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1. (WO2019029125) METHOD OF FABRICATING ARRAY SUBSTRATE, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS THEREOF
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Pub. No.: WO/2019/029125 International Application No.: PCT/CN2018/072080
Publication Date: 14.02.2019 International Filing Date: 10.01.2018
IPC:
H01L 21/77 (2017.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in or on a common substrate or of specific parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of specific parts thereof
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Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
Applicants:
BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd. Chaoyang District Beijing 100015, CN
BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 118 Jinghaiyilu, BDA Beijing 100176, CN
Inventors:
QU, Lianjie; CN
GUI, Bingqiang; CN
QI, Yonglian; CN
SHI, Guangdong; CN
LIU, Shuai; CN
ZHAO, Hebin; CN
Agent:
TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Priority Data:
201710687463.311.08.2017CN
Title (EN) METHOD OF FABRICATING ARRAY SUBSTRATE, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS THEREOF
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT MATRICIEL, SUBSTRAT MATRICIEL, ET APPAREIL D'AFFICHAGE ASSOCIÉ
Abstract:
(EN) A method of fabricating an array substrate is disclosed. The method includes forming a first conductive material layer (211) on a base substrate (9); forming an insulating layer (1) on a side of the first conductive material layer (211) distal to the base substrate (9), the insulating layer (1) formed to cover a first part (211a) of the first conductive material layer (211), exposing a second part (211b) of the first conductive material layer (211); over-etching the first conductive material layer (211) to remove the second part (211b) of the first conductive material layer (211), and remove a portion of a periphery of the first part (211a) of the first conductive material layer (211) to form a recess (R) between the insulating layer (1) and the base substrate (9), thereby forming a first electrode (21); and subsequent to forming the first electrode (21) and the recess (R), annealing the insulating layer (1) to mobilize a portion of the insulating layer (1) above the recess (R) and fill the recess (R) with a mobilized insulating material (1).
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat matriciel. Le procédé comprend la formation d'une première couche de matériau conducteur (211) sur un substrat de base (9) ; la formation d'une couche isolante (1) sur un côté de la première couche de matériau conducteur (211) distal par rapport au substrat de base (9), la couche isolante (1) étant formée pour recouvrir une première partie (211a) de la première couche de matériau conducteur (211) en laissant apparente une seconde partie (211b) de la première couche de matériau conducteur (211) ; la surgravure de la première couche de matériau conducteur (211) pour éliminer la seconde partie (211b) de la première couche de matériau conducteur (211), et éliminer une partie d'une périphérie de la première partie (211a) de la première couche de matériau conducteur (211) afin de former un évidement (R) entre la couche isolante (1) et le substrat de base (9), d'où la formation d'une première électrode (21) ; et après la formation de la première électrode (21) et de l'évidement (R), le recuit de la couche isolante (1) pour mobiliser une partie de la couche isolante (1) au-dessus de l'évidement (R) et remplir l'évidement (R) avec un matériau isolant mobilisé (1).
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)