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1. (WO2019024340) STRESS SENSOR STRUCTURE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
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Pub. No.: WO/2019/024340 International Application No.: PCT/CN2017/112857
Publication Date: 07.02.2019 International Filing Date: 24.11.2017
IPC:
H01L 21/66 (2006.01) ,H01L 23/544 (2006.01) ,G01L 1/18 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
66
Testing or measuring during manufacture or treatment
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23
Details of semiconductor or other solid state devices
544
Marks applied to semiconductor devices, e.g. registration marks, test patterns
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
L
MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
1
Measuring force or stress, in general
18
using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
Applicants:
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 NATIONAL CENTER FOR ADVANCED PACKAGING CO., LTD. [CN/CN]; 中国江苏省无锡市 新吴区菱湖大道200号传感网国际创新园D1栋 Building D1, China Sensor Network International Innovation Park 200 Linghu Boulevard, Xinwu District Wuxi, Jiangsu 214135, CN
Inventors:
尹雯 YIN, Wen; CN
杨恒 YANG, Heng; CN
豆传国 DOU, Chuanguo; CN
张文奇 ZHANG, Wenqi; CN
林挺宇 LIN, Tingyu; CN
曹立强 CAO, Liqiang; CN
Agent:
北京三聚阳光知识产权代理有限公司 SUNSHINE INTELLECTUAL PROPERTY INTERNATIONAL CO., LTD.; 中国北京市 海淀区海淀南路甲21号中关村知识产权大厦A座5层503 Room 503, Floor 5, Tower A, Zhongguancun Intellectual Property Building No. 21, A, Haidian South Road, Haidian District Beijing 100080, CN
Priority Data:
201710659009.703.08.2017CN
Title (EN) STRESS SENSOR STRUCTURE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE DE CAPTEURS DE CONTRAINTE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 一种应力传感器结构及其制作方法
Abstract:
(EN) Disclosed are a stress sensor structure and a preparation method therefor. The stress sensor structure comprises: a substrate (10); a blind hole provided on a first surface of the substrate; a first piezoresistive layer (30) and a second piezoresistive layer (50) arranged on a side surface of the blind hole, wherein connections are made at the bottom of the first piezoresistive layer and the second piezoresistive layer, and the first piezoresistive layer and the second piezoresistive layer are formed of a material having a piezoresistive effect; a second insulation layer (40) arranged between the first piezoresistive layer and the second piezoresistive layer; a first electrode (70) arranged on the first surface of the substrate and connected to the first piezoresistive layer; and a second electrode (80) arranged on the first surface of the substrate and connected to the second piezoresistive layer. The resistance measured by externally applying voltage to the first electrode and the second electrode can be used for representing the stress of a TSV structure, especially the axial stress, and thus, the stress sensor can be used for measuring the stress of the TSV structure.
(FR) L’invention concerne une structure de capteurs de contrainte et son procédé de préparation. La structure de capteurs de contrainte comprend : un substrat (10) ; un trou aveugle disposé sur une première surface du substrat ; une première couche piézorésistante (30) et une deuxième couche piézorésistante (50) agencée sur une surface latérale du trou aveugle, des connexions étant établies au fond de la première couche piézorésistante et de la deuxième couche piézorésistante, et la première couche piézorésistante et la deuxième couche piézorésistante étant formées d’un matériau ayant un effet piézorésistant ; une deuxième couche d’isolation (40) agencée entre la première couche piézorésistante et la deuxième couche piézorésistante ; une première électrode (70) agencée sur la première surface du substrat et connectée à la première couche piézorésistante ; et une deuxième électrode (80) agencée sur la première surface du substrat et connectée à la deuxième couche piézorésistante. La résistance mesurée en appliquant en externe une tension à la première électrode et à la deuxième électrode peut servir à représenter la contrainte d’une structure de TSV, en particulier la contrainte axiale, et ainsi, le capteur de contrainte peut servir à mesurer la contrainte de la structure de TSV.
(ZH) 一种应力传感器结构及其制作方法,其中应力传感器结构包括:衬底(10);盲孔,设置在衬底的第一表面;第一压阻层(30)和第二压阻层(50),设置于盲孔侧表面,第一压阻层和第二压阻层在各层的底部连接;第一压阻层和第二压阻层由具有压阻效应的材质形成;第二绝缘层(40),设置于第一压阻层和第二压阻层之间;第一电极(70),设置于衬底的第一表面,与第一压阻层连接;第二电极(80),设置于衬底的第一表面,与第二压阻层连接。通过在第一电极和第二电极外加电压的方式所测得的电阻可以用于表征TSV结构的应力,尤其是轴向应力,进而应力传感器可以用于测量TSV结构的应力。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)