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1. (WO2019030858) DISPLAY DEVICE, DISPLAY DEVICE PRODUCTION METHOD, AND DISPLAY DEVICE PRODUCTION DEVICE
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明 細 書

発明の名称 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置

技術分野

0001  

背景技術

0002   0003   0004  

先行技術文献

特許文献

0005  

発明の概要

発明が解決しようとする課題

0006  

課題を解決するための手段

0007   0008   0009  

発明の効果

0010  

図面の簡単な説明

0011  

発明を実施するための形態

0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048   0049   0050   0051   0052   0053   0054   0055   0056   0057   0058   0059   0060   0061   0062   0063   0064   0065   0066   0067   0068   0069   0070   0071   0072   0073   0074   0075   0076   0077   0078   0079   0080   0081   0082   0083   0084   0085   0086   0087   0088   0089   0090   0091   0092   0093   0094   0095   0096   0097   0098   0099   0100   0101   0102   0103   0104   0105   0106   0107   0108   0109   0110   0111   0112   0113   0114   0115   0116   0117   0118   0119  

符号の説明

0120  

請求の範囲

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   22   23   24   25   26   27   28   29   30  

図面

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   22   23   24   25   26   27   28   29   30  

明 細 書

発明の名称 : 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置

技術分野

[0001]
 本発明は、アクティブ領域において発光素子を有する発光層を備える表示デバイスに関する。

背景技術

[0002]
 一般に、基材上において発光素子を備えた表示デバイスに、外部モジュールを実装する場合、外部モジュールをアクティブ領域の外側の非アクティブ領域に実装する。この場合、デバイスの一面全体を表示面とすることができず、表示デバイスのデザイン性を低下させる。デバイスの表示面の設計自由度を向上させ、デザイン性を向上させた表示デバイスを提供するために、表示デバイスのアクティブ領域に外部モジュールを担持させる構成が考えられる。
[0003]
 表示デバイスのアクティブ領域に外部モジュールを担持させるために、表示デバイスのアクティブ領域に開口を形成すると、開口の端面から水分等の異物が侵入する場合がある。このため、当該異物によって発光素子が失活し、開口周囲における表示の異常が発生する虞がある。
[0004]
 特許文献1においては、非発光領域よりも外周側の発光領域において、発光素子を備えた有機発光層の端面が封止層によって覆われている構造を備える有機EL装置と、当該装置の製造方法について記載されている。

先行技術文献

特許文献

[0005]
特許文献1 : 日本国公開特許公報「特開2014-197623号(2014年10月16日公開)」

発明の概要

発明が解決しようとする課題

[0006]
 特許文献1の有機EL装置の製造工程においては、有機発光層の形成後に、レーザースクライブ装置を用いて、領域を分断する溝を形成する必要がある。このため、レーザースクライブ装置の使用時に、有機発光層の発光素子にダメージを与える可能性がある。

課題を解決するための手段

[0007]
 上記課題を解決するために、本願の表示デバイスは、基材と、該基材の上に形成されたTFT層と、該TFT層の上に形成された有機絶縁膜と、該有機絶縁膜の上に形成された発光層と、該発光層の上に形成された封止層と、を備えた表示デバイスであって、表示に寄与するアクティブ領域と、該アクティブ領域の端部に囲まれる位置に形成された切り欠き部とを含み、該切り欠き部が形成された前記アクティブ領域の周端側には、凸部が形成され、該凸部において前記発光層が段切れする。
[0008]
 また、本願の表示デバイスの製造方法は、基材と、該基材の上に形成されたTFT層と、該TFT層の上に形成された有機絶縁膜と、該有機絶縁膜の上に形成された発光層と、該発光層の上に形成された封止層と、を備えた表示デバイスの製造方法であって、前記発光層よりも下層に凸部を形成する凸部形成工程と、前記有機絶縁膜と前記凸部との上に前記発光層を形成し、前記凸部において前記発光層を段切れさせる発光層形成工程と、前記凸部に囲まれた位置において、切り欠き部を形成する切り欠き部形成工程とを備える。
[0009]
 また、本願の表示デバイスの製造装置は、基材と、該基材の上に形成されたTFT層と、該TFT層の上に形成された有機絶縁膜と、該有機絶縁膜の上に形成された発光層と、該発光層の上に形成された封止層と、を備えた表示デバイスの製造装置であって、前記発光層よりも下層の凸部と、前記有機絶縁膜と前記凸部との上の前記発光層とを形成し、前記凸部において前記発光層を段切れさせる成膜装置と、前記凸部に囲まれた位置において、切り欠き部を形成する切り欠き部形成装置とを備える。

発明の効果

[0010]
 本願の表示デバイスは、アクティブ領域の端部に囲まれる位置に形成された切り欠き部を備え、該切り欠き部が形成された前記アクティブ領域の周端側には、凸部が形成され、該凸部において前記発光層が段切れする。このため、アクティブ領域における発光層への異物の侵入を低減した表示デバイスを、表示面の設計自由度を維持しつつ、発光層へのダメージを低減した製造方法により提供できる。

図面の簡単な説明

[0011]
[図1] 本発明の実施形態1に係る表示デバイスのアクティブ領域と外部モジュールとの境界周囲を示す側断面図である。
[図2] 本発明の実施形態1に係る表示デバイスの上面図である。
[図3] 本発明の実施形態1に係る表示デバイスの画素領域周囲を示す断面図である。
[図4] 本発明の実施形態1に係る表示デバイスの製造工程を示すフローチャートである。
[図5] 本発明の実施形態1に係る表示デバイスの凸部、および発光層の製造工程を示すフローチャートである。
[図6] 本発明の実施形態1に係る表示デバイスの製造工程を順に示す工程断面図である。
[図7] 本発明の実施形態1に係る表示デバイスの製造工程を順に示す他の工程断面図である。
[図8] 本発明の実施形態1に係る表示デバイスの製造工程を順に示す他の工程断面図である。
[図9] 本発明の実施形態1に係る表示デバイスの製造工程を順に示す他の工程断面図である。
[図10] 本発明の実施形態1に係る表示デバイスの製造工程を順に示す他の工程断面図である。
[図11] 本発明の実施形態1に係る表示デバイスの映像信号線の引き回しとドライバの配置との例を示す図である。
[図12] 本発明の実施形態2に係る表示デバイスのアクティブ領域と外部モジュールとの境界周囲を示す側断面図である。
[図13] 本発明の実施形態2に係る表示デバイスの切り欠き部9の周囲を示す上面図である。
[図14] 本発明の実施形態2に係る表示デバイスの製造工程を順に示す工程断面図である。
[図15] 本発明の実施形態2に係る表示デバイスの製造工程を順に示す他の工程断面図である。
[図16] 本発明の実施形態2に係る表示デバイスの製造工程を順に示す他の工程断面図である。
[図17] 本発明の実施形態2に係る表示デバイスの製造工程を順に示す他の工程断面図である。
[図18] 本発明の実施形態3に係る表示デバイスのアクティブ領域と外部モジュールとの境界周囲を示す側断面図である。
[図19] 本発明の実施形態3に係る表示デバイスの製造工程を順に示す工程断面図である。
[図20] 本発明の実施形態3に係る表示デバイスの製造工程を順に示す他の工程断面図である。
[図21] 本発明の実施形態4に係る表示デバイスのアクティブ領域と外部モジュールとの境界周囲を示す側断面図である。
[図22] 本発明の実施形態4に係る表示デバイスの製造工程を順に示す工程断面図である。
[図23] 本発明の実施形態4に係る表示デバイスの製造工程を順に示す他の工程断面図である。
[図24] 本発明の実施形態5に係る表示デバイスの映像信号線の引き回しとドライバの配置との例を示す図である。
[図25] 本発明の実施形態6に係る表示デバイスのアクティブ領域と外部モジュールとの境界周囲を示す側断面図である。
[図26] 本発明の実施形態6に係る表示デバイスの切り欠き部9の周囲を示す上面図である。
[図27] 本発明の実施形態7に係る表示デバイスのアクティブ領域と外部モジュールとの境界周囲を示す側断面図である。
[図28] 本発明の実施形態8に係る表示デバイスのアクティブ領域と外部モジュールとの境界周囲を示す側断面図である。
[図29] 本発明の実施形態9に係る表示デバイスのアクティブ領域と外部モジュールとの境界周囲を示す側断面図である。
[図30] 本発明の各実施形態に係る表示デバイスの製造装置を示すブロック図である。

