20的温度高于第一预设温度的情况下,废液存储装置10存在安全隐患的可能性较大。在废液20过多以及存储时间过长的情况下,即使加入络合剂32废液20的温度依然可能高于第一预设温度。因此,设置第二检测装置17检测废液20的温度并将废液20的温度反馈给预警装置16,预警装置16在废液20的温度高于第一预设温度时发出预警信号以引起工作人员的注意,提醒工作人员检查废液存储装置10是否正常以便采取措施降低废液存储装置10的温度,以免发生安全事故。
[0069]
具体的,第一预设温度可以是50摄氏度。
[0070]
当然,在其他实施方式中,第一预设温度可以不限于50摄氏度,而可以根据第一 储液罐11的材质,第一储液罐11的容量及废液20中溶质的化学性质(例如热稳定性)而变换。
[0071]
在某些实施方式中,废液存储装置10包括连接外部的冰水源50与第一储液罐11的第三管路18。第三管路18用于将冰水52导引到第一储液罐11。冰水52用于降低废液20的温度。
[0072]
可以理解,冰水52温度低、比热容大,是一种良好的降温物质。在络合第二溶质24后依旧无法控制废液20温度升高的情况下,向第一储液罐11中加入冰水52可以降低废液20的温度,使得废液存储装置10的温度保持在安全的范围。
[0073]
冰水52通过第三管路18连接外部的冰水源50将冰水52导引到第一储液罐11,低温的冰水52和废液20混合使得废液20温度快速降低。
[0074]
在某些实施方式中,废液存储装置10包括设置在第三管路18的第二阀门182和连接第二阀门182和第二检测装置17的第二控制器15b。第二控制器15b用于控制第二阀门182开闭以控制所述第三管路18是否流出冰水52。
[0075]
可以理解,一般情况下第一储液罐11不需要采用加入冰水52的方式控制第一储液罐11的温度,在第三管路18设置第二阀门182可以通过第二控制器15b在废液20的温度达到一定程度后控制第二阀门182开启向第一储液罐11中加入冰水52。
[0076]
在某些实施方式中,第二控制器15b在废液20的温度高于第一预设温度时控制第二阀门182开启以控制第三管路18流出冰水52到第一储液罐11。
[0077]
可以理解,在废液20的温度高于第一预设温度的情况下,废液存储装置10存在安全隐患的可能性较大。此时,开启第二阀门182向第一储液罐11中加入冰水52,使得废液20的温度快速降低,以免发生安全事故。
[0078]
在某些实施方式中,第二阀门182开启后,在废液20的温度降低到第二预设温度时,第二控制器15b关闭第二阀门182以控制第三管路18停止流出冰水52到第一储液罐11。
[0079]
可以理解,在第二阀门182打开后,废液20和冰水52混合使得废液20的温度快速降低,为了节约冰水52以及避免冰水52加入过多占用第一储液罐11的存储空间,应及时停止向第一储液罐11中加入冰水52。第二预设温度和第一预设温度存在一定温度差,废液20的温度降低到第二预设温度时,废液存储装置10存在安全隐患的可能性较小,处于安全状态。废液20的温度再次升高到第一预设温度可能性较小。此时,应停止向第一储液罐11中加入冰水52.
