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1. (WO2019007322) STACKED SPIRAL INDUCTOR
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说明书

发明名称 0001   0002   0003   0004   0005   0006   0007   0008   0009   0010   0011   0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040  

权利要求书

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20  

附图

1   2   3   4   5   6   7  

说明书

发明名称 : 堆叠螺旋电感

技术领域

[0001]
本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及堆叠螺旋电感。

背景技术

[0002]
传统的堆叠螺旋电感是通过在每一层金属层上制备一个平面螺旋电感,然后通过金属通孔将相邻两层的螺旋电感连接起来,即可变成三层金属层相互连接的堆叠螺旋电感。其中,第一金属层、第二金属层、第三金属层中平面螺旋电感的形状、大小均相同。传统的堆叠螺旋电感中,金属层与金属层之间平面螺旋电感的寄生电容较大,而且与硅基衬底之间的寄生耦合电容也会变大,严重的影响了堆叠螺旋电感的性能。
[0003]
发明内容
[0004]
基于此,有必要提供一种无需改变现有工艺技术的条件下,在同等衬底面积上,能够提高螺旋电感性能的堆叠螺旋电感。
[0005]
一种堆叠螺旋电感,包括衬底以及通过半导体工艺在所述衬底上形成多层堆叠的绝缘层和电感金属层;所述电感金属层包括具有螺旋状的导电线圈以及用于连接相邻两层电感金属层的通孔区域,各个所述电感金属层的导线线圈具有公共的线圈中心,相邻两层电感金属层中,下层电感金属层的导电线圈相对于上层电感金属层的导电线圈向所述线圈中心缩进。
[0006]
本发明的一个或多个实施例的细节在下面的附图和描述中提出。本发明的其他特征、目的和优点将从说明书、附图以及权利要求书变得明显。

附图说明

[0007]
为了更好地描述和说明这里公开的那些发明的实施例和/或示例,可以参 考一副或多副附图。用于描述附图的附加细节或示例不应当被认为是对所公开的发明、目前描述的实施例和/或示例以及目前理解的这些发明的最佳模式中的任何一者的范围的限制。
[0008]
图1为传统堆叠螺旋电感的结构示意图;
[0009]
图2为一个实施例中堆叠螺旋电感的俯视图;
[0010]
图3为一个实施例中堆叠螺旋电感的另一俯视图;
[0011]
图4为一个实施例中堆叠螺旋电感中开口端的局部放大示意图;
[0012]
图5为另一个实施例中堆叠螺旋电感的俯视图;
[0013]
图6为一个实施例中堆叠螺旋电感中接地屏蔽层的俯视图;
[0014]
图7为另一个实施例中堆叠螺旋电感的俯视图。

