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1. (WO2019008842) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND OPTICAL MEASUREMENT DEVICE
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Pub. No.: WO/2019/008842 International Application No.: PCT/JP2018/012400
Publication Date: 10.01.2019 International Filing Date: 27.03.2018
IPC:
H01L 31/10 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31
Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
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characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
Applicants:
雫石 誠 SHIZUKUISHI Makoto [JP/JP]; JP
Inventors:
雫石 誠 SHIZUKUISHI Makoto; JP
武藤 秀樹 MUTOH Hideki; JP
Priority Data:
2017-13102204.07.2017JP
2017-23341305.12.2017JP
Title (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND OPTICAL MEASUREMENT DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF DE MESURE OPTIQUE
(JA) 光電変換素子及び光学測定装置
Abstract:
(EN) [Problem] To achieve higher sensitivity, lower noise, lower power consumption, higher resolution, longer spectral sensitivity wavelength, ambient light reduction, or a structure that is not readily affected by inter-pixel crosstalk, in a photoelectric conversion element that uses a silicon substrate. [Solution] A photoelectric conversion region, in which a side end section of a silicon substrate (1) on which an integrated circuit has been formed serves as a light receiving surface, is doped with germanium, and a metal reflection film (31) is also positioned at the perimeter of the photoelectric conversion region.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est d'obtenir une sensibilité plus élevée, un bruit plus faible, une consommation d'énergie moindre, une résolution plus élevée, une longueur d'onde de sensibilité spectrale plus longue, une diminution de la lumière ambiante, ou une structure qui n'est pas facilement affectée par une diaphonie entre pixels, dans un élément de conversion photoélectrique qui utilise un substrat en silicium. À cet effet, l'invention concerne une région de conversion photoélectrique, dans laquelle une section d'extrémité latérale d'un substrat de silicium (1) sur lequel un circuit intégré qui a été formé sert de surface de réception de lumière, est dopée avec du germanium, et un film de réflexion métallique (31) est également positionné au niveau du périmètre de la région de conversion photoélectrique.
(JA) 【課題】シリコン基板を用いた光電変換素子における高感度化、低ノイズ化、低消費電力化、高解像度化、分光感度の長波長化、外乱光の低減、或いは画素間クロストークの影響を受けにくい構造を実現する。【解決手段】集積回路が形成されたシリコン基板(1)の側端部を受光面とする光電変換領域にゲルマニウムをドープし、さらに光電変換領域の周囲に金属反射膜(31)を配置する。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)