発明を実施するための形態

[0012]
  〔実施形態1〕
 図2は、実施形態1に係る表示デバイス2を示す上面図である。図1は、図2におけるA-A線矢視断面図であり、すなわち、表示デバイス2の外部モジュール43の外縁の周囲における断面図を示す。図3は、表示デバイス2の発光層5を含む画素領域の周囲における断面図を示す。
[0013]
 本実施形態に係る表示デバイスの製造方法を、図4に示すフローチャートに従い、図1から図3を参照して説明する。
[0014]
 図3の(b)に示すように、まず、基材10上に樹脂層12を形成する(ステップS1)。次いで、バリア層3を形成する(ステップS2)。次いで、ゲート絶縁膜16およびパッシベーション膜18・20および有機層間膜21を含むTFT層4を形成する(ステップS3)。次いで、図1に示す凸部8と、発光層(例えば、OLED素子層)5とを形成する(ステップS4)。次いで、無機封止膜27、および無機封止膜29を含む封止層6を形成し、積層体7とする(ステップS5)。次いで、切り欠き部9を形成する(ステップS10)。次いで、切り欠き部9に外部モジュール43を実装する(ステップS11)。次いで、基材10とともに積層体7を分断し、個片化する(ステップS12)。次いで、接着層38を介して機能フィルム39を貼り付ける(ステップS13)。次いで、TFT層4の端部に電子回路基板を実装する(ステップS14)。これにより、図3に示す表示デバイス2を得る。
[0015]
 なお、フレキシブルな表示デバイスを製造する場合には、図3の(a)に示すように、例えば、始めにガラス基板50上に積層体7(樹脂層12、バリア層3、TFT層4、発光層5および封止層6)を形成する。次いで、上面フィルムを貼り付け(ステップS6)ガラス基板50越しに樹脂層12の下面にレーザ光を照射する(ステップS7)。ここでは、樹脂層12の下面(ガラス基板50との界面)がアブレーションによって変質し、樹脂層12およびガラス基板50間の結合力が低下する。次いで、ガラス基板50を樹脂層12から剥離する(ステップS8)。次いで、樹脂層12の下面に、接着層11を介して基材10(例えば、PET等で構成された下面フィルム)を貼り付ける(ステップS9)。その後上記ステップS10に移行する。
[0016]
 樹脂層12の材料としては、例えば、ポリイミド、エポキシ、ポリアミド等が挙げられる。下面フィルムの材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)が挙げられる。
[0017]
 バリア層3は、表示デバイスの使用時に、水分または不純物等の異物が、TFT層4または発光層5に到達することを防ぐ層である。バリア層3は、例えば、CVDにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
[0018]
 TFT層4は、半導体膜15と、ゲート絶縁膜16と、ゲート電極Gと、パッシベーション膜18・20と、容量電極Cと、端子TMと、ソース配線Sと、ドレイン配線極Dと、有機層間膜(平坦化膜)21とを含む。ゲート絶縁膜16は半導体膜15よりも上層に形成される。ゲート電極Gはゲート絶縁膜16よりも上層に形成される。パッシベーション膜18・20はゲート電極Gよりも上層に形成される。容量電極Cおよび端子TMはパッシベーション膜18よりも上層に形成される。ソース配線Sおよびドレイン配線極Dはパッシベーション膜20よりも上層に形成される。有機層間膜21は、ソース配線Sおよびドレイン配線Dよりも上層に形成される。半導体膜15、ゲート絶縁膜16、およびゲート電極Gを含むように薄層トランジスタ(TFT)が構成される。非アクティブ領域において、TFT層4が備える金属層には、電子回路基板との接続に用いられる複数の端子が形成される。
[0019]
 半導体膜15は、例えば低温ポリシリコン(LTPS)あるいは酸化物半導体で構成される。ゲート絶縁膜16は、例えば、CVD法によって形成された、酸化シリコン(SiOx)膜あるいは窒化シリコン(SiNx)膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。ゲート電極G、ソース電極S、ドレイン電極D、および端子は、例えば、金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。当該金属は、例えば、アルミニウム(Al)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、チタン(Ti)、銅(Cu)の少なくとも1つを含む。なお、図2では、半導体膜15をチャネルとするTFTがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい(例えば、TFTのチャネルが酸化物半導体の場合)。
[0020]
 ゲート絶縁膜16およびパッシベーション膜18・20は、例えば、CVD法によって形成された、酸化シリコン(SiOx)膜あるいは窒化シリコン(SiNx)膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。有機層間膜21は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
[0021]
 発光層5(例えば、有機発光ダイオード層)は、第1電極22(例えば、アノード電極)と、有機絶縁膜23と、EL(electroluminescence)発光層24と、EL共通層25と、第2電極26とを含む。第1電極22は有機層間膜21よりも上層に形成される。
有機絶縁膜23は第1電極22のエッジを覆う。EL発光層24およびEL共通層25は第1電極22よりも上層に形成される。第2電極26はEL発光層24およびEL共通層25よりも上層に形成される。発光素子(例えば、有機発光ダイオード)は、第1電極22、EL発光層24、EL共通層25、および第2電極26によって構成される。アクティブ領域DAの有機絶縁膜23は、サブピクセルを規定するバンク(画素隔壁)として機能する。アクティブ領域DAに形成された発光層5は、表示デバイス2の表示に寄与する有効層として機能する。
[0022]
 有機絶縁膜23は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。有機絶縁膜23は、例えば、アクティブ領域DAとアクティブ領域DAの外側の非アクティブ領域とに対してスリットコート方式で塗布することができる。
[0023]
 EL発光層24は、有機絶縁膜23によって囲まれた領域(サブピクセル領域)に、蒸着法によって形成される。EL共通層25は、例えば、第1電極22および有機絶縁膜23上に、蒸着法によって形成される。発光層5が有機発光ダイオード(OLED)層である場合、EL発光層24およびEL共通層25は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。なお、EL共通層25のように、EL発光層24の1以上の層を(複数の画素で共有する)共通層とすることもできる。
