Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2019026393) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC MACHINE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2019/026393 International Application No.: PCT/JP2018/019617
Publication Date: 07.02.2019 International Filing Date: 22.05.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27
Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14
including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144
Devices controlled by radiation
146
Imager structures
H ELECTRICITY
04
ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
N
PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5
Details of television systems
30
Transforming light or analogous information into electric information
335
using solid-state image sensors [SSIS]
369
SSIS architecture; Circuitry associated therewith
Applicants:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventors:
西藤 洋将 SAITO, Hiromasa; JP
島田 翔平 SHIMADA, Shohei; JP
Agent:
特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; JP
Priority Data:
2017-15050603.08.2017JP
Title (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC MACHINE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET MACHINE ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置及び電子機器
Abstract:
(EN) [Problem] To provide a solid-state imaging device and an electronic machine wherein the effects of dark current have been reduced. [Solution] This solid-state imaging device comprises: a plurality of first pixel units arranged into a matrix form, each having one pixel and one on-chip lens provided above the one pixel; at least one second pixel unit disposed within the first pixel unit matrix, having two pixels and one on-chip lens provided so as to straddle over the two pixels; a pixel separation layer separating from one another the photoelectric conversion layers respectively belonging to the pixels from the first pixel units and the second pixel units; and at least one contact provided below the pixel separation layer present within the respective regions of the second pixel units or adjacent to the regions, connecting the pixel separation layer to a reference electric potential wiring. The second pixel units are disposed with a predetermined interval therebetween in at least one column extending in a first direction of the first pixel unit matrix.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un dispositif d'imagerie à semi-conducteur et une machine électronique dans lesquels les effets du courant d'obscurité ont été réduits. La solution selon l'invention porte sur un dispositif d'imagerie à semi-conducteur qui comprend : une pluralité de premières unités de pixels agencées en une forme de matrice, ayant chacune un pixel et une lentille sur puce disposée au-dessus du pixel; au moins une seconde unité de pixel disposée à l'intérieur de la première matrice d'unités de pixels, ayant deux pixels et une lentille sur puce disposée de façon à chevaucher les deux pixels; une couche de séparation de pixels séparant les unes des autres les couches de conversion photoélectrique appartenant respectivement aux pixels provenant des premières unités de pixels et des secondes unités de pixels; et au moins un contact disposé au-dessous de la couche de séparation de pixels présent dans les régions respectives des secondes unités de pixels ou adjacents aux régions, connectant la couche de séparation de pixels à un câblage de potentiel électrique de référence. Les secondes unités de pixels sont disposées avec un intervalle prédéterminé entre celles-ci dans au moins une colonne s'étendant dans une première direction de la première matrice d'unité de pixel.
(JA) 【課題】暗電流による影響が低減された固体撮像装置及び電子機器を提供する。 【解決手段】1つの画素及び前記1つの画素上に設けられた1つのオンチップレンズを有し、マトリクス状に配列された複数の第1画素ユニットと、2つの画素及び前記2つの画素上に跨って設けられた1つのオンチップレンズを有し、前記第1画素ユニットのマトリクス内に配置された少なくとも1つ以上の第2画素ユニットと、前記第1画素ユニット及び前記第2画素ユニットの各々の画素が備える光電変換層をそれぞれ離隔する画素分離層と、前記第2画素ユニットの各々の領域内に存在する又は該領域と隣接する前記画素分離層の下に設けられ、前記画素分離層と基準電位配線とを接続する少なくとも1つ以上のコンタクトと、を備え、前記第2画素ユニットは、前記第1画素ユニットのマトリクスの第1方向に延伸する少なくとも1列にて、所定の間隔で配置される、固体撮像装置。
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)