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1. (WO2019032373) VOID FORMATION FOR CHARGE TRAP STRUCTURES
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Pub. No.: WO/2019/032373 International Application No.: PCT/US2018/044990
Publication Date: 14.02.2019 International Filing Date: 02.08.2018
IPC:
H01L 27/11582 (2017.01) ,H01L 27/11568 (2017.01)
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Applicants:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Inventors:
CARLSON, Chris M.; US
Agent:
PERDOK, Monique M.; US
ARORA, Suneel; US
BEEKMAN, Marvin L.; US
BLACK, David W.; US
SCHEER, Bradley W.; US
Priority Data:
15/675,19711.08.2017US
Title (EN) VOID FORMATION FOR CHARGE TRAP STRUCTURES
(FR) FORMATION DE VIDES POUR STRUCTURES DE PIÉGEAGE DE CHARGES
Abstract:
(EN) Various embodiments include methods and apparatus having a number of charge trap structures, where each charge trap structure includes a dielectric barrier between a gate and a blocking dielectric region, the blocking dielectric region located on a charge trap region of the charge trap structure. At least a portion of the gate can be separated by a void from a region which the charge trap structure is directly disposed. Additional apparatus, systems, and methods are disclosed.
(FR) Divers modes de réalisation de la présente invention comprennent des procédés et un appareil ayant un certain nombre de structures de piégeage de charges, chaque structure de piégeage de charges comprenant une barrière diélectrique entre une grille et une région diélectrique de blocage, la région diélectrique de blocage étant située sur une région de piégeage de charges de la structure de piégeage de charges. Au moins une partie de la grille peut être séparée par un vide à partir d'une région dans laquelle la structure de piégeage de charges est directement disposée. La présente invention concerne en outre un appareil, des systèmes et des procédés supplémentaires.
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)