具体实施方式

[0015]
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
[0016]
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0017]
一种堆叠螺旋电感,包括衬底以及在所述衬底上通过半导体工艺在所述衬底上形成多层堆叠的绝缘层和电感金属层。
[0018]
其中,衬底可以为硅衬底,也可以为砷化镓、硅化锗或者其他半导体衬底。通过在所述衬底上沉积或外延生成形成绝缘层,其绝缘层可以为二氧化硅层,也可以为氮化硅层或其他绝缘的氧化物层。刻蚀绝缘层形成通孔,在所述绝缘层上溅射形成电感金属层,重复上述半导体工艺在所述衬底上形成 多层堆叠的绝缘层和电感金属层。
[0019]
在一个实施例中,所述电感金属层通过选择性的刻蚀形成具有螺旋状的导电线圈以及用于连接相邻两层电感金属层的通孔区域,电感金属层的通孔区域与绝缘层中的通孔对应设置。如图2所示的为堆叠螺旋电感的俯视图。每一层电感金属层中通过刻蚀形成的导电线圈的形状都相同,具有公共的线圈中心O,尺寸不同。在相邻两层电感金属层中,其下层电感金属层的导电线圈L2相对于上层电感金属层的导电线圈L1向所述线圈中心O缩进,也即,下层电感金属层的导电线圈L2距离线圈中心O的间距小于上层电感金属层的导电线圈L1距离线圈中心O的间距。
[0020]
在同等面积的情况下,如图1所示,传统堆叠片上螺旋电感是直接向下层平移,即第一金属层m1、第二金属层m2、第三金属层m3中平面螺旋电感的形状、大小均相同。在高频工作时,相邻两层电感金属层之间会产生类似平板电容的寄生电容,严重影响了片上螺旋电感的性能。而本发明实施例中的,相邻两层电感金属层中,其下层电感金属层中的导线线圈相对于上层电感金属层中得导电线圈向中心缩进,在无需改变现有工艺技术的条件且在同等衬底面积的情况下,可以减少相邻两层电感金属层之间的寄生电容,提高自身的谐振频率,继而可以提高螺旋电感品质因数Q值,提高螺旋电感的性能。
[0021]
在一个实施例中,参考图2,堆叠螺旋电感包括两层电感金属层,分别为顶层电感金属层M1,也即第一电感金属层M1;次顶层电感金属层M2,也即第二电感金属层M2。其中,第二电感金属层M2的导电线圈L2相对于第一电感金属层M1的导电线圈L1向所述导电线圈的中心O缩进的间距范围为2微米~3微米。也即,第二电感金属层M2的导电线圈L2距离线圈中心O的间距D2小于第一电感金属层M1的导电线圈L1距离线圈中心O的间距D1,而且第二电感金属层M2的导电线圈L2相对于第一电感金属层M1的导电线圈L1向中心O缩进的间距范围δd=D1-D2为2微米~3微米。
[0022]
在一个实施例中,堆叠螺旋电感包括n(n>2)层的电感金属层,从顶 层电感金属层向底层金属层依次包括有第一电感金属层、第二电感金属层、…、第n电感金属层。其中,从顶层电感金属层到底层金属层中的导电线圈距离线圈中心的间距依次为D1、D2、…、Dn。其中,第二电感金属层的导线线圈相对于第一电感金属层的导线线圈缩进的间距Δd1=D1-D2,第三电感金属层的导线线圈相对于第二电感金属层的导线线圈缩进的间距Δd2=D2-D3,第n-1电感金属层的导线线圈相对于第n电感金属层的导线线圈缩进的间距Δdn-1=Dn-1-Dn。
[0023]
在一个实施例中,每一次缩进的间距Δd1、Δd2、…、Δdn-1均相等,其可以等于2微米~3微米中的任意数值。
[0024]
在一个实施例中,每一次缩进的间距Δd1、Δd2、…、Δdn-1呈等差数列排布。其中,可以为Δd1<Δd2<…<Δdn-1,还可以为Δd1>Δd2>…>Δdn-1。在实际应用中,可以根据实际需求来设定每一次缩进的间距,其每一次缩进的间距不限于上述实施例所列举的缩进范围。
[0025]
在一个实施例中,同一层电感金属层的导电线圈的线宽相同,其导电线圈的线宽范围为6微米~15微米。
[0026]
具体地,从顶层电感金属层到底层金属层中的导电线圈的线宽可以均相同,也可以呈递增的趋势变化,亦可以呈递减的趋势变化,当然也可以交替变化。其每一层电感金属层的导电线圈的线宽可以根据实际需求来设定。
[0027]
在一个实施例中,每一层电感金属层中的导电线圈包括引线端以及与引线端相对设置的开口终端。参考图3,电感金属层包括位于顶层的电感金属层M1(第一电感金属层)和次顶层电感金属层M2(第二电感金属层)。其中,所述第一电感金属层M1的导电线圈L1包括引线端10以及与所述引线端10相对设置的开口终端20,所述引线端10为所述螺旋电感的引出端子,所述开口终端处20设有所述通孔区域(图未标)。
[0028]
