Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2019032413) INSPECTION-GUIDED CRITICAL SITE SELECTION FOR CRITICAL DIMENSION MEASUREMENT
Latest bibliographic data on file with the International BureauSubmit observation

Pub. No.: WO/2019/032413 International Application No.: PCT/US2018/045303
Publication Date: 14.02.2019 International Filing Date: 06.08.2018
IPC:
H01L 21/66 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
66
Testing or measuring during manufacture or treatment
Applicants:
KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035, US
Inventors:
SARASWATULA, Jagdish Chandra; IN
YATI, Arpit; IN
PATHANGI, Hari Sriraman; IN
Agent:
MCANDREWS, Kevin; US
MORRIS, Elizabeth M. N.; US
Priority Data:
15/904,40225.02.2018US
20174102795707.08.2017IN
62/559,82018.09.2017US
Title (EN) INSPECTION-GUIDED CRITICAL SITE SELECTION FOR CRITICAL DIMENSION MEASUREMENT
(FR) SÉLECTION DE SITE CRITIQUE GUIDÉE PAR INSPECTION POUR UNE MESURE DE DIMENSION CRITIQUE
Abstract:
(EN) Systems and methods for determining location of critical dimension (CD) measurement or inspection are disclosed. Real-time selection of locations to take critical dimension measurements based on potential impact of critical dimension variations at the locations can be performed. The design of a semiconductor device also can be used to predict locations that may be impacted by critical dimension variations. Based on an ordered location list, which can include ranking or criticality, critical dimension can be measured at selected locations. Results can be used to refine a critical dimension location prediction model.
(FR) La présente invention concerne des systèmes et des procédés permettant de déterminer l'emplacement d'une mesure ou d'une inspection de dimension critique (CD). Il est possible de sélectionner en temps réel des emplacements destinés à la prise de mesures de dimensions critiques, sur la base d'un impact potentiel des variations de dimension critiques au niveau desdits emplacements. La conception d'un dispositif à semi-conducteur peut également être utilisée pour prédire des emplacements qui peuvent être impactés par des variations de dimension critique. Sur la base d'une liste d'emplacements ordonnés, qui peut comprendre un classement ou une criticité, une dimension critique peut être mesurée à des emplacements sélectionnés. Des résultats peuvent être utilisés pour affiner un modèle de prédiction d'emplacement de dimension critique.
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)