Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2019027343) METHOD OF INTENSIVE COOLING OF HIGHLY THERMALLY LOADED SEMICONDUCTOR INSTRUMENTS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2019/027343 International Application No.: PCT/RU2017/000651
Publication Date: 07.02.2019 International Filing Date: 05.09.2017
IPC:
H01L 23/34 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23
Details of semiconductor or other solid state devices
34
Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation
Applicants:
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "РСК ЛАБС" RSC LABS LIMITED LIABILITY COMPANY [RU/RU]; территория инновационного центра Сколково, ул. Нобеля, 7, этаж 2, пом. 57, Москва, territoria innovatsionnogo tsentra Skolkovo ul. Nobelia, 7, etazh 2, pom. 57 Moscow, 143026, RU
Inventors:
ДРУЖИНИН, Егор Александрович DRUZHININ, Egor Alexandrovich; RU
ШМЕЛЕВ, Алексей Борисович SHMELEV, Alexey Borisovich; RU
ВЯЗЕМСКАЯ, Наталья Игоревна VYAZEMSKAYA, Nataliya Igorevna; RU
МИХАСЕВ, Андрей Александрович MIHASEV, Andrey Alexandrovich; RU
КОСОЙ, Александр Семенович KOSOY, Alexandr Semenovich; RU
БОЛЬШАКОВ, Юрий Павлович BOLSHAKOV, Yury Pavlovich; RU
Agent:
КОТЛОВ, Дмитрий Владимирович KOTLOV, Dmitry Vladimirovich; RU
Priority Data:
201712766002.08.2017RU
Title (EN) METHOD OF INTENSIVE COOLING OF HIGHLY THERMALLY LOADED SEMICONDUCTOR INSTRUMENTS
(FR) PROCÉDÉ DE REFROIDISSEMENT INTENSIF D’INSTRUMENTS SEMI-CONDUCTEURS À TENSION THERMIQUE ÉLEVÉE
(RU) СПОСОБ ИНТЕНСИВНОГО ОХЛАЖДЕНИЯ ВЫСОКО ТЕПЛОНАПРЯЖЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Abstract:
(EN) The invention relates to thermal engineering and can be used primarily in cooling systems for electronic components, in particular power supply units, computer modules, power semiconductor elementsetc. A method of intensive cooling of highly thermally loaded semiconductor instruments comprises removal of heat from a cooled surface using liquid as a coolant flowing in channels of the cooling system, wherein for intensive cooling of highly thermally loaded semiconductor instruments, boiling of a subcooled dielectric liquid to a saturation temperature is used with a flow rate of the dielectric liquid in a channel of 5-7 m/s at a subcooling temperature thereof of 15-40°C. The technical effect is to raise the effectiveness of extreme heat flow removal without the entrainment of vapor bubbles in the flow core or the volume of liquid, and without continuously acting centers of vapor formation owing to the deactivation thereof because of the condensation of vapor remaining therein after detachment from the center of a vapor bubble, which precludes the onset of crisis phenomena in the cooling system.
(FR) L'invention concerne le génie thermique et peut être utilisée prioritairement dans des systèmes de refroidissement de composants électroniques, notamment dans des blocs d’alimentation de force, des modules de calcul d'ordinateurs d’éléments semi-conducteurs à force, etc.; le procédé de refroidissement intensif d’instruments semi-conducteurs à tension thermique élevée consiste à évacuer les flux thermiques depuis la surface à refroidir en utilisant un liquide en tant que refroidissement qui s’écoule dans les canaux du systèmes de refroidissement, qui utilise l’ébullition d'un liquide diélectrique non porté à température de saturation, avec un débit d’écoulement du liquide diélectrique dans le canal de 5-7 m/s et une température de son réchauffement insuffisant de 15-40°C. Le résultat technique consiste à augmentation de l'efficacité d’évacuation de chaleur des flux thermiques extrêmes en l’absence d’emport de bulles de vapeur vers le noyau du flux ou vers le volume de liquide, l'absence de centres actifs en permanence de formation de vapeur suite à leur désactivation en raison de la condensation de vapeur y restant après le détachement du centre de la bulle de vapeur, ce qui exclut le risque d’évènements de crise dans le système de refroidissement.
(RU) Изобретение относится к теплотехнике и может быть использовано преимущественно в системах охлаждения электронных компонентов, в частности, силовых блоков питания, вычислительных модулей компьютера, силовых полупроводниковых элементов и т.д. Способ интенсивного охлаждения высоко теплонапряженных полупроводниковых приборов включает отвод тепловых потоков от охлаждаемой поверхности с использованием жидкости в качестве охладителя, протекающей в каналах системы охлаждения, при этом для интенсивного охлаждения высоко теплонапряженных полупроводниковых приборов используют кипение недогретой до температуры насыщения диэлектрической жидкости, при скорости течения диэлектрической жидкости в канале 5-7 м/с и температуре ее недогрева 15-40ºС. Технический результат заключается в повышении эффективности отвода экстремальных тепловых потоков, в отсутствии уноса паровых пузырей в ядро потока или в объем жидкости, отсутствии постоянно действующих центров парообразования вследствие их деактивации из-за конденсации пара, оставшегося в них после отрыва от центра парового пузыря, что исключает возникновение кризисных явлений в системе охлаждения.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Russian (RU)
Filing Language: Russian (RU)