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1. (WO2019025091) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

Patentansprüche

1. Optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend

- eine Halbleiterschichtenfolge (1) auf einem Träger (7), wo-bei die Halbleiterschichtenfolge (1) mindestens eine n-do-tierte Halbleiterschicht (11), mindestens eine p-dotierte Halbleiterschicht (12) und eine zwischen den p- und n-dotier-ten Halbleiterschichten (11, 12) angeordnete aktive Schicht (13) aufweist,

- einen n-Anschlusskontakt (2), der zur elektrischen Kontak-tierung der n-dotierten Halbleiterschicht (11) eingerichtet ist,

- einen p-Anschlusskontakt (3) , der zur elektrischen Kontak-tierung der p-dotierten Halbleiterschicht (12) eingerichtet ist,

wobei der n-Anschlusskontakt (2) auf der dem Träger (7) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist,

wobei der n-Anschlusskontakt (2) eine erste Seite (4) auf-weist, die der Halbleiterschichtenfolge (1) zugewandt angeordnet ist,

wobei die erste Seite (4) im Seitenquerschnitt gesehen zwei Außenbereiche (43) und einen Innenbereich (44) aufweist, der von den Außenbereichen (43) begrenzt wird,

wobei die Außenbereiche (43) der ersten Seite (4) unstrukturiert (42) sind, und wobei der Innenbereich (44) strukturiert (41) ist.

2. Optoelektronisches Bauelement (100) nach Anspruch 1, wobei die beiden Außenbereiche (43) jeweils eine laterale

Ausdehnung (La) zwischen 2 ym und 10 ym aufweisen.

3. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei unterhalb des Innenbereichs (44) der ersten Seite (4) in der Halbleiterschichtenfolge (1) keine Rekombination von Strahlung erfolgt, wobei eine Rekombination in der aktiven Schicht (13) im Bereich unterhalb der Außenbereiche (43) des n-Anschlusskontakts (2) und in der Halbleiterschichtenfolge (1) erfolgt, die nicht von dem n-Anschlusskontakt (2) bedeckt ist .

4. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei der n-Anschlusskontakt (2) auf der dem Träger (7) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist, wobei der n-Anschlusskontakt (2) eine zweite Seite (5) aufweist, die der Halbleiterschichtenfolge (1) abgewandt angeordnet ist,

wobei die zweite Seite (5) im Seitenquerschnitt gesehen weitere zwei Außenbereiche (53) und einen weiteren Innenbereich (54) aufweist, der von den weiteren Außenbereichen (53) begrenzt wird.

5. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die Strukturierung des Innenbereichs (44) der ersten Seite (4) gleich der Strukturierung des Innenbereichs (54) der zweiten Seite (5) ist.

6. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei der n-Anschlusskontakt (2) ein Material oder eine Kombination von Materialien aufweist, die aus folgender Gruppe ausgewählt sind: Gold, Germanium, Goldgermanium, Nickel, Titan, Platin.

7. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei der p-Anschlusskontakt (3) sich horizontal zwischen dem Träger (7) und der Halbleiterschichtenfolge (1) erstreckt.

8. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei der n-Anschlusskontakt (2) Seitenflächen (6) aufweist, die vertikal zur ersten und zweite Seite (4, 5) angeordnet sind, wobei die Seitenflächen (6) unstrukturiert sind.

9. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die Halbleiterschichtenfolge (1) auf der Seite, die dem n-Anschlusskontakt (2) zugewandt ist und nicht von dem n-Anschlusskontakt (2) bedeckt ist, strukturiert ist.

10. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die laterale Ausdehnung (Ln) des n-Anschlusskontaktes (2) im Seitenquerschnitt gesehen kleiner ist als die laterale Ausdehnung der Halbleiterschichtenfolge (LH) .

11. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei der n-Anschlusskontakt (2) im Seitenquerschnitt gesehen zentriert auf der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist .

12. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei der Träger (7) aus Silizium oder Germanium geformt ist.

13. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die Halbleiterschichtenfolge (1) auf der dem Träger (7) gegenüberliegenden Seite strukturiert ist.

14. Optoelektronisches Bauelement (100) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche,

wobei die Strukturierung eine Aufrauung ist mit einer mittleren Rauigkeit zwischen 500 nm und 1000 nm.

15. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 14 mit den Schritten:

A) Bereitstellen eines Trägers (7),

B) Aufbringen eines p-Anschlusskontakts (3) zur elektrischen Kontaktierung zumindest einer p-dotierten Halbleiterschicht

(12) ,

C) Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (1) auf den p-Anschlusskontakt (3), wobei die Halbleiterschichtenfolge (1) mindestens eine n-dotierte Halbleiterschicht (11), mindestens eine p-dotierte Halbleiterschicht (12) und eine zwischen den p- und n-dotierten Halbleiterschichten (11, 12) angeordnete aktive Schicht (13) aufweist,

D) Aufbringen eines n-Anschlusskontakts (2) auf die Halbleiterschichtenfolge (1), die zur elektrischen Kontaktierung der zumindest einen n-dotierten Halbleiterschicht (11) eingerichtet ist,

wobei der n-Anschlusskontakt (2) eine erste Seite (4) aufweist, die der Halbleiterschichtenfolge (1) zugewandt angeordnet ist,

wobei die erste Seite (4) im Seitenquerschnitt gesehen zwei Außenbereiche (43) und einen Innenbereich (44) aufweist, der von den Außenbereichen (43) begrenzt wird,

wobei die Außenbereiche (43) der ersten Seite (4) unstrukturiert (42) sind, und wobei der Innenbereich (44) strukturiert (41) ist.