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1. (WO2019027719) DATA STATE SYNCHRONIZATION
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Pub. No.: WO/2019/027719 International Application No.: PCT/US2018/043368
Publication Date: 07.02.2019 International Filing Date: 24.07.2018
IPC:
G11C 13/00 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
13
Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/, G11C23/, or G11C25/173
Applicants:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; MAIL STOP 525 8000 SOUTH FEDERAL WAY P.O. BOX 6 BOISE, Idaho 83707-0006, US
Inventors:
DALLABORA, Marco; IT
AMATO, Paolo; IT
BALLUCHI, Daniele; IT
CARACCIO, Danilo; IT
CONFALONIERI, Emanuele; IT
Agent:
KERN, Jacob T.; US
Priority Data:
15/664,01431.07.2017US
Title (EN) DATA STATE SYNCHRONIZATION
(FR) SYNCHRONISATION D'ÉTAT DE DONNÉES
Abstract:
(EN) The present disclosure includes apparatuses, and methods for data state synchronization. An example apparatus includes performing a write operation to store a data pattern in a group of resistance variable memory cells corresponding to a selected managed unit having a first status, updating a status of the selected managed unit from the first status to a second status responsive to performing the write operation, and providing data state synchronization for a subsequent write operation performed on the group by placing all of the variable resistance memory cells of the group in a same state prior to performing the subsequent write operation to store another data pattern in the group of resistance variable memory cells.
(FR) La présente invention concerne des appareils et des procédés de synchronisation d'état de données. Un exemple d'appareil consiste à réaliser une opération d'écriture pour stocker un motif de données dans un groupe de cellules de mémoire à résistance variable correspondant à une unité gérée sélectionnée comportant un premier état, à mettre à jour un état de l'unité gérée sélectionnée du premier état à un second état en réponse à la réalisation de l'opération d'écriture, et à fournir une synchronisation d'état de données pour une opération d'écriture ultérieure effectuée sur le groupe en plaçant toutes les cellules de mémoire à résistance variable du groupe dans un même état avant l'exécution de l'opération d'écriture ultérieure pour stocker un autre motif de données dans le groupe de cellules de mémoire à résistance variable.
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)