[0024]
 第1電極(陽極)22は、例えばITO(Indium Tin Oxide)とAgを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。第2電極(例えば、カソード電極)26は、共通電極であり、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)等の透明金属で構成することができる。
[0025]
 発光層5がOLED層である場合、第1電極22および第2電極26間の駆動電流によって正孔と電子がEL発光層24内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。発光層5は、OLED素子を構成する場合に限られず、無機発光ダイオードあるいは量子ドット発光ダイオードを構成してもよい。
[0026]
 封止層6は発光層5を覆い、水、酸素等の異物の発光層5への浸透を防ぐ。封止層6は、有機絶縁膜23および第2電極26を覆う無機封止膜27と、無機封止膜27よりも上層に形成され、無機封止膜27を覆う無機封止膜29とを含む。
[0027]
 機能フィルム39は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する。これらの1以上の機能を有する層が発光層5よりも上層に積層されている場合には、機能フィルム39を薄くしたり、除いたりすることもできる。電子回路基板は、例えば、図2に示す端子TM上に実装されるICチップあるいはフレキシブルプリント基板(FPC)である。
[0028]
 図1に示すように、表示デバイス2は、表示面から基材10まで連通する切り欠き部9を備え、切り欠き部9に外部モジュール43を担持する。図2に示すように、外部モジュール43は表示デバイス2の表示に寄与するアクティブ領域DAの端部に囲まれる位置に形成された切り欠き部の内部に担持される。すなわち、切り欠き部9の全周囲方向には、アクティブ領域DAが存在している。
[0029]
 図1に示すように、アクティブ領域DAと切り欠き部9との間には、額縁領域SAが形成されている。図2に示すように、額縁領域SAは、切り欠き部9に担持される外部モジュール43の外側全周を囲う位置に形成される。額縁領域SAにおける有機絶縁膜23の上層には、図1に示すように、凸部8とEL共通層25と第2電極26とが、この順に積層されている。
[0030]
 凸部8は、金属材料を備えた金属層40と、金属層40の上層に形成され、感光性樹脂を備えるレジスト層41を備える。金属層40の側面のうち、アクティブ領域DAに近接する側面は、表示面から基材10に向かって、切り欠き部9に向かう側に傾斜する、逆テーパー面40tを備える。平面視において、逆テーパー面40tと重なる有機絶縁膜23の上面23tには、EL共通層25の端面25tが形成されている。
[0031]
 アクティブ領域DAにおけるEL共通層25および第2電極26は、第1電極22、有機絶縁膜23、およびEL発光層24の何れかの上層に形成されている。一方、額縁領域SAにおけるEL層25sおよび第2電極26sは、凸部8の上層に形成されている。さらに、アクティブ領域DAと額縁領域SAとの間において、EL共通層25および第2電極26のそれぞれは連続していない。すなわち、アクティブ領域DAと額縁領域SAとの間において、発光層5は段切れしている。発光層5の段切れにより、EL共通層25は端面25tを、第2電極26は端面26tを備える。端面25t・26tは、無機封止膜27によって覆われている。
[0032]
 本実施形態に係る表示デバイス2の額縁領域SAおよび切り欠き部9における部材の製造方法について、図5から図10を参照して詳細に説明する。
[0033]
 図5は図4のステップS4に示される、凸部8と発光層5との形成について、より詳細に説明するためのフローチャートである。図5のフローチャートに沿って、図6から図8に示す工程断面図を参照して、凸部8と発光層5との形成方法を説明する。
[0034]
 まず、ガラス基板50からTFT層4まで形成した後、図6の(a)に示すように、第1電極22を形成する(ステップS4-1)。この際、第1電極22とドレイン電極Dとの導通がとれるように、有機層間膜21に空けられたコンタクトホールに第1電極22を形成する。次いで、図6の(b)に示すように、有機絶縁膜23を塗布し、平面視において、第1電極22と重なる位置に開口を設けることにより、図7の(a)に示す有機絶縁膜23を形成する(ステップS4-2)。この際、第1電極22の端面を有機絶縁膜23が覆うように、有機絶縁膜23を形成する。
[0035]
 次いで、有機絶縁膜23上に金属層40を成膜し(ステップS4-3)、金属層40の上層にレジスト層41を成膜し(ステップS4-4)、マスク越しのフォトリソグラフィによりレジスト層41をパターニングする。これにより、図7の(b)に示す凸部層8Aを成膜する。
[0036]
 次いで、レジスト層41越しに金属層40を、等方性エッチングによりエッチングする(ステップS4-5)。この際、金属層40のエッチングによって、第1電極22のエッチングが行われないように、第1電極22および金属層40に使用される材料、およびエッチング液の選択を行う。本実施形態においては、第1電極22は、Ti/Al/Tiの積層体であるため、エッチング液は、Tiをエッチングしないものを使用する。さらに、金属層40は、Tiとは異なる、上述のエッチング液によってエッチングされる金属材料を備える。
[0037]
 等方性エッチングの特性により、レジスト層41の端部においては、レジスト層41の下方の金属層40も一部回り込んでエッチングされる。このようなレジスト層41の下方の金属層40のエッチングにより、図8の(a)に示す逆テーパー面40tを側面に備えた凸部8が得られる。
[0038]
 次いで、EL発光層24およびEL共通層25を形成する(ステップS4-6)。この際、EL共通層25は、ガラス基板50よりも表示面側の上方から、蒸着法により形成される。このため、EL共通層25は、凸部8の逆テーパー面40tおよびレジスト層41によって、平面視において陰となる、有機絶縁膜23の上面23tまで回り込んで形成されない。さらに、有機絶縁膜23の上面と凸部8の上面とは、ガラス基板50からの高さが異なるため、凸部8の端部において、EL共通層25は段切れをおこす。このため、凸部8の上層には、アクティブ領域DAにおけるEL共通層25と連続しないEL共通層25が形成される。したがって、平面視において、逆テーパー面40tと重なる位置に、EL共通層25の端面25tが存在することとなる。
[0039]