具体地,参考图4,所述开口终端20包括相对且间隔设置的第一延伸部210和第二延伸部220,所述通孔区域201分别设置在所述第一延伸部210、第二延伸部220的终端。所述第一延伸部210与第二延伸部220的线宽之和 小于所述导电线圈L1(图未标)的线宽。在一个实施例中,第一延伸部210与第二延伸部220的线宽相等,且第一延伸部210与第二延伸部220的线宽为导电线圈L1的线宽的1/3。
[0029]
将通孔区域设置在相对且间隔设置的第一延伸部和第二延伸部中,不需要在通孔区域设置拐角点,简化了刻蚀导电线圈的工艺复杂度,提高了效率,降低了成本。通过通孔区域,可以电连接第一电感金属层与第二电感金属层的导电线圈。
[0030]
在一个实施例中,堆叠螺旋电感包括n(n>2)层的电感金属层,从顶层电感金属层向底层金属层依次包括有第一电感金属层、第二电感金属层、…、第n电感金属层。其中,所述第一电感金属层的导电线圈包括引线端以及与所述引线端相对设置的开口终端,所述引线端为所述螺旋电感的引出端子,所述开口终端处设有所述通孔区域。参考图5,第二电感金属层M2中用于连接下方相邻的第三金属层M3的通孔区域(图未标)与所述第一电感金属层M1的引线端10设置在相同一侧。第三电感金属层M3中用于连接下方相邻的第四金属层的通孔区域与所述第二电感金属层的引线端设置在相同一侧。相应的,若n为奇数,则第n-1电感金属层中用于连接下方相邻的第n金属层的通孔区域与所述第一电感金属层的引线端设置在相同一侧。若n为偶数,则第n-1电感金属层中用于连接下方相邻的第n金属层的通孔区域与所述第二电感金属层的引线端设置在相同一侧。
[0031]
上述实施例中六边形螺旋电感作说明,但在实际应用中,螺旋电感的形状并不限于此,还可以为其他种类的螺旋状,例如四边形、八边形或者圆形皆可以应用于本发明。
[0032]
在一个实施例中,堆叠螺旋电感还包括设置在衬底和最底层所述电感金属层之间的接地屏蔽层(Patterned Ground Shield,PGS),接地屏蔽层用于中断电感到硅片衬底的磁场,减少由于衬底引起的电磁损耗,从而提高Q值。
[0033]
参考图6,所述接地屏蔽层(图未标)上设有多个同心金属圈(Q1、Q2),(Q1、Q2)上均设有与所述金属圈垂直设置的多个金属条T,其中,所述金 属条T的长度小于所述相邻两金属圈的间距。多个金属条在平面内部是互不相连,保持固定间距,只在平面最外侧边沿通过金属圈连接并接地,实现降低对硅衬底电磁损耗。
[0034]
在一个实施例中,所述金属圈的数量与所述电感金属层的层数相同,所述金属圈的形状与所述导电线圈的形状相同。
[0035]
具体地,参考图7,若电感导电金属层的层数为两层,则接地屏蔽层上设有两圈同心金属圈,其中,在空间上,最外层金属圈Q1上的金属条与第一电感金属层的导电线圈L1对应垂直设置;最内层金属圈Q2上的金属条与第二电感金属层的导电线圈L2对应垂直设置。也即,若第二电感金属层的导电线圈L2、第一电感金属层的导电线圈L1投影至接地屏蔽层时,最内层金属圈Q2、第二电感金属层的导电线圈L2、最外层金属圈Q1、第一电感金属层的导电线圈L1依次由内之外同心设置。
[0036]
具体地,若电感导电金属层的层数为n(n>2)层,接地屏蔽层上设有n圈同心金属圈。在空间上,从最外层到最内层的金属圈所对应的金属条分别依次与从顶层电感金属层到底层电感金属层的导电线圈对应垂直设置。其中,最外层金属圈上的金属条与顶层电感金属层的导电线圈对应垂直设置,相应的,所述最内层金属圈上的金属条与底层电感金属层的导电线圈对应垂直设置。也可以理解为,若从顶层电感金属层到底层电感金属层的导电线圈均投影至接地屏蔽层时,则从顶层电感金属层到底层电感金属层的导电线圈分别依次设置在接地屏蔽层上的由外至内的同心金属圈的外侧。其中,顶层电感金属层的导电线圈设置在接地屏蔽层最外层金属圈的外侧,底层电感金属层的导电线圈设置在接地屏蔽层最内层金属圈与次内层金属圈之间。
[0037]
通过在接地屏蔽层上设置的设有多个同心金属圈,以及在每个金属圈上均设有与所述金属圈垂直设置的多个金属条。其中,金属条与各层电感金属层内的电导线圈垂直设置,可以屏蔽大部分随着高频电磁波而出现的硅基衬底涡流效应,从而减小了螺旋电感与衬底之间的寄生电容,提高螺旋电感品质因数Q值,进而提高螺旋电感的性能。
[0038]
上述实施例中以在硅衬底上形成六边形螺旋电感作说明,但在实际应用中,螺旋电感的形状并不限于此,还可以为其他种类的螺旋状,例如四边形、八边形或者圆形皆可以应用于本发明。
[0039]
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
[0040]
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

