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1. (WO2019029990) MIRROR, IN PARTICULAR FOR A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE SYSTEM
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Pub. No.: WO/2019/029990 International Application No.: PCT/EP2018/070157
Publication Date: 14.02.2019 International Filing Date: 25.07.2018
IPC:
G03F 7/20 (2006.01) ,G02B 27/00 (2006.01) ,G21K 1/06 (2006.01)
G PHYSICS
03
PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
F
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
7
Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printed surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20
Exposure; Apparatus therefor
G PHYSICS
02
OPTICS
B
OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
27
Other optical systems; Other optical apparatus
G PHYSICS
21
NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
K
TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
1
Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
06
using diffraction, refraction, or reflection, e.g. monochromators
Applicants:
CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen, DE (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JO, JP, KE, KG, KH, KM, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
WYLIE-VAN EERD, Ben [NZ/NZ]; NZ (US)
BIJKERK, Frederik [NL/NL]; NL (US)
HILD, Kerstin [DE/DE]; DE (US)
GRUNER, Toralf [DE/DE]; DE (US)
SCHULTE, Stefan [DE/DE]; DE (US)
WEYLER, Simone [DE/DE]; DE (US)
Inventors:
WYLIE-VAN EERD, Ben; NZ
BIJKERK, Frederik; NL
HILD, Kerstin; DE
GRUNER, Toralf; DE
SCHULTE, Stefan; DE
WEYLER, Simone; DE
Agent:
FRANK, Hartmut; DE
Priority Data:
10 2017 213 900.509.08.2017DE
Title (DE) SPIEGEL, INSBESONDERE FÜR EINE MIKROLITHOGRAPHISCHE PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE
(EN) MIRROR, IN PARTICULAR FOR A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE SYSTEM
(FR) MIROIR, NOTAMMENT POUR INSTALLATION DE MICROLITHOGRAPHIE PAR PROJECTION
Abstract:
(DE) Ein erfindungsgemäßer Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mit einem Spiegelsubstrat (12, 32, 52) weist auf: Einen Reflexionsschichtstapel (21, 41, 61) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (11, 31, 51 ) auftreffender elektromagnetischer Strahlung einer Arbeitswellenlänge, und wenigstens eine piezoelektrische Schicht (16, 36, 56), welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtstapel angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtstapel zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung (20, 40, 60) und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung (14, 34, 54) mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist. Gemäß einem Aspekt ist eine Verspannungsschicht (98) vorgesehen, welche ein mit der Beaufschlagung mit einem elektrischen Feld einhergehendes Einsinken der piezoelektrischen Schicht (96) in das Spiegelsubstrat (92) im Vergleich zu einem analogen Aufbau ohne die Verspannungsschicht reduziert und damit die effektive Auslenkung der piezoelektrischen Schicht (96) erhöht.
(EN) The invention relates to a mirror, in particular for a microlithographic projection exposure system, comprising a mirror substrate (12, 32, 52), which mirror has a reflection layer stack (21, 41, 61) for reflecting electromagnetic radiation of a working wavelength hitting the optical active surface (11, 31, 51) and has at least one piezoelectric layer (16, 36, 56), which is arranged between the mirror substrate and the reflection layer stack and to which an electric field for producing locally variable deformation can be applied by means of a first electrode arrangement (20, 40, 60) located on the side of the piezoelectric layer facing the reflection layer stack and by means of a second electrode arrangement (14, 34, 54) located on the side of the piezoelectric layer facing the mirror substrate. According to one aspect, a bracing layer (98) is provided, which reduces a sinking of the piezoelectric layer (96) into the mirror substrate (92) accompanying the application of an electric field in comparison with an analogous design without the bracing layer and thus increases the effective deflection of the piezoelectric layer (96).
(FR) L'invention concerne un miroir de l’invention, destiné en particulier à une installation de microlithographie par projection, pourvu d’un substrat de miroir (12, 32, 52), comprenant : un empilement de couches de réflexion (21, 41, 61) destiné à réfléchir le rayonnement électromagnétique incident à la surface active optique (11, 31, 51) et ayant une longueur d’onde de travail, et au moins une couche piézoélectrique (16, 36, 56) qui est disposée entre le substrat de miroir et l’empilement de couches de réflexion et qui, pour générer une déformation localement variable, peut être soumis à un champ électrique par le biais d’un premier ensemble d’électrodes (20, 40, 60) situé du côté de la couche piézoélectrique faisant face à l’empilement de couches de réflexion et d’un deuxième ensemble d’électrodes (14, 34, 54) situé du côté de la couche piézoélectrique faisant face au substrat miroir. Selon un aspect, une couche de contrainte (98) est prévue qui réduit l’enfoncement, dû au champ électrique, de la couche piézoélectrique (96) dans le substrat de miroir (92) par rapport à une structure analogue sans la couche de contrainte, et augmente ainsi la déviation effective de la couche piézoélectrique (96).
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Filing Language: German (DE)