 次いで、第2電極26を形成する(ステップS4-7)。このステップにおいても、上記と同様に、有機絶縁膜23の上面23tには第2電極26は形成されない。また、第2電極26の段切れが発生し、凸部8におけるEL共通層25sの上層に、アクティブ領域DAにおける第2電極26と連続しない第2電極26sが形成される。この場合においても、平面視において、逆テーパー面40tと重なる位置に、第2電極26の端面26tが存在することとなる。以上により、図8の(b)に示す、発光層5が形成される。
[0040]
 続いて、図9および図10を参照して、図4に示すステップS5からステップS11までをより詳細に説明する。
[0041]
 まず、発光層5上層に封止層6を形成する(ステップS5)。封止層6のうち最下層の無機封止膜27は、CVDを使用して成膜する。このため、無機封止膜27は、凸部8の逆テーパー面40tおよびレジスト層41によって、平面視において陰となる、有機絶縁膜23の上面23tまで回り込んで形成される。したがって、露出していたEL共通層25の端面25tと第2電極26の端面26tとは、無機封止膜27によって覆われる。
[0042]
 ついで、ステップS6からステップS9を行う。すなわち、封止層6の上面に、接着層38を介して機能フィルム39を貼り付け、ガラス基板50を樹脂層12から剥離し、樹脂層12の下面に、接着層11を介して基材10を貼り付ける。これにより、図9の(a)に示す積層構造を得る。
[0043]
 次いで、凸部8を含む積層体を穿孔し、切り欠き部9を形成する(ステップS6)。穿孔は、図9の(b)に示す、レーザカッターからのレーザ44等によって行ってもよい。レーザ44は、フェムトレーザ、YAGレーザ、またはパルスレーザであってもよい。また、レーザ44による穿孔の際には、積層体にあまり熱が発生しないことが好ましい。さらに、積層体のそれぞれの層の加工に適する出力を得るために、レーザ44による穿孔の途中において、レーザ44の出力を変更してもよい。
[0044]
 穿孔により、図10の(a)に示す切り欠き部9が得られる。これにより、切り欠き部9から凸部8が形成されている領域が額縁領域SAとなり、凸部8の周囲側の領域がアクティブ領域DAとなる。最後に、切り欠き部9に外部モジュール43を実装する(ステップS7)ことにより、図10の(b)に示す構造が得られる。この後、ステップS8以降を実行することにより、図1に示す表示デバイス2が得られる。
[0045]
 図11は、発光層5の発光素子の駆動に使用される、ゲートドライバと、ソースドライバと、それぞれのドライバからの配線とを示す図である。表示デバイス2は、第1ゲートドライバ46と、第1ソースドライバ47とを備える。第1ゲートドライバ46と、第1ソースドライバ47とは、それぞれアクティブ領域DAの外側に形成される。第1ゲートドライバ46からの配線と第1ソースドライバ47からの配線とは、互いに略直交するように配される。このとき、額縁領域SAおよび外部モジュール43が存在する位置においては、配線が配されないように、額縁領域SAおよび外部モジュール43を迂回して配線が配される。
[0046]
 本実施形態の表示デバイス2は、アクティブ領域DA中に切り欠き部9を有し、外部モジュール43を切り欠き部9に実装している。このため、アクティブ領域DAよりも外側に、外部モジュール43を実装するための領域を別途形成する必要が無い。このため、表示デバイス2の端部近くまでをアクティブ領域DAとすることが可能であり、表示面の設計の自由度が増す。
[0047]
 また、凸部8において発光層5が段切れし、アクティブ領域DAの発光層5の端面が封止層6によって覆われている。このため、表示に寄与する有効層であるアクティブ領域DAの発光層5に、切り欠き部9から水分等の異物が侵入する可能性を低減することができる。
[0048]
 また、凸部8を形成することにより、比較的簡素な構造によって、発光層5を段切れさせ、発光層5の端面に、凸部8の陰を作成することができる。このため、比較的簡単に発光層5の端面を封止層6によって覆うことができる。
[0049]
 また、額縁領域SAにおける積層体に異物が侵入した場合であっても、額縁領域SAが表示に寄与しない領域であるため、表示デバイス2の表示の劣化を低減する。
[0050]
  〔実施形態2〕
 図12は、本実施形態に係る表示デバイス2の外部モジュール43の外縁の周囲における断面図を示す。本実施形態に係る表示デバイス2は、前実施形態と比較して、金属層40の側面が切り欠き部9側においても逆テーパーを有し、封止層6がさらに有機封止膜28を備え、封止層6が凸部8上において端部を備える点が相違する。さらに、本実施形態に係る表示デバイス2は、切り欠き部9が形成されたアクティブ領域DAの周端に、基材10より上層の無機層のスリットS1を備える。
[0051]
 図13は、本実施形態に係る表示デバイス2の切り欠き部9の周囲における概略上面図である。切り欠き部9が形成されたアクティブ領域DAの周端には、切り欠き部9に向かって、凸部8およびスリットS1が、この順において形成されている。すなわち、凸部8およびスリットS1は、何れも切り欠き部9を取り囲む、額縁領域SAに形成される。
[0052]
 図12に示す表示デバイス2の製造方法を、図14から図17に示す工程断面図を参照して説明する。
[0053]
 まず、前実施形態と同様に、有機絶縁膜23の塗布までを行う。次いで、有機絶縁膜23のパターニングを行う。この際、有機絶縁膜23の第1電極22の上面と重なる位置に開口を形成するために、有機絶縁膜23を除去する。同時に、本実施形態においては、図14の(a)に示すように、第1電極22の形成されていない、積層体の一部において、バリア層3から有機絶縁膜23までを除去し、凹部45を形成する。
[0054]
 次いで、金属層40およびレジスト層41を成膜し、マスク越しのフォトリソグラフィによりレジスト層41をパターニングする。図14の(b)に示す凸部層8Aを成膜する。次いで、レジスト層41越しに金属層40を、等方性エッチングによりエッチングし、図15の(a)に示す逆テーパー面40tを得る。この際、レジスト層41は凹部45の上部には形成されないため、凹部45には金属層40が存在せず、金属層40には、凹部45側の端面においても逆テーパーが形成される。
[0055]
 次いで、EL発光層24およびEL共通層25を蒸着法により形成し、発光層5を形成する。この際、本実施形態においては、蒸着に使用するマスクの形状を設計することにより、図15の(b)に示すように、凹部45にEL発光層24およびEL共通層25を形成しない。しかしながら、前実施形態と同様のマスクを使用して、凹部45にEL発光層24およびEL共通層25を形成してもよい。
[0056]
 次いで、発光層5の上層に封止層6を形成する。本実施形態においては、無機封止膜27・29の間に、有機封止膜28を形成してもよい。有機封止膜28は、無機封止膜29のバッファ層として機能する。この際、封止層6の成膜が、凸部8上の発光層5上にて止まるように形成を行う。このため、図16の(a)に示すように、封止層6は凹部45には形成されない。さらに、無機封止膜29は、有機封止膜28の端面を覆い、無機封止膜27と接触する。このため、有機封止膜28の端面から、異物がアクティブ領域DA側に侵入することを低減できる。