权利要求书

[权利要求 1]
一种堆叠螺旋电感,包括衬底以及通过半导体工艺在所述衬底上形成多层堆叠的绝缘层和电感金属层; 所述电感金属层包括具有螺旋状的导电线圈以及用于连接相邻两层电感金属层的通孔区域,各个所述电感金属层的导线线圈具有公共的线圈中心; 相邻两层电感金属层中,下层电感金属层的导电线圈相对于上层电感金属层的导电线圈向所述线圈中心缩进。
[权利要求 2]
根据权利要求1所述的堆叠螺旋电感,其中,每一层缩进的间距相等或每一层缩进的间距呈等差数列排布。
[权利要求 3]
根据权利要求1所述的堆叠螺旋电感,其中,每一层缩进的间距范围为2微米~3微米。
[权利要求 4]
根据权利要求1所述的堆叠螺旋电感,其中,各所述电感金属层中的导电线圈包括引线端以及与所述引线端相对设置的开口终端; 位于顶层的电感金属层为第一电感金属层,与所述第一电感金属层相邻设置的为第二电感金属层,与所述第二电感金属层下方相邻的为第三电感金属层; 所述第一电感金属层中用于连接所述第二金属层的通孔区域设置在所述所述第一电感金属层的开口终端处,所述第一层电感金属层的引线端为所述螺旋电感的引出端子; 所述第二电感金属层中用于连接所述第三金属层的通孔区域与所述第一电感金属层的引线端设置在相同一侧。
[权利要求 5]
根据权利要求4所述的堆叠螺旋电感,其中,所述开口终端包括相对且间隔设置的第一延伸部和第二延伸部,所述通孔区域分别设置在所述第一延伸部、第二延伸部的终端。
[权利要求 6]
根据权利要求5所述的堆叠螺旋电感,其中,所述第一延伸部与第二延伸部的线宽之和小于所述导电线圈的线宽。
[权利要求 7]
根据权利要求1所述的堆叠螺旋电感,其中,所述导电线圈的线宽范 围为6微米~15微米。
[权利要求 8]
根据权利要求1所述的堆叠螺旋电感,其中,所述导电线圈的形状为六边形、八边形、四边形或圆形。
[权利要求 9]
根据权利要求1所述的堆叠螺旋电感,其中,还包括设置在衬底和最底层所述电感金属层之间的接地屏蔽层。
[权利要求 10]
根据权利要求9所述的堆叠螺旋电感,其中,所述接地屏蔽层上设有多个同心金属圈,以及在每个金属圈上均设有与所述金属圈垂直设置的多个金属条,其中,所述金属条的长度小于所述相邻两金属圈的间距。
[权利要求 11]
根据权利要求10所述的堆叠螺旋电感,其中,各所述金属条保持固定间距,且各金属条的一端与所述金属圈相连以通过所述金属圈接地。
[权利要求 12]
根据权利要求10所述的堆叠螺旋电感,其中,所述金属圈的数量与所述电感金属层的层数相同。
[权利要求 13]
根据权利要求10所述的堆叠螺旋电感,其中,所述金属圈的形状与所述导电线圈的形状相同。
[权利要求 14]
根据权利要求12所述的堆叠螺旋电感,其中,从最外层到最内层的金属圈所对应的金属条分别依次与从顶层电感金属层到底层电感金属层的导电线圈对应垂直设置,其中,最外层金属圈上的金属条与顶层电感金属层的导电线圈对应垂直设置,所述最内层金属圈上的金属条与底层电感金属层的导电线圈对应垂直设置。
[权利要求 15]
根据权利要求1所述的堆叠螺旋电感,其中,所述绝缘层为氧化物层。
[权利要求 16]
根据权利要求1所述的堆叠螺旋电感,其中,各所述电感金属层中的导电线圈的形状相同。
[权利要求 17]
根据权利要求1所述的堆叠螺旋电感,其中,处于同一层所述电感金属层的导电线圈的线宽相同。
[权利要求 18]
根据权利要求1所述的堆叠螺旋电感,其中,从顶层电感金属层到底层电感金属层中的导电线圈的线宽均相同。
[权利要求 19]
根据权利要求1所述的堆叠螺旋电感,其中,从顶层电感层到底层电感金属层中的导电线圈的线宽呈递增或递减趋势变化。
[权利要求 20]
根据权利要求5所述的堆叠螺旋电感,其中,所述第一延伸部的线宽与第二延伸部的线宽相等,且所述第一延伸部的线宽与第二延伸部的线宽为所述导电线圈的线宽的1/3。

附图

[ 图 1]  
[ 图 2]  
[ 图 3]  
[ 图 4]  
[ 图 5]  
[ 图 6]  
[ 图 7]