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1. (WO2019027544) PARTIAL REFRESH TECHNIQUE TO SAVE MEMORY REFRESH POWER
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Pub. No.: WO/2019/027544 International Application No.: PCT/US2018/034659
Publication Date: 07.02.2019 International Filing Date: 25.05.2018
IPC:
G11C 11/406 (2006.01) ,G11C 7/10 (2006.01) ,G11C 8/12 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
11
Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21
using electric elements
34
using semiconductor devices
40
using transistors
401
forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
406
Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
7
Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
10
Input/output (I/O) data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
8
Arrangements for selecting an address in a digital store
12
Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection
Applicants:
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventors:
SUH, Jungwon; US
LI, Yanru; US
LO, Michael Hawjing; US
CHUN, Dexter Tamio; US
Agent:
OLDS, Mark E.; US
CICCOZZI, John L.; US
PODHAJNY, Daniel; US
Priority Data:
15/667,61802.08.2017US
Title (EN) PARTIAL REFRESH TECHNIQUE TO SAVE MEMORY REFRESH POWER
(FR) TECHNIQUE DE RAFRAÎCHISSEMENT PARTIEL POUR ÉCONOMISER DE LA PUISSANCE DE RAFRAÎCHISSEMENT DE MÉMOIRE
Abstract:
(EN) In a conventional memory subsystem, a memory controller issues explicit refresh commands to a DRAM memory device to maintain integrity of the data stored in the memory device when the memory device is in an auto refresh mode. A significant amount of power may be consumed to carry out the refresh. To address this and other issues, it is proposed to allow a partial refresh in the auto refresh mode in which the refreshing operation may be skipped for a subset of the memory cells. Through such selective refresh skipping, the power consumed for auto refreshes may be reduced. Operating system kernels and memory drivers may be configured to determine areas of memory for which the refreshing operation can be skipped.
(FR) Dans un sous-système de mémoire classique, un dispositif de commande de mémoire émet des commandes de rafraîchissement explicites vers un dispositif de mémoire DRAM afin de conserver l'intégrité des données stockées dans le dispositif de mémoire lorsque le dispositif de mémoire est dans un mode de rafraîchissement automatique. Une quantité significative de puissance peut être consommée pour effectuer le rafraîchissement. Pour résoudre ce problème et d'autres problèmes, il est proposé de permettre un rafraîchissement partiel dans le mode d'auto-rafraîchissement dans lequel l'opération de rafraîchissement peut être sautée pour un sous-ensemble des cellules de mémoire. Grâce à un tel saut de rafraîchissement sélectif, la puissance consommée pour des rafraîchissements automatiques peut être réduite. Des noyaux de système d'exploitation et des dispositifs de commande de mémoire peuvent être configurés pour déterminer des zones de mémoire pour lesquelles l'opération de rafraîchissement peut être sautée.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)