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1. (WO2019031409) PATTERN FORMING METHOD
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Pub. No.: WO/2019/031409 International Application No.: PCT/JP2018/029246
Publication Date: 14.02.2019 International Filing Date: 03.08.2018
IPC:
H01L 21/027 (2006.01) ,B29C 59/02 (2006.01) ,C08F 20/00 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027
Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing, not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34165
B PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
29
WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
C
SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE, IN GENERAL; AFTER- TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
59
Surface shaping, e.g. embossing; Apparatus therefor
02
by mechanical means, e.g. pressing
C CHEMISTRY; METALLURGY
08
ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
F
MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
20
Homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide, or nitrile thereof
Applicants:
キヤノン株式会社 CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 1468501, JP
Inventors:
齋藤 有弘 SAITO Tomohiro; JP
伊藤 俊樹 ITO Toshiki; JP
大谷 智教 OTANI Tomonori; JP
Agent:
岡部 讓 OKABE Yuzuru; JP
齋藤 正巳 SAITO Masami; JP
Priority Data:
2017-15571510.08.2017JP
Title (EN) PATTERN FORMING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
(JA) パターン形成方法
Abstract:
(EN) Provided is a pattern forming method which has a high filling rate and a small contact angle of a resist on a layer that is mainly composed of carbon such as SOC, and which is free from the occurrence of pattern separation. This pattern forming method sequentially comprises in the following order: an arrangement step wherein a curable composition is arranged on a base layer (102) of a substrate (101); a mold contact step wherein the curable composition and a mold (106) are brought into contact with each other; a light irradiation step wherein the curable composition is irradiated with light, thereby forming a cured film (108); and a mold release step wherein the cured film (108) and the mold (106) are separated from each other. With respect to this pattern forming method, the proportion of the number of carbon atoms relative to the total number of atoms in the base layer (102) is 80% or more; and the arrangement step comprises a first arrangement step wherein a curable composition (A1) (103) that does not substantially contain a fluorine-based surfactant is arranged on the base layer (102), and a second arrangement step wherein droplets of a curable composition (A2) (104), which has a fluorine-based surfactant concentration of 1.1% by mass or less in the components excluding the solvent, are discretely dropped on the curable composition (A1) (103).
(FR) L'invention concerne un procédé de formation de motif ayant un taux de remplissage élevé et un petit angle de contact d'une réserve sur une couche qui est principalement composée de carbone comme le COS et sur laquelle il n'y a pas de séparation de motif. Ce procédé de formation de motif comprend consécutivement dans l'ordre suivant : une étape d'agencement dans laquelle une composition durcissable est disposée sur une couche de base (102) d'un substrat (101) ; une étape de contact de moule dans laquelle la composition durcissable et un moule (106) sont mis en contact l'un avec l'autre ; une étape d'exposition à lumière dans laquelle la composition durcissable est exposée à la lumière, formant ainsi un film durci (108) ; et une étape de démoulage dans laquelle le film durci (108) et le moule (106) sont séparés l'un de l'autre. Par rapport à ce procédé de formation de motif, la proportion du nombre d'atomes de carbone par rapport au nombre total d'atomes dans la couche de base (102) est de 80 % ou plus. L'étape d'agencement comprend une première étape d'agencement dans laquelle une composition durcissable (A1) (103) ne contenant sensiblement pas de tensioactif à base de fluor est disposée sur la couche de base (102), et une seconde étape d'agencement dans laquelle des gouttelettes d'une composition durcissable (A2) (104), ayant une concentration de tensioactif à base de fluor de 1,1 % en masse ou moins dans les constituants à l'exception du solvant, sont déposées individuellement sur la composition durcissable (A1) (103).
(JA) SOC等のカーボンを主成分とする層上でレジストの接触角が小さく、充填速度が速くパターン剥がれが起こらないパターン形成方法を提供する。そのパターン形成方法は、基板(101)の下地層(102)上に硬化性組成物を配置する配置工程と、硬化性組成物とモールド(106)とを接触させる型接触工程と、硬化性組成物に光を照射して硬化膜(108)とする光照射工程と、硬化膜(108)とモールド(106)とを引き離す離型工程と、をこの順に有するパターン形成方法であって、下地層(102)中の総原子数に対する炭素原子数の割合が80%以上であり、配置工程は、フッ素系界面活性剤を実質的に含まない硬化性組成物(A1)(103)を下地層(102)上に配置する第一の配置工程と、硬化性組成物(A1)(103)の上に、溶剤を除く成分中のフッ素系界面活性剤濃度が1.1質量%以下である硬化性組成物(A2)(104)の液滴を離散的に滴下する第二の配置工程を有する。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)