[0057]
 次いで、切り欠き部9を形成するために、レーザ44等によって積層体を穿孔する。本実施形態においては、図16の(b)に示すように、凹部45において露出した有機層である樹脂層12と、基材であるガラス基板50のみを穿孔して、図17の(a)に示す、切り欠き部9を形成する。この際、図17の(a)に示すように、ガラス基板50より上層の無機層のスリットS1が形成される。次いで、図17の(b)に示すように、切り欠き部9に外部モジュール43を実装し、前実施形態と同様に、ステップS8以降を実行することにより、図12に示す表示デバイス2が得られる。
[0058]
 本実施形態に係る表示デバイス2は、切り欠き部9を形成する際に、基材であるガラス基板50と、ガラス基板50の上層の有機層である樹脂層12とを穿孔する。すなわち、切り欠き部9の形成の際に、ガラス基板50よりも上層の無機層を穿孔しない。このため、切り欠き部9の形成の際に、無機層を穿孔することによりクラックが発生する可能性を低減できる。
[0059]
  〔実施形態3〕
 図18は、本実施形態に係る表示デバイス2の外部モジュール43の外縁の周囲における断面図を示す。本実施形態に係る表示デバイス2は、実施形態1と比較して、第1電極22と金属層40とが、コンタクト部40hにおいて電気的に導通する点においてのみ相違する。図18に示す表示デバイス2の製造方法を、図19に示す工程断面図を参照して説明する。
[0060]
 まず、図19の(a)および(b)に示すように、第1電極22を形成し、有機絶縁膜23を成膜する工程までを完了させる。この際、前述の実施形態と比較して、外部モジュール43を実装する側において、第1電極22をより大きく形成する。次いで、有機絶縁膜23のパターニングにおいて、第1電極22の上面と重なる位置に加えて、外部モジュール43を実装する側の端部において、上面と重なる位置においても、一部有機絶縁膜23を除去する。このため、有機絶縁膜23には、図20の(a)に示すように、第1電極22の上面と重なる位置に、EL発光層24が形成される開口に加えて、コンタクトホール23hが形成される。
[0061]
 次いで、凸部層8Aを成膜する。ここで、図20の(b)に示すように、金属層40をコンタクトホール23h中においても形成することにより、第1電極22と金属層40とを電気的に導通させるためのコンタクト部40hを形成する。この後、図5に示すステップS4-5以降および図4に示すステップS5以降を前述の実施形態と同様に実行することにより、図18に示す表示デバイス2を得る。
[0062]
 本実施形態に係る表示デバイス2は、第1電極22と金属層40とが電気的に導通する。このため、金属層40を第1電極22への電圧印加を行うための補助端子として使用することが可能となる。さらに、金属層40の上層に対してもコンタクトホールを形成し、第2電極26と金属層40とを電気的に導通させることが可能である。上記構成により、凸部8における第2電極26を第1電極22への電圧印加を行うための補助端子として使用することが可能となる。
[0063]
  〔実施形態4〕
 図21は、本実施形態に係る表示デバイス2の外部モジュール43の外縁の周囲における断面図を示す。本実施形態に係る表示デバイス2は、実施形態1と比較して、凸部8がレジスト層41のみを備え、レジスト層41の側面のうち、アクティブ領域DAに近接する側面に、逆テーパー面41tを備える点においてのみ相違する。逆テーパー面41tは、表示面から基材10に向かって、切り欠き部9に向かう側に傾斜する。さらに、本実施形態においては、レジスト層41は、ネガ型の感光性樹脂を含む。図21に示す表示デバイス2の製造方法を、図22および図23に示す工程断面図を参照して説明する。
[0064]
 まず、図22の(a)に示すように、有機絶縁膜23を成膜し、パターニングする工程までを完了させる。次いで、図22の(b)に示すように、レジスト層41を有機絶縁膜23および第1電極22の上層に塗布する。この状態において、最終的に切り欠き部9および額縁領域SAを設ける位置のみに孔が形成されたマスク越しに、レジスト層41を露光し、現像液にて洗浄することにより、レジスト層41を現像する。
[0065]
 この際、マスクの上方から露光を行うと、下方側ほど露光量が少なくなる。したがって、レジスト層41はネガ型の感光性樹脂を含むため、マスクの端部近くのレジスト層41には、現像後に、図23の(a)に示す逆テーパー面41tが形成される。
[0066]
 この状態から、EL発光層24、EL共通層25、および第2電極26の形成を行うことにより、前述の実施形態と同様に、図23の(b)に示す、発光層5が得られる。この後、図4に示すステップS5以降を前述の実施形態と同様に実行することにより、図21に示す表示デバイス2を得る。
[0067]
 本実施形態に係る表示デバイス2は、前述の実施形態と同様の構成を、凸部8の部材をレジスト層41のみとして得ることができる。このため、金属層40の成膜およびエッチングに係る工程を削減でき、製造コストおよびタクトタイムの低減につながる。
[0068]
  〔実施形態5〕
 図24は、本実施形態の表示デバイス2において、発光層5の発光素子の駆動に使用される、ゲートドライバと、ソースドライバと、それぞれのドライバからの配線とを示す図である。本実施形態の表示デバイス2は、実施形態1の表示デバイス2と比較して、ゲートドライバとして、第1ゲートドライバ46と第2ゲートドライバ48とを備える点において相違する。また、本実施形態の表示デバイス2は、実施形態1の表示デバイス2と比較して、ソースドライバとして、第1ソースドライバ47と第2ソースドライバ49とを備える点においても相違する。
[0069]
 第2ゲートドライバ48は、アクティブ領域DAにおいて、外部モジュール43を挟んだ、第1ゲートドライバ46と逆側に配置される。また、第2ソースドライバ49は、アクティブ領域DAにおいて、外部モジュール43を挟んだ、第1ソースドライバ47と逆側に配置される。
[0070]
 前述の実施形態と同様に、第1ゲートドライバ46からの配線と第1ソースドライバ47からの配線とは、互いに略直交するように配される。ここで、本実施形態においては、額縁領域SAおよび外部モジュール43に向かって、第1ゲートドライバ46から配された配線は、額縁領域SAを迂回せず、額縁領域SAの手前まで形成される。第1ゲートドライバ46からの配線が配されない位置においては、第2ゲートドライバ48からの配線が配される。
[0071]
