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1. (WO2019008003) SOLDERING MATERIAL FOR ACTIVE SOLDERING AND METHOD FOR ACTIVE SOLDERING
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Ansprüche

1 . Lötmaterial (1 ) zum Aktivlöten, insbesondere zum Aktivlöten einer Metallisierung (3) an eine Keramik umfassende Trägerschicht (2), wobei das Lötmaterial Kupfer umfasst und im Wesentlichen silberfrei ist.

2. Lötmaterial (1 ) gemäß Anspruch 1 , wobei das Kupfer einen Anteil zwischen 50 und 90 Gew.-%, bevorzugt zwischen 55 und 85 Gew.-%und besonders bevorzugt zwischen 50 und 75 Gew.-% am Lötmaterial hat.

3. Lötmaterial (1 ) gemäß Anspruch 1 wobei das Kupfer einen Anteil zwischen 63 und 75 Gew.-%, bevorzugt zwischen 64 und 70 Gew.-%und besonders bevorzugt zwischen 65 und 70 Gew.-% am Lötmaterial hat.

4. Lötmaterial (1 ) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Löt material zur Herabsetzung der Schmelztemperatur ein Begleitmaterial, vorzugsweise Ga, In, Mn oder Sn, aufweist.

5. Lötmaterial (1 ) gemäß Anspruch 4, wobei das Begleitmaterial einen Anteil von 5 bis 50 Gew- %, bevorzugt einen Anteil von 5 und 40 Gew- % und besonders bevorzugt einen Anteil von 5 und 35 Gew.-% am Lötmaterial hat. .

6. Lötmaterial (1 ) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Löt material (1 ) ein Aktivmetall bevorzugt Ti, Zr, Hf, Nb, Cr, V, Y, Sc oder Ce aufweist.

7. Lötmaterial (1 ) gemäß Anspruch 6, wobei das Aktivmetall einen Anteil von 0,5 bis 10 Gew.-%, bevorzugt von 1 bis 5 Gew.-% und besonders bevorzugt von 1 bis 3 Gew.-% am Lötmaterial hat.

Lötmaterial (1 ) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Lötmaterial (1 ) eine Paste oder eine Folie ist.

Lötmaterial (1 ) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Lötmaterial (1 ) im Wesentlichen

- 64 Gew.-% Kupfer, 34 Gew.-% Mangan und 2 Gew.-% Titan,

- 64 Gew. -% Kupfer, 34 Gew.-% Indium und 2 Gew.-% Titan,

- 75 Gew. -% Kupfer, 23 Gew.-% Zinn und 2 Gew.-% Titan,

- 69 Gew. -% Kupfer, 13 Gew.-% Zinn, 16 Gew.-% Indium und 2 Gew.-% Titan,

- 66 Gew. -% Kupfer, 16 Gew.-% Zinn, 16 Gew.-% Mangan und 2 Gew.-% Titan,

- 66 Gew. -% Kupfer, 16 Gew.-% Indium, 16 Gew.-% Mangan und 2 Gew.-% Titan oder

- 69 Gew. -% Kupfer, 12 Gew.-% Zinn, 7 Gew.-% Mangan, 10 Gew.-% Indium und 2 Gew.-% Titan,

ansonsten unvermeidbare Verunreinigungen von weniger als 0,5 Gew.-% aufweist.

Trägerschicht (2) mit einer Metallisierung (3), wobei die Metallisierung (3) über das Lötmaterial (1 ) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche an die Trägerschicht (2) angebunden ist.

Verfahren zum Anbinden einer Metallisierung (3) an eine Trägerschicht (2), insbesondere eine Keramik umfassende Trägerschicht (2), wobei ein Lötmaterial (1 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9 verwendet wird.

Verfahren gemäß Anspruch 1 1 , wobei ein Anbinden bei einer Löttemperatur von weniger als 1000 ° und bevorzugt weniger als 900 °C.

13. Verfahren gemäß Anspruch 12 ein Anbinden bei einer Löttemperatur von weniger als 850 °C durchgeführt wird.

Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 1 bis 13, wobei das Lötmaterial (1 ) in einem Siebdruckverfahren auf die Keramik umfassende Trägerschicht (2) aufgetragen wird.