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1. (WO2019025091) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
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Pub. No.: WO/2019/025091 International Application No.: PCT/EP2018/067603
Publication Date: 07.02.2019 International Filing Date: 29.06.2018
IPC:
H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 33/22 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36
characterised by the electrodes
38
with a particular shape
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
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with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
22
Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
Applicants:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventors:
WEISS, Guido; DE
Agent:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Priority Data:
10 2017 117 613.603.08.2017DE
Title (EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
Abstract:
(EN) The invention relates to an optoelectronic component (100) comprising a semiconductor layer sequence (1) on a carrier (7). The semiconductor layer sequence (1) comprises at least one n-doped semiconductor layer (11), at least one p-doped semiconductor layer (12), an active layer (13) arranged between the p- and n-doped semiconductor layers (11, 12), an n-terminal contact (2), which is designed to electrically contact the n-doped semiconductor layer (11), and a p-terminal contact (3), which is designed to electrically contact the p-doped semiconductor layer (12). The n-terminal contact (2) is arranged on the side of the semiconductor layer sequence (1) facing away from the carrier (7). The n-terminal contact (2) has a first side (4) arranged facing the semiconductor layer sequence (1), with the first side (4), as considered in side cross-section, comprising two outer regions (43) and one inner region (44), which is delimited by the outer regions (43). The outer regions (43) of the first side (4) are unstructured (42) and the inner region (44) is structured (41).
(FR) L'invention concerne un composant optoélectronique (100) comprenant une succession de couches semi-conductrices (1) sur un support (7), la succession de couches semi-conductrices (1) comprenant au moins une couche semi-conductrice dopée N (11), au moins une couche semi-conductrice dopée P (12) et une couche active (13) placée entre les couches semi-conductrices dopées P et N (11, 12), un contact de connexion de type N (2) qui est conçu pour permettre la mise en contact électrique de la couche semi-conductrice dopée N (11), un contact de connexion de type P (3) qui est conçu pour permettre la mise en contact électrique de la couche semi-conductrice dopée P (12), le contact de connexion de type N (2) étant placé sur le côté de la succession de couches semi-conductrices (1) qui est opposé au support (7), le contact de connexion de type N (2) présentant une première face (4) qui se trouve en vis-à-vis de la succession de couches semi-conductrices (1), la première face (4) comportant, vue en coupe transversale, deux zones extérieures (43) et une zone intérieure (44) qui est délimitée par les zones extérieures (43), les zones extérieures (43) de la première face (4) étant non structurées (42), et la zone intérieure (44) étant structurée (41).
(DE) Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) auf einem Träger (7), wobei die Halbleiterschichtenfolge (1) mindestens eine n-dotierte Halbleiterschicht (11), mindestens eine p-dotierte Halbleiterschicht (12) und eine zwischen den p- und n- dotierten Halbleiterschichten (11, 12) angeordnete aktive Schicht (13) aufweist, einen n-Anschlusskontakt (2), der zur elektrischen Kontaktierung der n-dotierten Halbleiterschicht (11) eingerichtet ist, einen p-Anschlusskontakt (3), der zur elektrischen Kontaktierung der p-dotierten Halbleiterschicht (12) eingerichtet ist, wobei der n-Anschlusskontakt (2) auf der dem Träger (7) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist, wobei der n-Anschlusskontakt (2) eine erste Seite (4) aufweist, die der Halbleiterschichtenfolge (1) zugewandt angeordnet ist, wobei die erste Seite (4) im Seitenquerschnitt gesehen zwei Außenbereiche (43) und einen Innenbereich (44) aufweist, der von den Außenbereichen (43) begrenzt wird, wobei die Außenbereiche (43) der ersten Seite (4) unstrukturiert (42) sind, und wobei der Innenbereich (44) strukturiert (41) ist.
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)