[0080]
具体的,第一预设温度可以是45摄氏度。
[0081]
当然,在其他实施方式中,第一预设温度可以不限于45摄氏度,而可以根据第一 储液罐11的材质,第一储液罐11的容量及废液20的化学性质(例如热稳定性)而变换。
[0082]
在某些实施方式中,废液存储装置10包括连接第一储液罐11和第二储液罐60的第四管路19。第四管路19设置在第一储液罐11中废液20积累的底部。第四管路19用于将第一储液罐11中的废液20导引到第二储液罐60。
[0083]
可以理解,在第一储液罐11中的废液20累积到一定程度后,为了避免第一储液罐11中废20累积过多超过第一储液罐11的负荷而发生泄漏和其他安全事故,需要清理第一储液罐11中的废液20。清理第一储液罐11中的废液20时,可以通过第四管路19将废液20导引出第一储液罐11。第四管路19设置在第一储液罐11中废液20积累的底部使得第一储液罐11有废液20积累时,能够保持第四管路19与废液20接触,有利于清空第一储液罐11的废液20,避免第一储液罐11中残留有废液20。
[0084]
在某些实施方式中,第四管路19设置有第一水泵192。第一水泵192用于抽离第一储液罐11中废液20到第二储液罐60。
[0085]
可以理解,设置第一水泵192可以快速抽离第一储液罐11中的废液20,达到快速清理第一储液罐11的目的。并且第四管路19与第一储液罐11的接口水平高度低于第四管路19与第二储液罐60的接口时,第一水泵192有利于清空第一储液罐11中的废液20,避免第一储液罐11中残留有废液20。
[0086]
在某些实施方式中,湿式蚀刻系统100包括第二储液罐60。第二储液60用于存储废液存储装置10清理出来的废液20。
[0087]
可以理解,在废液存储装置10中的废液20累积到一定程度后,为了避免废液存储装置10中废液20累积过多超过废液存储装置10的负荷而发生泄漏和其他安全事故。设置第二储液罐60可以存储废液存储装置10中清理出来的废液20以减轻废液存储装置10的负荷,有利于减小湿式蚀刻系统100存在安全隐患的可能性。
[0088]
在某些实施方式中,第二储液罐60包括第三检测装置62。第三检测装置62用于检测第二储液罐60中废液20的温度。
[0089]
可以理解,废液20转移到第二储液罐60后,为防止污染,第二储液罐60通常形成相对密闭的存储空间。设置第三检测装置62检测第二储液罐60中废液20的温度,可根据检测到的温度情况相应地采取措施控制第二储液罐60中废液20的温度。可以防止转移到第二储液罐60中的废液20存在未和络合剂32反应完全的第二溶质24,使得第一溶质22反应释放热量造成第二储液罐60温度过高,引发安全事故。
[0090]
在某些实施方式中,第二储液罐60设置有连接外部的第五管路64。第五管路64设置在第二储液罐60中废液20积累的底部。第五管路64用于将第二储液罐60中的废 液20导引到外部。
[0091]
可以理解,湿式蚀刻产生的废液20(例如,薄膜晶体管高质量导线制程中湿式蚀刻形成图案化铜导线层产生的蚀刻废液。)会污染环境。因此,需要对废液20进行处理,湿式蚀刻系统100通过第五管路64清理第二储液罐60中的废液20到外部进行处理。清理第二储液罐60中的废液20时,第五管路64设置在第二储液罐60中废液20积累的底部使得第二储液罐60有废液20积累时,能够保持第五管路64与废液20接触,有利于清空第五储液罐60的废液20,避免第二储液罐60中残留有废液20。
[0092]
在某些实施方式中,第五管路64设置有第二水泵642。第二水泵642用于抽离第二储液罐60中废液20到外部。
[0093]
可以理解,设置第二水泵642可以快速抽离第二储液罐60中的废液20,达到快速清理第二储液罐60的目的。并且第五管路64与第二储液罐60的接口水平高度低于外部接口时,第二水泵642有利于清空第二储液罐60中的废液20,避免第二储液罐60中残留有废液20。
[0094]
在本说明书的描述中,参考术语“某些实施方式”、“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
[0095]
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本发明的限制,本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

权利要求书

[权利要求 1]