 一方、額縁領域SAおよび外部モジュール43に向かって、第1ソースドライバ47から配された配線は、額縁領域SAを迂回せず、額縁領域SAの手前まで形成される。加えて、延長上に額縁領域SAおよび外部モジュール43が存在しない、第1ソースドライバ47から配された配線についても、アクティブ領域DA中の破線で示す表示分割線SLの手前まで配される。第1ソースドライバ47からの配線が配されない位置においては、第2ソースドライバ49からの配線が配される。図24の表示分割線SLは、表示デバイス2の表示面の一辺と略平行であり、額縁領域SAの下端を通る位置を示す。表示分割線SLを境界として、アクティブ領域DAは、下側の第1アクティブ領域DA1と、上側の第2アクティブ領域DA2とに分割される。なお、表示分割線SLの位置は、外部モジュール43の中心を通る位置等に変更されてもよい。
[0072]
 本実施形態においては、アクティブ領域DA中の表示分割線SLの位置を基準として、それぞれの位置における発光素子を駆動するソースドライバが異なっている。さらに、第1ソースドライバ47からの配線と、第2ソースドライバ49からの配線とにおいて伝送される映像信号が異なっている。このため、表示デバイス2は、第1アクティブ領域DA1と第2アクティブ領域DA2とにおいて、異なる表示を行うことが可能である。なお、第1ゲートドライバ46および第2ゲートドライバ48から、それぞれ額縁領域SAおよび外部モジュール43に向かって配された配線には、同じ駆動信号が伝送されてもよい。
[0073]
 上記構成により、本実施形態に係る表示デバイス2は、額縁領域SAおよび外部モジュール43を迂回させることなく、配線が形成されるため、配線の設計をより簡素にすることができる。また、外部モジュール43の位置、すなわち、切り欠き部9の位置を基準として、表示を異ならせることが可能であるため、より効果的な表示面の設計が可能となる。
[0074]
  〔実施形態6〕
 図25は、本実施形態に係る表示デバイス2の外部モジュール43の外縁の周囲における断面図を示す。図26は、本実施形態に係る表示デバイス2の切り欠き部9の周囲における概略上面図である。
[0075]
 本実施形態に係る表示デバイス2は、額縁領域SAにおいて、凸部8と切り欠き部9との間に、有機層間膜21と有機絶縁膜23とのスリットS2を備える。また、本実施形態に係る表示デバイス2は、スリットS2と切り欠き部9との間に、バリア層3と、TFT層4のゲート絶縁膜16およびパッシベーション膜18・20を含む無機絶縁膜とのスリットS3を備えている。
[0076]
 スリットS3は、図4のステップS3において、パッシベーション膜20のパターニングの際に、アクティブ領域DAよりも周囲側の一部において、バリア層3よりも上層を除去することにより形成される。スリットS2は、図5のステップS4-2において、有機絶縁膜23のパターニングの際に、アクティブ領域DAとスリットS3との間の一部において、有機層間膜21と有機絶縁膜23とを除去することにより形成される。
[0077]
 スリットS2・S3の上には、発光層5および封止層6が形成される。また、スリットS3の上においては、樹脂層12と発光層5との間に、有機層間膜21と有機絶縁膜23が形成される。本実施形態においては、切り欠き部9は、スリットS3の位置において、積層体を穿孔することにより形成される。
[0078]
 本実施形態に係る表示デバイス2は、凸部8と切り欠き部9との間にスリットS2を備える。スリットS2においては、有機層間膜21と有機絶縁膜23とのそれぞれが寸断されている。これにより、切り欠き部9から、有機層間膜21または有機絶縁膜23を通じて、アクティブ領域DAに異物が侵入することを低減できる。
[0079]
 また、本実施形態においては、スリットS3の位置において積層体を穿孔することにより、切り欠き部9を形成する。このため、切り欠き部9の形成の際に穿孔する無機層を減らすことができ、穿孔の際にクラックが発生する可能性を低減できる。
[0080]
  〔実施形態7〕
 図27は、本実施形態に係る表示デバイス2の外部モジュール43の外縁の周囲における断面図を示す。本実施形態に係る表示デバイス2は、実施形態6に係る表示デバイス2と比較して、スリットS2とスリットS3との間において、凸部8Bをさらに備える点においてのみ相違する。凸部8Bは、前述の凸部8と同一の構造を備えていてもよい。また、凸部8Bは、前述の凸部8と同一の工程により、形成されてもよい。
[0081]
 本実施形態に係る表示デバイス2は、複数の凸部を備え、当該複数の凸部の間には、有機層間膜21と有機絶縁膜23とのスリットが形成されている。このため、切り欠き部9から、発光層5を通じて、アクティブ領域DAに異物が侵入する可能性をさらに低減できる。
[0082]
  〔実施形態8〕
 図28は、本実施形態に係る表示デバイス2の外部モジュール43の外縁の周囲における断面図を示す。本実施形態に係る表示デバイス2は、実施形態6に係る表示デバイス2と比較して、スリットS3よりも内側に切り欠き部9を備える点についてのみ相違する。すなわち、スリットS3と切り欠き部9との間には、バリア層3、ゲート絶縁膜16、およびパッシベーション膜18・20が形成されている。
[0083]
 本実施形態に係る表示デバイス2は、上記構成により、スリットS3よりも切り欠き部9側と、スリットS3よりもアクティブ領域DA側とにおいて、無機絶縁膜が連続しない。このため、切り欠き部9から、無機絶縁膜の各層の界面を通じて、アクティブ領域DAに異物が侵入する可能性を低減できる。
[0084]
  〔実施形態9〕
 図29は、本実施形態に係る表示デバイス2の外部モジュール43の外縁の周囲における断面図を示す。本実施形態に係る表示デバイス2は、実施形態8に係る表示デバイス2と比較して、スリットS2の内部に凸部8が設けられている点において相違する。本実施形態において、凸部8は、スリットS2におけるパッシベーション膜20の上、すなわち、無機絶縁膜の上に形成されている。
[0085]
 凸部8は、スリットS2を形成した後、前述の凸部8と同様の方法によって形成されてもよい。凸部8および発光層5の形成の後、無機封止膜27を、CVDを使用して成膜する。これにより、無機封止膜27は、平面視において、凸部8の逆テーパー面40tの陰となる、パッシベーション膜20の上面20tまで回り込んで形成される。
[0086]
 本実施形態に係る表示デバイス2は、上記構成により、露出していたEL共通層25の端面と第2電極26の端面とは、無機封止膜27によって覆われる。また、無機封止膜27と、無機絶縁膜の最上層であるパッシベーション膜20の上面20tとが、スリットS2の内部において接触する。このため、切り欠き部9から、発光層5を通じて、アクティブ領域DAに異物が侵入する可能性をさらに低減できる。
[0087]
 なお、本実施形態においては、切り欠き部9の存在する額縁領域SAの端部において、有機層間膜21および有機絶縁膜23が形成されている。上記構成により、表示デバイス2をフレキシブルな表示デバイスとする場合に、切り欠き部9周囲における、表示デバイス2の湾曲に対する強度を向上させることができる。しかしながら、これに限られず、切り欠き部9の存在する額縁領域SAの端部において、有機層間膜21または有機絶縁膜23が形成されていなくともよい。
[0088]
 図30は、上述の各実施形態の表示デバイス2の製造工程において使用される、表示デバイスの製造装置60を示すブロック図である。表示デバイスの製造装置60は、コントローラ62と、成膜装置64と、切り欠き部形成装置66と、実装装置68とを備える。コントローラ62は、成膜装置64と、切り欠き部形成装置66と、実装装置68との動作を制御する。成膜装置64は、発光層5を含む、表示デバイス2の各層の成膜を行ってもよい。切り欠き部形成装置66は、切り欠き部9の形成を行ってもよい。実装装置68は、切り欠き部9に外部モジュール43を実装してもよい。
[0089]
  〔まとめ〕
 様態1の表示デバイスは、基材と、該基材の上に形成されたTFT層と、該TFT層の上に形成された有機絶縁膜と、該有機絶縁膜の上に形成された発光層と、該発光層の上に形成された封止層と、を備えた表示デバイスであって、表示に寄与するアクティブ領域と、該アクティブ領域の端部に囲まれる位置に形成された切り欠き部とを含み、該切り欠き部が形成された前記アクティブ領域の周端側には、凸部が形成され、該凸部において前記発光層が段切れする。
[0090]
 様態2においては、第1電極と該第1電極よりも上層の第2電極とを備え、前記発光層が前記第1電極と前記第2電極との間に形成され、前記有機絶縁膜が前記第1電極の上に形成され、前記凸部が前記有機絶縁膜の上に形成されている。
[0091]
 様態3においては、前記封止層が前記発光層の端面を覆う。
[0092]
 様態4においては、前記封止層が、無機層を備える。
[0093]
 様態5においては、前記凸部の側面の一部が、逆テーパー面である。
[0094]
 様態6においては、前記凸部が感光性樹脂を備える。
[0095]
 様態7においては、前記感光性樹脂がネガ型の感光性樹脂である。
[0096]
 様態8においては、前記凸部が金属を備える。
[0097]
 様態9においては、前記発光層の下層に電極を備え、該電極と前記金属とが電気的に導通する。
[0098]
 様態10においては、平面視において、前記逆テーパー面と重なる位置に前記発光層の端面が存在する。
[0099]
 様態11においては、前記TFT層が有機層間膜を含み、前記切り欠き部と前記凸部との間には、前記有機層間膜と前記有機絶縁膜とのスリットが形成されている。
[0100]
 様態12においては、前記凸部が複数形成され、複数の前記凸部のうち、少なくとも二つの前記凸部の間には、前記スリットが形成されている。
[0101]
 様態13においては、前記TFT層が無機絶縁膜を含み、前記切り欠き部と前記凸部との間には、前記無機絶縁膜のスリットが形成されている。
[0102]
 様態14においては、前記TFT層が有機層間膜と無機絶縁膜とを含み、前記アクティブ領域と前記切り欠き部との間に前記有機層間膜と前記有機絶縁膜とのスリットが形成され、前記凸部は該スリットの内部であって、前記無機絶縁膜の上に形成されている。
[0103]
 様態15においては、前記スリットの内部において、前記封止層と前記無機絶縁膜が接する。
[0104]
 様態16においては、前記発光層の駆動に用いられる複数のドライバを備え、前記アクティブ領域を複数の領域に分割し、前記発光層を駆動する前記ドライバを前記複数の領域において異ならせる。
[0105]
 様態17においては、前記切り欠き部に外部モジュールを備える。
[0106]
 様態18の表示デバイスの製造方法は、基材と、該基材の上に形成されたTFT層と、該TFT層の上に形成された有機絶縁膜と、該有機絶縁膜の上に形成された発光層と、該発光層の上に形成された封止層と、を備えた表示デバイスの製造方法であって、表示に寄与するアクティブ領域の端部に囲まれる位置において、前記発光層よりも下層に凸部を形成する凸部形成工程と、前記有機絶縁膜と前記凸部との上に前記発光層を形成し、前記凸部において前記発光層を段切れさせる発光層形成工程と、前記凸部に囲まれた位置において、切り欠き部を形成する切り欠き部形成工程とを備える。
[0107]
 様態19においては、前記表示デバイスが、第1電極と該第1電極よりも上層の第2電極とを備え、前記有機絶縁膜が、前記第1電極の上に形成され、前記凸部形成工程において、前記凸部を前記有機絶縁膜の上に形成し、前記発光層形成工程において、前記発光層を前記第1電極と前記第2電極との間に形成する。
[0108]
 様態20においては、前記凸部の側面の一部が、逆テーパー面である。
[0109]
 様態21においては、前記凸部形成工程において、前記逆テーパー面を、ネガ型の感光性樹脂を使用して形成する。
[0110]
 様態22においては、前記凸部が金属を備え、前記逆テーパー面を、前記金属の等方性エッチングを使用して形成する。
[0111]
 様態23においては、前記発光層形成工程において、平面視における前記逆テーパー面と重なる位置に前記発光層の端面を形成する。
[0112]
 様態24においては、前記発光層の上層に前記発光層の端面を覆う封止層を形成する封止層形成工程を備え、前記封止層形成工程において、平面視における前記逆テーパー面の下部に封止層を形成する。
[0113]
 様態25においては、前記TFT層が有機層間膜を含み、前記切り欠き部と前記凸部との間に、前記有機絶縁膜と前記有機層間膜とのスリットを形成する。
[0114]
 様態26においては、前記凸部形成工程において、前記凸部を複数形成し、複数の前記凸部のうち、少なくとも二つの前記凸部の間に、前記スリットを形成する。
[0115]
 様態27においては、前記TFT層が無機絶縁膜を含み、前記切り欠き部と前記凸部との間に、前記無機絶縁膜のスリットを形成する。
[0116]
 様態28においては、前記TFT層が有機層間膜と無機絶縁膜とを含み、前記アクティブ領域と前記切り欠き部との間に前記有機絶縁膜と前記有機層間膜とのスリットが形成され、前記凸部形成工程において、前記凸部を、該スリットの内部の前記無機絶縁膜の上に形成する。
[0117]
 様態29においては、前記発光層形成工程において、前記切り欠き部を形成する位置の一部における、前記基材より上層の無機層のスリットを形成し、前記切り欠き部形成工程において、前記スリットのみを穿孔して、前記切り欠き部を形成する。
[0118]
 様態30の表示デバイスの製造装置は、基材と、該基材の上に形成されたTFT層と、該TFT層の上に形成された有機絶縁膜と、該有機絶縁膜の上に形成された発光層と、該発光層の上に形成された封止層と、を備えた表示デバイスの製造装置であって、前記発光層よりも下層の凸部と、前記有機絶縁膜と前記凸部との上の前記発光層とを形成し、前記凸部において前記発光層を段切れさせる成膜装置と、前記凸部に囲まれた位置において、切り欠き部を形成する切り欠き部形成装置とを備える。
[0119]
 本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