一种废液存储装置,用于存储湿式蚀刻产生的废液,其特征在于,所述废液包括第一溶质和第二溶质,所述第二溶质为所述第一溶质发生放热氧化反应的催化剂,所述废液存储装置包括: 第一储液罐,用于存储所述废液;和 连接外部的络合剂溶液源与所述第一储液罐的第一管路,所述第一管路用于将所述络合剂导引到所述第一储液罐,所述络合剂用于抑制所述第二溶质对所述第一溶质反应的催化能力。
[权利要求 2]
如权利要求1所述的废液存储装置,其特征在于,所述第一溶质包括H2O2; 所述第二溶质包括铜离子和钼离子; 所述络合剂包括乙二胺四乙酸溶液。
[权利要求 3]
如权利要求2所述的废液存储装置,其特征在于,所述络合剂的酸碱度呈酸性,所述络合剂和所述第二溶质发生络合反应后所述废液的酸碱度呈酸性。
[权利要求 4]
如权利要求1所述的废液存储装置,其特征在于,所述废液存储装置包括连接湿式蚀刻机台与所述第一储液罐的第二管路,所述第二管路用于将所述湿式蚀刻机台产生的所述废液导引到所述第一储液罐。
[权利要求 5]
如权利要求4所述的废液存储装置,其特征在于,所述废液存储装置包括第一检测装置,所述第一检测装置连接所述第二管路,用于采样检测所述第二溶质的浓度。
[权利要求 6]
如权利要求5所述的废液存储装置,其特征在于,所述第一检测装置在所述第二管路有所述废液流入时检测所述第二溶质浓度并隔预定时间再次检测所述第二溶质浓度。
[权利要求 7]
如权利要求6所述的废液存储装置,其特征在于,所述废液存储装置包括: 设置在所述第一管路上的第一阀门;和 连接所述第一检测装置和所述第一阀门的第一控制器,所述第一控制器根据所述浓度控制所述第一阀门的开度以稳定抑制所述第二溶质对所述第一溶质反应的催化能力。
[权利要求 8]
如权利要求7所述的废液存储装置,其特征在于,所述废液存储装置包括: 预警装置,用于发出预警信号;和 连接所述预警装置的第二检测装置,所述第二检测装置用于检测所述第一储液罐中所述废液的温度,所述预警装置在所述温度高于第一预设温度时发出预警信号。
[权利要求 9]
如权利要求8所述的废液存储装置,其特征在于,所述废液存储装置包括连接外部的冰水源与所述第一储液罐的第三管路,所述第三管路用于将所述冰水导引到所述第一储液罐,所述冰水用于降低所述废液的温度。
[权利要求 10]
如权利要求9所述的废液存储装置,其特征在于,所述废液存储装置包括: 设置在所述第三管路的第二阀门;和 连接所述第二阀门和所述第二检测装置的第二控制器,所述第二控制器用于控制所述第二阀门开闭以控制所述第三管路是否流出所述冰水。
[权利要求 11]
如权利要求10所述的废液存储装置,其特征在于,所述第二控制器在所述温度高于所述第一预设温度时控制所述第二阀门开启以控制所述第三管路流出所述冰水到所述第一储液罐。
[权利要求 12]
如权利要求11所述的废液存储装置,其特征在于,所述第二阀门开启后,在所述废液的温度降低到第二预设温度时,所述第二控制器关闭所述第二阀门以控制所述第三管路停止流出所述冰水到所述第一储液罐。
[权利要求 13]
如权利要求1所述的废液存储装置,其特征在于,所述废液存储装置包括连接所述第一储液罐和第二储液罐的第四管路,所述第四管路设置在所述第一储液罐中所述废液积累的底部,所述第四管路用于将所述第一储液罐中的所述废液导引到所述第二储液罐。
[权利要求 14]
如权利要求13所述的废液存储装置,其特征在于,所述第四管路设置有第一水泵,所述第一水泵用于抽离所述第一储液罐中所述废液到所述第二储液罐。
[权利要求 15]
一种湿式蚀刻系统,其特征在于,所述湿式蚀刻系统包括: 湿式蚀刻机台,用于蚀刻工件并产生废液;和 如权利要求1-14任一项所述的废液存储装置。
[权利要求 16]
如权利要求15所述的湿式蚀刻系统,其特征在于,所述湿式蚀刻系统包括所述第二储液罐,所述第二储液罐用于存储所述废液存储装置清理出来的所述废液。
[权利要求 17]
如权利要求16所述的湿式蚀刻系统,其特征在于,所述第二储液罐包括第三检测装置,所述第三检测装置用于检测所述第二储液罐中所述废液的温度。
[权利要求 18]
如权利要求17所述的湿式蚀刻系统,其特征在于,所述第二储液罐设置有连接外部的第五管路,所述第五管路设置在所述第二储液罐中所述废液积累的底部,所述第五管路用于将所述第二储液罐中的所述废液导引到外部。
[权利要求 19]
如权利要求18所述的湿式蚀刻系统,其特征在于,所述第五管路设置有第二水泵,所述第二水泵用于抽离所述第二储液罐中所述废液到外部。

附图

[ 图 0001]