符号の説明

[0120]
2       表示デバイス
5       発光層
6       封止層
8、8B    凸部
9       切り欠き部
10      基材
21      有機層間膜
22      第1電極
23      有機絶縁膜
24      EL発光層
25      EL共通層
26      第2電極
27、29   無機封止膜
40      金属層
40h     コンタクト部
40t、41t 逆テーパー面
41      レジスト層
43      外部モジュール
46      第1ゲートドライバ
47      第1ソースドライバ
48      第2ゲートドライバ
49      第2ソースドライバ
50      ガラス基板
60      表示デバイスの製造装置

請求の範囲

[請求項1]
 基材と、該基材の上に形成されたTFT層と、該TFT層の上に形成された有機絶縁膜と、該有機絶縁膜の上に形成された発光層と、該発光層の上に形成された封止層と、を備えた表示デバイスであって、
 表示に寄与するアクティブ領域と、該アクティブ領域の端部に囲まれる位置に形成された切り欠き部とを含み、該切り欠き部が形成された前記アクティブ領域の周端側には、凸部が形成され、該凸部において前記発光層が段切れする表示デバイス。
[請求項2]
 第1電極と該第1電極よりも上層の第2電極とを備え、
 前記発光層が前記第1電極と前記第2電極との間に形成され、前記有機絶縁膜が前記第1電極の上に形成され、前記凸部が前記有機絶縁膜の上に形成されている請求項1に記載の表示デバイス。
[請求項3]
 前記封止層が前記発光層の端面を覆う請求項1または2に記載の表示デバイス。
[請求項4]
 前記封止層が、無機層を備えた請求項1から3の何れか1項に記載の表示デバイス。
[請求項5]
 前記凸部の側面の一部が、逆テーパー面である請求項1から4の何れか1項に記載の表示デバイス。
[請求項6]
 前記凸部が感光性樹脂を備えた請求項1から5の何れか1項に記載の表示デバイス。
[請求項7]
 前記感光性樹脂はネガ型の感光性樹脂である請求項6に記載の表示デバイス。
[請求項8]
 前記凸部が金属を備えた請求項1から7の何れか1項に記載の表示デバイス。
[請求項9]
 前記発光層の下層に電極を備え、該電極と前記金属とが電気的に導通する請求項8に記載の表示デバイス。
[請求項10]
 平面視において、前記逆テーパー面と重なる位置に前記発光層の端面が存在する請求項5に記載の表示デバイス。
[請求項11]
 前記TFT層は有機層間膜を含み、前記切り欠き部と前記凸部との間には、前記有機層間膜と前記有機絶縁膜とのスリットが形成されている請求項1から10の何れか1項に記載の表示デバイス。
[請求項12]
 前記凸部が複数形成され、複数の前記凸部のうち、少なくとも二つの前記凸部の間には、前記スリットが形成されている請求項11に記載の表示デバイス。
[請求項13]
 前記TFT層は無機絶縁膜を含み、前記切り欠き部と前記凸部との間には、前記無機絶縁膜のスリットが形成されている請求項1から12の何れか1項に記載の表示デバイス。
[請求項14]
 前記TFT層は有機層間膜と無機絶縁膜とを含み、前記アクティブ領域と前記切り欠き部との間に前記有機層間膜と前記有機絶縁膜とのスリットが形成され、前記凸部は該スリットの内部であって、前記無機絶縁膜の上に形成されている請求項1に記載の表示デバイス。
[請求項15]
 前記スリットの内部において、前記封止層と前記無機絶縁膜が接する請求項14に記載の表示デバイス。
[請求項16]
 前記発光層の駆動に用いられる複数のドライバを備え、前記アクティブ領域を複数の領域に分割し、前記発光層を駆動する前記ドライバを前記複数の領域において異ならせる請求項1から15の何れか1項に記載の表示デバイス。
[請求項17]
 前記切り欠き部に外部モジュールを備えた請求項1から16の何れか1項に記載の表示デバイス。
[請求項18]
 基材と、該基材の上に形成されたTFT層と、該TFT層の上に形成された有機絶縁膜と、該有機絶縁膜の上に形成された発光層と、該発光層の上に形成された封止層と、を備えた表示デバイスの製造方法であって、
 表示に寄与するアクティブ領域の端部に囲まれる位置において、前記発光層よりも下層に凸部を形成する凸部形成工程と、
 前記有機絶縁膜と前記凸部との上に前記発光層を形成し、前記凸部において前記発光層を段切れさせる発光層形成工程と、
 前記凸部に囲まれた位置において、切り欠き部を形成する切り欠き部形成工程とを備えた表示デバイスの製造方法。
[請求項19]
 前記表示デバイスが、第1電極と該第1電極よりも上層の第2電極とを備え、
 前記有機絶縁膜が、前記第1電極の上に形成され、
 前記凸部形成工程において、前記凸部を前記有機絶縁膜の上に形成し、
 前記発光層形成工程において、前記発光層を前記第1電極と前記第2電極との間に形成する請求項18に記載の表示デバイスの製造方法。
[請求項20]
 前記凸部の側面の一部が、逆テーパー面である請求項18または19に記載の表示デバイスの製造方法。
[請求項21]
 前記凸部形成工程において、前記逆テーパー面を、ネガ型の感光性樹脂を使用して形成する請求項20に記載の表示デバイスの製造方法。
[請求項22]
 前記凸部が金属を備え、前記逆テーパー面を、前記金属の等方性エッチングを使用して形成する請求項20に記載の表示デバイスの製造方法。
[請求項23]
 前記発光層形成工程において、平面視における前記逆テーパー面と重なる位置に前記発光層の端面を形成する請求項20から22の何れか1項に記載の表示デバイスの製造方法。
[請求項24]
 前記発光層の上層に前記発光層の端面を覆う封止層を形成する封止層形成工程を備え、
 前記封止層形成工程において、平面視における前記逆テーパー面の下部に封止層を形成する請求項20から23の何れか1項に記載の表示デバイスの製造方法。
[請求項25]
 前記TFT層は有機層間膜を含み、前記切り欠き部と前記凸部との間に、前記有機絶縁膜と前記有機層間膜とのスリットを形成する請求項18から24の何れか1項に記載の表示デバイスの製造方法。
[請求項26]
 前記凸部形成工程において、前記凸部を複数形成し、複数の前記凸部のうち、少なくとも二つの前記凸部の間に、前記スリットを形成する請求項25に記載の表示デバイスの製造方法。
[請求項27]
 前記TFT層は無機絶縁膜を含み、前記切り欠き部と前記凸部との間に、前記無機絶縁膜のスリットを形成する請求項18から26の何れか1項に記載の表示デバイスの製造方法。
[請求項28]
 前記TFT層は有機層間膜と無機絶縁膜とを含み、前記アクティブ領域と前記切り欠き部との間に前記有機絶縁膜と前記有機層間膜とのスリットが形成され、
 前記凸部形成工程において、前記凸部を、該スリットの内部の前記無機絶縁膜の上に形成する請求項18に記載の表示デバイスの製造方法。
[請求項29]
 前記発光層形成工程において、前記切り欠き部を形成する位置の一部における、前記基材より上層の無機層のスリットを形成し、
 前記切り欠き部形成工程において、前記スリットのみを穿孔して、前記切り欠き部を形成する請求項18から24の何れか1項に記載の表示デバイスの製造方法。
[請求項30]
 基材と、該基材の上に形成されたTFT層と、該TFT層の上に形成された有機絶縁膜と、該有機絶縁膜の上に形成された発光層と、該発光層の上に形成された封止層と、を備えた表示デバイスの製造装置であって、
 前記発光層よりも下層の凸部と、前記有機絶縁膜と前記凸部との上の前記発光層とを形成し、前記凸部において前記発光層を段切れさせる成膜装置と、
 前記凸部に囲まれた位置において、切り欠き部を形成する切り欠き部形成装置とを備えた表示デバイスの製造装置。

図面

[ 図 1]

[ 図 2]

[ 図 3]

[ 図 4]

[ 図 5]

[ 図 6]

[ 図 7]

[ 図 8]

[ 図 9]

[ 図 10]

[ 図 11]

[ 図 12]

[ 図 13]

[ 図 14]

[ 図 15]

[ 図 16]

[ 図 17]

[ 図 18]

[ 図 19]

[ 図 20]

[ 図 21]

[ 図 22]

[ 図 23]

[ 図 24]

[ 図 25]

[ 図 26]

[ 図 27]

[ 図 28]

[ 図 29]

[ 図 30]